精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

Qorvo半導體 ? 來源:未知 ? 2023-04-11 15:55 ? 次閱讀

全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線(TOLL)封裝技術,用于其高性能 5.4(mΩ)750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)布的 750V SiC FETs 產(chǎn)品系列中的首發(fā)產(chǎn)品,其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于受空間限制的應用場景,如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達 100A 的固態(tài)繼電器和斷路器。

600/750V功率FETs類別中,Qorvo Gen 4 SiC FETs在導通電阻和輸出電容的主要品質(zhì)方面的性能堪稱無與倫比。此外,在TOLL封裝中,這些器件具有5.4 mΩ的導通電阻,比目前市場同類產(chǎn)品最佳的Si MOSFETs、SiC MOSFETsGaN晶體管還要低上4-10倍。SiC FETs750V額定電壓也比其它的一些替代技術高100-150伏,為管理電壓瞬變提供了顯著增強的設計余量。

Qorvo電源器件事業(yè)部首席工程師Anup Bhalla表示:TOLL封裝中推出我們的5.4 mΩ Gen4 SiC FET在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇,為此我們已邁出重要的一步,尤其對于從事工業(yè)應用的客戶,他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設計組合。

TOLL封裝的尺寸D2PAK表面貼裝器件減少30%,高度為2.3毫米,相當于同類產(chǎn)品的一半。盡管尺寸縮小,但先進的制造技術實現(xiàn)了從結(jié)到殼的行業(yè)領先的0.1°C/W熱阻。直流電流額定值為120A,最高可達144°C,脈沖電流額定值為588A,最高可達0.5毫秒。結(jié)合極低的導通電阻和出色的瞬態(tài)熱行為,產(chǎn)生了比相同封裝中的Si MOSFET8倍的'I2t'評級,這將有助于提高魯棒性和免疫性,同時也簡化了設計。TOLL封裝 還提供了Kevin源連接以實現(xiàn)可靠的高速轉(zhuǎn)換。

這些第四代SiC FETQorvo獨特的串聯(lián)電路結(jié)構(gòu),將SiC JFETSi MOSFET共同封裝 在一起,實現(xiàn)寬禁帶開關技術的全部效率和Sic MOSFET簡化門級驅(qū)動。

現(xiàn)在可使用Qorvo免費在線工具計算TOLL封裝的Gen4 5.4 mΩSiC FET,該計算器可以立即評估各種交流/直流和隔離/非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲連接的效率、元器件損耗和結(jié)溫上升。可將單個和并聯(lián)的器件在用戶指定的散熱條件下進行對比,以獲取最佳解決方案。

如欲了解更多Qorvo電源應用的先進解決方案,請訪問https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions。

關于 Qorvo

Qorvo(納斯達克代碼:QRVO)提供各種創(chuàng)新半導體解決方案,致力于讓我們的世界更美好。我們結(jié)合產(chǎn)品和領先的技術優(yōu)勢、以系統(tǒng)級專業(yè)知識和全球性的制造規(guī)模,快速解決客戶最復雜的技術難題。Qorvo 面向全球多個快速增長的細分市場提供解決方案,包括消費電子智能家居/物聯(lián)網(wǎng)、汽車、電動汽車、電池供電設備、網(wǎng)絡基礎設施、醫(yī)療保健和航空航天/國防。訪問 www.qorvo.com ,了解我們多元化的創(chuàng)新團隊如何連接地球萬物,提供無微不至的保護和源源不斷的動力。

Qorvo 是 Qorvo, Inc. 在美國和其他國家/地區(qū)的注冊商標。


原文標題:Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

文章出處:【微信公眾號:Qorvo半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • Qorvo
    +關注

    關注

    17

    文章

    632

    瀏覽量

    77389

原文標題:Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

文章出處:【微信號:Qorvo_Inc,微信公眾號:Qorvo半導體】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    DC1500V轉(zhuǎn)750V DC/DC直流變換器設備概述

