引言

化學鍍鎳和銅工藝的應用對導體和絕緣體的金屬化技術產生了深遠的影響。印刷電路工業實際上是建立在無電鍍銅以不均勻的金屬厚度覆蓋絕緣體和導體的能力上的；同時，化學鍍鎳不僅廣泛用于涂覆復雜幾何形狀的物品，而且用于賦予由各種其他金屬和合金制成的部件硬度和耐磨性的工程特性。

在金沉積領域，特別是但不僅僅是在電子工業中，對復雜形狀的鍍金以及電絕緣的軌跡和焊盤有一致的要求。為此目的利用無電沉積工藝將是理想的。原則上，用于無電鍍金的系統應該與用于沉積賤金屬的系統一樣容易操作，使用具有長儲存和工作壽命的單一溶液，并且以大約3 qm/h或更高的合理速率沉積純金或已知成分的合金。然而，目前正在開發一些有前途的系統，并且正在出現一種更系統的方法來理解無電沉積中涉及的機制和反應。作者認為現有的工藝不適合連續生產，但有些工藝可用于一次性和小規模應用，并取得一致的成功。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

實驗

需要電鍍時，應使用耐鍍材料進行適當遮蓋。準備鍍液。當蒸餾水或木炭處理的de-到電鍍溶液(30)時。掩蔽材料的選擇是使用電離水，然而，這種厚度變化是不重要的，因為它的降解導致引入小于10%。可以有利地使用硼氫化物浴，它們是聚乙烯，例如被氫氧化鉀侵蝕，對過渡金屬或有機材料的污染敏感。

圖1

使用thc混合電勢理論，可采用兩種技術來確定thc沉積速率。這些是安全曲線外推(或交叉)技術和極化電阻(有時稱為線性極化)技術。使用從陽極和/或陰極極化測量中獲得數據。當極化曲線(陽極或陰極)與混合電位相交時，相應的電流被用來確定沉積速率(圖1)。從圖1中可以看出，在p電位下，陽極和陰極電流相等(也就是說，金屬離子還原成金屬的速率等于還原劑的氧化速率。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

結果和討論

無電溶液的攪動似乎施加了一些對電鍍速度的莫名影響。如果沉積速率僅受極化行為控制，并且陽極或陰極(或兩者)反應受擴散控制(圖2)，那么沉積速率預計會隨著溶液攪拌而增加。在圖2(a)中，還原過程受擴散控制，曲線1至6對應于相對溶液速度為1至6時的極限擴散電流密度。速度對沉積速率的影響可以在圖3(b)中看到。當相對速度從1增加到4時，沉積速率從A到D連續增加。然而，隨著速度進一步增加，還原反應變得受活化控制，并且在非常高的值下，沉積速率變得與速度無關。當速度從4增加到6時，沉積速率保持固定在e點。

圖2

圖3

結論

在實踐中發現，這種鍍液具有相對較短的工作壽命。在大約1小時內，浴開始分解，金屬金沉淀。2 km/h的初始沉積速率隨著分解而迅速降低。對配方的考慮表明，過量的氰化物限制金絡合物的離解可能會抑制金的分解。用過量的氰化物確實獲得了更穩定的體系，但以犧牲沉積速率為代價。進一步添加兩種穩定劑EDTA和乙醇胺似乎有利于提高沉積速率而不降低鍍液穩定性。通過經驗方法，開發了一種配方，該配方在8小時的工作日內產生1.5千米/小時的持續沉積速率。研究表明，鍍液中的金含量減少到50%是可以接受的，而金沉積速率不會顯著降低。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

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審核編輯：湯梓紅