LD芯片結(jié)構(gòu)

法布里-珀羅型LD是由n/p包層、夾在包層之間的有源層（發(fā)光層） 和2片鏡片端面構(gòu)成。

由于包層材料的禁帶寬度比有源層寬，因此將載體（電子和空穴）能量性的封閉起來(lái)。并且，由于包層材料的折射率比有源層小，因此光也封閉在有源層內(nèi)。（與光纖的原理相同）

有源層和包層由納米級(jí)可控的外延生長(zhǎng)生產(chǎn)，條形（電極）以微米級(jí)可控的光刻法制作。

【激光二極管的芯片結(jié)構(gòu)】

法布里-珀羅型LD：

一種最簡(jiǎn)單的激光二極管的結(jié)構(gòu)。

外延生長(zhǎng)：

薄膜結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)的一種，在原有晶片上進(jìn)行生長(zhǎng)，使之以電路板結(jié)晶面一致的結(jié)晶排列生長(zhǎng)。

光刻法：

一種將涂敷了感光性物質(zhì)的表面曝光，利用曝光部分和未曝光部分生成圖案的技術(shù)。