摘要: Ga2O3是一種新型寬禁帶半導體材料，禁帶寬度約為 4.8 eV，臨界擊穿電場理論上可高達 8 MV/cm，Baliga 優(yōu)值超過 3 000，因此在制作功率器件方面有很大的潛力。Ga2O3是繼 SiC和 GaN 之后制作高性能半導體器件的優(yōu)選材料，近年來受到了廣泛的關(guān)注。介紹了 Ga2O3材料的基本物理性質(zhì)，分析了Ga2O3基肖特基勢壘二極管 ( SBD) 的優(yōu)勢及存在的問題。重點從器件工藝、結(jié)構(gòu)和邊緣終端技術(shù)等角度評述了優(yōu)化 Ga2O3基 SBD 性能的方法，并對 Ga2O3基 SBD 的進一步發(fā)展趨勢進行了展望。

關(guān)鍵詞: 氧化鎵 ( Ga2O3) ; 肖特基勢壘二極管 ( SBD) ; 外延; 邊緣終端; 場板

參考文獻略

題目：氧化鎵基肖特基勢壘二極管的研究進展

王歌1，2 ，楊帆1，2，* ，王方圓1，2 ，杜浩毓1，2 ，王曉龍1，2 ，檀柏梅1，2

( 1. 河北工業(yè)大學 電子信息工程學院，天津 300130;

2. 天津市電子材料與器件重點實驗室，天津 300130)

DOI: 10．13290 /j．cnki．bdtjs．2022．12．002

編輯：黃飛