隨著多芯片系統(tǒng)在半導(dǎo)體領(lǐng)域變得越來越普遍,通用小芯片互連高速(UCIe)規(guī)范正在成為焦點(diǎn)。
由于其對(duì)高帶寬和高性能的支持,以及其靈活性,UCIe有望成為引領(lǐng)新一輪創(chuàng)新浪潮的黃金標(biāo)準(zhǔn)。
傳統(tǒng)的單片 SoC 正在達(dá)到超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 和高性能計(jì)算 (HPC) 等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的功耗、性能和面積 (PPA) 限制。響應(yīng)號(hào)召的是多芯片系統(tǒng),由單個(gè)芯片或小芯片組成,通過支持離散功能或乘以單個(gè)芯片的功能來擴(kuò)展性能。它們集成在標(biāo)準(zhǔn)或高級(jí)包中。
雖然單片芯片正在接近制造上限,但多芯片系統(tǒng)可以提供更多的系統(tǒng)功能、增強(qiáng)的 PPA、更好的良率以及更低的成本來支持先進(jìn)的設(shè)計(jì)。UCIe 為可定制的、基于標(biāo)準(zhǔn)的封裝級(jí)小芯片集成提供了支持。一個(gè)開放的規(guī)范,它定義了封裝內(nèi)小芯片之間的互連。其特性非常適合多芯片系統(tǒng)的要求。
支持當(dāng)今和未來的帶寬需求
雖然已經(jīng)出現(xiàn)了幾種不同的標(biāo)準(zhǔn)來解決多芯片系統(tǒng)的挑戰(zhàn),但UCIe是唯一具有芯片間接口完整堆棧的標(biāo)準(zhǔn)。該規(guī)范支持 2D 和 2.5D 包,預(yù)計(jì)未來將推出 3D 包。其他標(biāo)準(zhǔn)僅關(guān)注協(xié)議棧的特定層,缺乏確保實(shí)現(xiàn)之間互操作性的完整芯片到芯片接口的全面規(guī)范。
UCIe 適用于當(dāng)今每個(gè)引腳 8 Gbps 至 16 Gbps 的大部分設(shè)計(jì);它還支持每個(gè)引腳 32 Gbps 的設(shè)計(jì),適用于未來的高帶寬應(yīng)用,如網(wǎng)絡(luò)和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。有兩種封裝變體可供選擇。用于高級(jí)封裝的UCIe支持硅中介層、硅橋和再分布層(RDL)扇出,而用于標(biāo)準(zhǔn)封裝的UCIe支持有機(jī)襯底和層壓板。
UCIe 堆棧本身由三層組成。頂部是協(xié)議層,它通過基于流控制單元(基于 FLIT)的協(xié)議實(shí)現(xiàn)確保最大效率和減少延遲。協(xié)議層支持常用規(guī)范,包括 PCI Express? (PCIe?)、計(jì)算快速鏈路 (CXL) 和/或用戶定義的流式處理協(xié)議。在第二層,協(xié)議進(jìn)行仲裁和協(xié)商,鏈路管理通過芯片到芯片適配器進(jìn)行。該層實(shí)現(xiàn)基于循環(huán)冗余校驗(yàn) (CRC) 和重試機(jī)制的錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正功能。PHY 標(biāo)記第三層,指定與封裝介質(zhì)的電氣接口。在PHY層中,電模擬前端(AFE)、發(fā)射器和接收器以及邊帶通道允許兩個(gè)芯片之間進(jìn)行參數(shù)交換和協(xié)商。Logic PHY 實(shí)現(xiàn)了鏈路初始化、訓(xùn)練和校準(zhǔn)算法以及測(cè)試和修復(fù)功能。
經(jīng)過驗(yàn)證的 IP 如何實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的芯片間鏈路
為了簡(jiǎn)化UCIe在多芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員可以轉(zhuǎn)向PHY、控制器和驗(yàn)證IP。PHY IP 支持標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)封裝選項(xiàng),可提供靈活性,而在高級(jí) FinFET 工藝中,可支持高帶寬、低功耗和低延遲的芯片間連接。控制器 IP 支持與 PCIe 和 CXL 等常用協(xié)議一致的解決方案,并可通過流協(xié)議實(shí)現(xiàn)延遲優(yōu)化的片上網(wǎng)絡(luò) (NoC) 到 NoC 鏈路;例如,橋接到 CXS 接口和 AXI 接口。最后,在全棧的每一層支持各種被測(cè)設(shè)計(jì) (DUT) 的驗(yàn)證 IP 有助于加快運(yùn)行時(shí)間,以及設(shè)計(jì)的調(diào)試和覆蓋收斂。
正確的 PHY、控制器和驗(yàn)證 IP 集可以帶來可靠、穩(wěn)健的芯片間鏈路,具有低延遲和高能效。針對(duì)已知良好芯片的內(nèi)置可測(cè)試性功能以及用于糾錯(cuò)的 CRC 或奇偶校驗(yàn)檢查支持芯片良率和質(zhì)量目標(biāo)。
審核編輯:郭婷
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