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代對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關管呢?

廣州飛虹半導體 ? 來源:廣州飛虹半導體 ? 2023-04-20 10:19 ? 次閱讀

對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關管呢?

飛虹半導體建議正在使用FGH60N60SMD的型號參數的IGBT單管的不間斷電源高頻逆變電路都可以了解一下FHA60T65A型號參數的IGBT單管。

畢竟目前對于全球的IGBT市場都是存在不穩定性的,未來市場對于不間斷電源的需求一定是增加的,如果讓產品能用上產能穩定的IGBT管,對于廠家都是很重要的?在國內有有比較好的IGBT能替代該型號參數的嗎?

今天飛虹電子就來回答對于不間斷電源高頻逆變電路,要使用什么IGBT型才能適配電路這一問題。

對于不間斷電源高頻逆變電路,我們推薦使用飛虹電子的FHA60T65A。畢竟FHA60T65A是可以代換FGH60N60SMD等IGBT的產品型號參數。

為什么?因為FHA60T65A擁有反向并行的快恢復二極管特性、高可靠性,Trench Field Stop technology(拖尾電流非常短、出色的Vcesat飽和壓降、關斷損耗低)、擁有正溫度系數。

在特點中可知,這一款60A、650V電流、電壓的FHA60T65A型號IGBT單管參數是很適合使用在不間斷電源高頻逆變電路的電路上。

在實際情況中,我們不間斷電源高頻逆變電路研發工程師一定要了解優質FHA60T65A國產型號的詳細參數:其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。

FHA60T65A是一款N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優化工藝,來獲得極低的 VCEsat 飽和壓降,并在導通損耗和關斷損耗(Eoff)之間能做出來良好的權衡。

目前FHA60T65A型號IGBT單管已經廣泛適用于不間斷電源高頻逆變電路、光伏逆變器、高頻車載正玄波AC220V逆變器、戶外儲能電源、變頻器、電焊機和工業縫紉機等各類硬開關。可替代其它品牌型號:FGH60N60SMD。

FHA60T65A的封裝形式是TO-247,其具有60A, 650V, VCEsat典型值:1.75V,<2.0V;IC (Tc=100℃):60A;Bvces:650V;IF (Tc=25℃):60A;IF (Tc=100℃):30A。

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高頻逆變電路已經廣泛應用于不間斷電源中。因此對于不間斷電源高頻逆變電路如何在元器件上面提升產品質量,除選用FGH60N60SMD型號外,還可以用飛虹半導體的國產型號:FHA60T65A型號參數來替代。






審核編輯:劉清

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原文標題:代換FGH60N60SMD,FHA60T65A參數在不間斷電源高頻逆變電路中適配使用!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導體,微信公眾號:廣州飛虹半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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