精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

使用DIC技術測量碳化硅SiC纖維束絲的力學性能—測試過程詳解

科準測控 ? 來源:科準測控 ? 作者:科準測控 ? 2023-04-20 10:41 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)纖維束絲是一種高性能、高溫材料,具有優(yōu)異的力學性能和高溫穩(wěn)定性,在航空航天、能源、化工等領域有廣泛的應用前景。為了更好地研究SiC纖維束絲的力學性能,需要進行拉伸測試,以獲取其拉伸性能參數(shù),如彈性模量、屈服強度和斷裂強度等。

然而,傳統(tǒng)的拉伸測試方法對SiC纖維束絲的破壞和損傷較大,難以準確測量其力學性能參數(shù)。近年來,隨著數(shù)字圖像相關技術的發(fā)展,數(shù)字圖像相關(DIC)技術被廣泛應用于材料力學性能測試中,特別是在纖維材料力學性能測試中,DIC技術可以準確測量材料表面的形變和位移,實現(xiàn)非接觸、無損傷的力學性能測試。

image.png

因此,本文科準測控小編將介紹DIC技術在SiC纖維束絲拉伸測試中的應用。通過DIC技術對SiC纖維束絲進行非接觸式力學性能測試,可以準確測量其拉伸性能參數(shù),并對SiC纖維束絲的微觀變形和破壞行為進行分析,為進一步優(yōu)化其力學性能提供理論依據(jù)。

一、測試目的

1、利用電子萬能試驗機對碳化硅纖維(SiC)束絲進行拉伸測試,獲取拉伸強度,彈性模量與斷裂點行程應變。

2、利用 DIC 實驗技術方法測試 SiC 纖維絲材料樣件在單軸拉伸測試中的彈性模量。

二、測試相關標準

本文參考了《GB/T 34520.3-2017 連續(xù)碳化硅纖維測試方法 第3 部分: 線密度和密度》中關于《GBT1446-2005 纖維增強塑料性能試驗方法總則》的要求

二、測試儀器(碳化硅SiC 纖維束絲拉伸測試)

1、儀器和夾具

A、萬能試驗機

image.png

B、氣動夾具

image.png

C、VIC-2D Gauge 視頻引伸計

image.png

VIC-2D Gauge 系統(tǒng)的測試過程主要分為四個步驟:

散斑制作:在實驗開始前,需要在被測的纖維絲樣件表面制作黑白分明的散斑;硬件設置:合理架設、并調整好相機系統(tǒng),;

軟件設置:設置系統(tǒng)采集參數(shù),包括采樣幀率、曝光時間、圖像分辨率,Gauge 點的添加,引伸計的添加;

數(shù)據(jù)計算:試驗機與視頻引伸計同步測量,并計算輸出實驗結果。

2、試驗條件

A、試驗溫度:室溫20°C左右

B、載荷傳感器:5KN (0.5 級)

C、試驗夾具:1KN氣動夾具

D、試驗速率:5mm/min

3、樣品前準備

試樣為已制備完成的碳化硅(Si) 束絲拉伸試樣,截面積為 0.12 mm2,標距 150 mm,束絲截面積為0.12mm2,無需后續(xù)處理。

夾具選用1KN 氣動雙推夾具,上下夾具分別夾住碳化硅纖維束絲的保護片部位,隨后開始試驗。

三、測試流程

1、根據(jù)《GB/T 34520.3-2017 連續(xù)碳化硅纖維測試方法第3 部分: 線密度和密度》中關于《GB/T 1446-2005纖維增強塑料性能試驗方法總則》中測試要求,設定預加載為 10 N,隨后開始以5 mm/min 速度加載直到碳化硅束絲試樣拉斷,測試結束,記錄測得的彈性模量,斷裂點載荷與最大應力。

image.png

2、本次試驗使用 VIC-2D Gauge 模塊對纖維絲樣件拉伸過程進行分析,實時查看樣件應變趨勢曲線;

