Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016
Netsol在STT-MRAM領域，處于領先地位。基于在內存相關領域的豐富開發經驗以及低成本、超小型和低功耗內存解決方案設計的專業知識、為工業自動化、網絡系統、醫療、游戲、企業數據中心和物聯網設備等廣泛領域的各種應用程序，提供最優化的定制內存解決方案。
我司英尚微官方代理供應商提供的Netsol型號S3R8016并口STT-MRAM是一個容量8Mbit，具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8 I/O模式。采用工業標準44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封裝。
其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性，它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
審核編輯黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關注
關注
38文章
7452瀏覽量
163599 -
非易失存儲
+關注
關注
0文章
2瀏覽量
5493 -
MRAM
+關注
關注
1文章
236瀏覽量
31698
發布評論請先 登錄
相關推薦
TPL1401數字電位器易失性和非易失性的區別是什么？
數字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設當前已經調節好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態位置，不再是3.5kΩ這個位置了。“非
發表于 11-21 07:15
新思科技助力優化MRAM與RRAM的開發流程
嵌入式閃存及其對應的離片NOR閃存，在非易失性內存領域（即用于持久性或長期數據存儲）多年來占據著標準地位。然而，隨著工藝技術尺寸縮小至28nm以下，這些傳統內存技術在支持方面顯得力不從
ram存儲器和rom存儲器的區別是什么
非易失性存儲器，主要用于存儲固件、操作系統和其他重要數據。 存儲方式： RAM存儲器使用動態存儲器（DRAM）或靜態
中芯國際獲非易失性存儲裝置及其制作方法專利
該專利涉及一種新型非易失性存儲裝置及其制作工藝。具體而言，其步驟如下：首先，制備包含器件區與非器件區的基底；接著，在基底上依次沉積第一電極材
韓國研究團隊開發新型超低功耗存儲設備
DRAM是最常用的存儲器之一，速度非常快，但具有易失性特性，當電源關閉時，數據會消失。NAND閃存是一種存儲設備，讀/寫速度相對較慢，但它具有非
發表于 04-08 11:07
?311次閱讀
昂科燒錄器支持GOWIN高云半導體的非易失性FPGA GW2AN-UV9XUG256
。 GW2AN-UV9XUG256是高云半導體晨熙?家族第一代具有非易失性的FPGA產品，內部資源豐富，高速LVDS接口以及豐富的BSRAM存儲器資源、NOR Flash資源，這些內嵌
有了2D NAND，為什么要升級到3D呢？
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
MCU制程工藝邁進28nm時代，汽車行業的創新之路
瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術開發出具有快速讀寫能力的測試芯片。該MCU 測試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲單元陣列。
發表于 03-05 10:05
?2081次閱讀
瑞薩電子宣布已開發具有快速讀寫操作的測試芯片MRAM
瑞薩電子公司日前宣布，該公司已開發出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術，以下簡稱MRAM）具有快速讀寫操作的測試芯片。
臺積電引領新興存儲技術潮流，功耗僅為同類技術的1%
MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發難度高，目前主要分為兩大類：傳統MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅動，后者則采用自旋極化電流驅動。
發表于 01-22 10:50
?482次閱讀
臺積電和ITRI成功研發SOT-MRAM，功耗僅為STT-MRAM的百分之一
鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用對更高效率、穩定性和更低功耗的內存的需求愈發緊迫，如磁阻式隨機存取內存（MRAM）這樣的新一代內存技術已成為眾多廠商爭相研發的重點。
工商網監
評論