從去年下半年以來,因為智能手機和PC的不景氣,存儲市場遭受了暴擊,包括鎧俠在內的全球領先的存儲供應商也都相應下調了產能,以應對這波下行周期帶來的不確定性。
然而,據鎧俠CTO柳茂知在早前舉辦的中國閃存市場峰會(CFMS)的相關采訪中介紹,存儲市場有望在今年下半年復蘇。鎧俠電子(中國)有限公司董事長兼總裁岡本成之更是在峰會的演講中直言:“雖然目前存儲市場面臨很嚴重的挑戰,但是我們對中國市場的長期發展充滿信心,我們鎧俠為中國市場的發展繼續貢獻力量。”
為了抓住這波機遇,鎧俠已經做好了充分的準備。
夯實的技術基礎
眾所周知,鎧俠公司發明了NAND Flash。公司憑借其領先的三維(3D)垂直閃存單元結構BiCS FLASH,讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時,鎧俠還是第一個設想并準備將SLC技術成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現在又從TLC遷移到QLC的行業參與者。
這讓公司擁有足夠的實力打造高容量、低成本存儲解決方案的應用。
鎧俠QLC技術實現單一封裝的最高容量閃存
日前,公司更是與西部數據聯合宣布,成功推出了業界最高位密度的第八代BiCS FLASH——218層的3D閃存。
鎧俠方面表示,通過引入各種獨特的工藝與架構,公司了實現存儲顆粒持續的橫向微縮,同時還降低了成本。這種垂直與橫向微縮之間的平衡在更小的芯片中也產生了更大的容量,在優化成本的同時減少了層數。
“兩家公司還開發了突破性的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)技術,其中CMOS晶圓和存儲單元陣列晶圓在優化狀態下單獨制造,然后鍵合在一起,以提供更高的千兆字節(GB)密度和快速NAND I/O速度。”鎧俠方面強調。
按照鎧俠所說,公司新推出的218層3D閃存采用的創新橫向微縮技術為4平面(Plane)的1Tb三層存儲單元(TLC)和四層存儲單元(QLC)帶來超過50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超過3.2GB/s,比上一代產品提高了60%,同時在寫入性能和讀延遲方面的改善超過了20%,將加速用戶的整體性能、可用性。
熟悉存儲產業的讀者應該知道,現在為了持續增加存儲的密度,幾大存儲芯片供應商除了在“方寸”的空間上搭高樓,芯片的密度也是大家關注的交代。如是,對于存儲技術未來如何發展,不同的廠商有著不同的觀點。
針對這個問題,柳茂知先生回應道:“我們對存儲產品有著高容量、低成本和高性能這三個方面的需求,而為了達到這個目的,我們不但要繼續提高3D memory的層數以外,縮小‘洞’之間的間距。與此同時,縮小die面積也是我們發力的方向之一。”
柳茂之先生進一步指出,從目前的技術現狀看來,3D NAND Flash繼續增加層數是可行的,擴展到500層也是能實現的。隨著層數的增加,單位存儲的成本也會相應降低。但對500層以后的技術和成本走勢,柳茂之表示目前很難預估。
但可以肯定的是,基于這些領先的底層技術,鎧俠已經打造了一系列備受好評的SSD產品。
廣泛的產品布局
作為在閃存和固態硬盤(SSD)領域引領技術潮流的品牌,鎧俠一直為移動計算、云端、邊緣、數據中心和車載等領域提供高性能產品和服務,產品線包含NAND閃存、eMMC/UFS、SSD以及與SSD配套的軟件解決方案,并占據了世界閃存產能的大約30%。
在本次CFMS大會上,鎧俠更是推出了極具前瞻意義的全新產品——第二代 XL-FLASH。
據介紹,XL-FLASH存儲級內存(SCM)是一種介于內存(DRAM)與固態硬盤(SSD)之間的非易失性存儲,能夠幫助數據中心、服務器實現高吞吐量、低延遲和高可靠性的存儲性能。早在2021年,鎧俠就發布了相關產品FL6系列SCM固態硬盤。而新一代的XL-FLASH是一款具備。
而在這一代的全新產品上,鎧俠則首次采用了MLC技術,能夠幫助SCM級存儲進一步降低成本。不僅如此,下一代SCM產品順序讀取速度將提升118%,順序速度寫入提升56%,隨機讀寫速度更是分別提升100%和165%,讀取響應時間則進一步縮短7%。
針對現在越來越火爆的云端應用,鎧俠也推出了面向云端應用的數據中心級固態硬盤。并且在現場展示了鎧俠CD8系列,它能夠在成本和性能之間取得平衡,立足于PCIe 4.0和NVMe1.4規范,最高提供了7200MB/s讀取速度和1250K IOPS隨機讀取速度,還提供了混合寫入密集型(3DWPD耐久度、最高12.8TB容量)和讀取密集型(1DWPD耐久度和15.36TB)兩個版本。為了保證數據的安全性,鎧俠CD8還具備即時擦除(SIE)、自加密驅動器(SED)以及斷電保護(PLP)等多種安全技術。
“采用PCIe 5.0技術設計版本的CD8也將性能向上提升了一步。相比第一代PCIe 5.0產品,CD8能帶來14%以上的提升,并符合OCP DataCenter NVMe SSD 2.0 和 NVMe 1.4規格。”鎧俠方面強調。
緊接著,CD8系列的性能提升型產品也蓄勢待發,它同樣采用PCIe 5.0技術設計,支持PCIe 5.0和NVMe 2.0,順序讀取和隨機讀取性能將更進一步提升。新產品將同時提供2.5英寸和EDSFF E3.S可選,容量可達15.36TB,具備斷電保護(PLP)和端對端數據校正等功能,以滿足豐富的應用場景。
針對人工智能領域的需求,鎧俠推出了采用雙端口24Gb/s SAS的鎧俠PM7系列。它的單盤容量可達30.72TB,隨機讀寫表現都非常優秀。雙端口SAS設計能夠有效防止主機端單點故障,構建更加可靠的系統,能夠滿足人工智能應用的更多需求。
鎧俠還帶來了更多針對特定應用場景的解決方案,比如支持雙端口NVMe技術設備的CM7,它提供了2.5英寸和E3.S規范,最大容量可達30.72TB,可以滿足Tier 0計算;還有針對開放計算項目(OCP)設計的XD7P系列,能夠提供TCG Opal SSC SED安全選項;而BG5、XG8系列則可以為消費端產品提供輕薄的外形和強大的性能。
“如何降低存儲成本同樣是鎧俠關注的重點,通過研發團隊的不斷努力,我們下一代QLC SSD的順序讀取性能將與TLC SSD相當,并且隨機讀取性能更可達TLC SSD的75%。目前QLC SSD已經具備了推向企業級市場的條件,適合注重讀取的應用場景。”鎧俠強調。
面向未來的服務器需求,提供更多算力,鎧俠也積極與合作伙伴共同推進CXL+FLASH應用方案落地,讓服務器擁有更高效的數據存儲性能。
總而言之,如鎧俠所說,公司的宗旨是將憑借行業領先的存儲技術和產能,繼續引領行業發展潮流,不斷賦能人工智能、云計算、智能汽車等新經濟增長點,和行業伙伴一起構建存儲以及科技更加美好的未來。
審核編輯 :李倩
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原文標題:鎧俠在閃存市場的底氣
文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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