3、試驗過程試驗機位移控制,單向拉伸樣件直至樣件斷裂,并記錄拉伸過程應力數(shù)據(jù)。8um 直徑纖維測試兩次,11um 直徑纖維絲測試兩次;

【小總結:綜上所述,使用電子萬能試驗機,配合使用1KN氣動拉伸夾具和VIC-2D Gauge 視頻引伸計能夠對應碳化硅(SiC)纖維束絲拉伸測試的要求,獲取應力·應變曲線和所需的彈性模量,拉伸強度,斷裂點行程應變等力學參數(shù),應用在碳化硅材料的研究與發(fā)展中可以發(fā)揮重要作用。】

以上就是小編介紹的DIC技術對碳化硅SiC 纖維束絲拉伸測試內容,希望可以給大家?guī)韼椭∪绻€想了解更多關于碳化硅SiC 纖維束絲的結構特點性能和用途、制備方法和束絲sic纖維增強鋁復合材料界面tem研究等問題,歡迎您關注我們,也可以給我們私信和留言,科準測控技術團隊為您免費解答!

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 測試
    +關注

    關注

    8

    文章

    5162

    瀏覽量

    126472
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2765

    瀏覽量

    62457
  • 試驗機
    +關注

    關注

    0

    文章

    1102

    瀏覽量

    16427
  • dic
    dic
    +關注

    關注

    0

    文章

    7

    瀏覽量

    989
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

    碳化硅SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨特的物理和化學性質。以下是對碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅具有極高的熔點,其熔點遠高于硅等傳統(tǒng)半導體材料
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:37 ?136次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導體對比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC)作為一種高性能的半導體材料,其制造工藝涉及多個復雜步驟
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?175次閱讀

    碳化硅SiC在電子器件中的應用

    隨著科技的不斷進步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅SiC)作為一種寬帶隙(WBG)半導體材料,因其卓越的電學
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:30 ?174次閱讀

    碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

    碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?145次閱讀

    1200V碳化硅sic功率器件測試及建模

    隨著電力電力電子技術逐漸向高壓大電流方向發(fā)展,傳統(tǒng)的 Si 基器件由于損耗大、開關速度慢、耐壓低等缺點逐漸被 SiC碳化硅)器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應用最為廣泛,小
    發(fā)表于 10-17 13:44 ?0次下載

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?418次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點和應用

    碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術來開發(fā)基于各種半導體器件的功率模塊,如雙極結晶體管(BJT)、結型場效
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?628次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)功率器件的開關<b class='flag-5'>性能</b>比較

    碳化硅模塊(SiC模塊/MODULE)大電流下的驅動器研究

    由于碳化硅SiC)MOSFET具有高頻、低損耗、高耐溫特性,在提升新能源汽車逆變器效率和功率密度方面具有巨大優(yōu)勢。對于SiC MOSFET功率模塊,研究大電流下的短路保護問題、高開關速度引起的驅動
    發(fā)表于 05-14 09:57

    SIC 碳化硅認識

    1:什么是碳化硅 碳化硅SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點是:化學
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:09 ?915次閱讀
    <b class='flag-5'>SIC</b> <b class='flag-5'>碳化硅</b>認識

    碳化硅芯片設計:創(chuàng)新引領電子技術的未來

    隨著現(xiàn)代電子技術的飛速發(fā)展,碳化硅SiC)作為一種新型的半導體材料,以其優(yōu)異的物理和化學性能,在功率電子器件領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:23 ?1098次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>芯片設計:創(chuàng)新引領電子<b class='flag-5'>技術</b>的未來

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37

    SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:18 ?1016次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的應用及<b class='flag-5'>性能</b>優(yōu)勢

    碳化硅的特性、應用及動態(tài)測試

    SiC碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:41 ?927次閱讀

    碳化硅的5大優(yōu)勢

    碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:47 ?1689次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的5大優(yōu)勢