    DC1500V轉(zhuǎn)750V DC/DC直流變換器(DCDC轉(zhuǎn)換器或DCDC隔離模塊電源)是一種電力電子設備,用于將1500V的直流電壓轉(zhuǎn)換為750V的直流電壓。以下是對該設備的詳細解析:
    的頭像 發(fā)表于 11-19 17:02 ?103次閱讀
    DC1500<b class='flag-5'>V</b>轉(zhuǎn)<b class='flag-5'>750V</b> DC/DC直流變換器設備概述

    Qorvo SiC JFET推動固態(tài)斷路器革新

    Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結(jié)型場效應晶體管(JFET)產(chǎn)品;其采用緊湊型無引腳表面貼裝(TOLL
    的頭像 發(fā)表于 11-15 16:04 ?165次閱讀

    Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封裝

    Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型
    的頭像 發(fā)表于 08-05 11:25 ?346次閱讀
    Navitas推出新一代650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET,采用高效<b class='flag-5'>TOLL</b><b class='flag-5'>封裝</b>

    Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝750V 4mΩ SiC JFET,推動斷路器技術的革命性變革

    至關重要。 UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內(nèi)采用標準分立封裝的 650V750V 等級功率
    發(fā)表于 06-14 15:29 ?710次閱讀
    <b class='flag-5'>Qorvo</b>? 推出采用 <b class='flag-5'>TOLL</b> <b class='flag-5'>封裝</b>的 <b class='flag-5'>750V</b> 4<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>SiC</b> JFET,推動斷路器技術的革命性變革

    Qorvo?推出采用TOLL封裝750V4mΩSiC JFET

    至關重要。 UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內(nèi)采用標準分立封裝的 650V750V 等級功率
    的頭像 發(fā)表于 06-12 14:04 ?374次閱讀

    ROHM開發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”

    出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack?”,共4款產(chǎn)品(750V 2個型號:BSTxxxD08P4A1x4,1,200V 2個型號:BSTxxxD12P4A1x1)。TR
    的頭像 發(fā)表于 06-11 14:19 ?396次閱讀
    ROHM開發(fā)出新型二合一 <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>封裝</b>模塊“TRCDRIVE pack?”

    如何實現(xiàn)功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發(fā)呢?

    為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對功率密度 SiC 功率模塊的需求,進行了 1 200 V/500 A
    的頭像 發(fā)表于 03-13 10:34 ?1748次閱讀
    如何實現(xiàn)<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>密度三相全橋<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>模塊設計與開發(fā)呢?

    Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

    全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9
    的頭像 發(fā)表于 03-06 11:43 ?803次閱讀

    Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

    全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩
    的頭像 發(fā)表于 03-03 16:02 ?865次閱讀

    Qorvo推出創(chuàng)新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊

    Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET,從而簡化熱機械設計和裝配。
    發(fā)表于 02-29 12:50 ?376次閱讀

    Qorvo借助SiC FET獨特優(yōu)勢,穩(wěn)固行業(yè)領先地位

    在產(chǎn)品研發(fā)方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它
    發(fā)表于 02-21 14:40 ?286次閱讀

    Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

    Qorvo,全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商,近日發(fā)布了其全新車規(guī)級碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實現(xiàn)了業(yè)界領先的9
    的頭像 發(fā)表于 02-01 10:18 ?715次閱讀

    Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動汽車設計性能

    D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容
    發(fā)表于 01-31 15:19 ?2553次閱讀
    <b class='flag-5'>Qorvo</b>? 推出D2PAK <b class='flag-5'>封裝</b> <b class='flag-5'>SiC</b> FET,提升 <b class='flag-5'>750V</b> 電動汽車設計性能

    至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

    深圳市至信微電子有限公司(簡稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上,至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領先的SiC芯片,其中包括1200V/7
    的頭像 發(fā)表于 01-16 15:45 ?886次閱讀

    AOS|80V和100V車規(guī)級TOLL封裝MOSFET

    應用的80V 和 100V MOSFET,這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL
    的頭像 發(fā)表于 12-15 11:26 ?551次閱讀