引言

微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。

硅被廣泛應用于許多領域，因為除了其他優點之外，它還便宜且堅固。它與濕法化學蝕刻兼容，濕法化學蝕刻被廣泛用于制造從簡單空腔到復雜圖案的各種結構。這項技術的主要優點包括低成本和易于使用，因此它可以幫助降低制造成本，從而降低最終產品的成本。

實驗和討論

微孔結構在Si(100)晶片(厚度，300μm)上制造。基底的兩面都被拋光，因為溶液很容易滲透到粗糙的表面。圖1概述了濕法化學蝕刻的步驟。通過場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)研究所得微孔結構的形狀和深度，并通過原子結構觀察分析蝕刻機理。

圖1：Si(100)濕法化學腐蝕概述

圖2展示了在不同溫度下進行濕法蝕刻后的Si(100)的橫截面圖像各種持續時間。圖中頂部(a、d、g)、中部(b、e、h)和底部(c、f、I)行的樣品分別用KOH (20%)蝕刻2、4和6小時。蝕刻隨著溫度的升高而加速。在70℃下6小時后，80℃下4小時后和90℃下3小時后底物出現孔。在這些條件下，蝕刻深度超過300μm的基材厚度。隨著時間的推移，孔變得更深且通常更寬。在70、80和90℃條件下，側向蝕刻速率平均分別為3、11和20.25μm/h。在70℃時幾乎沒有變化，但在80℃時急劇增加。

圖2：Si(100)的橫截面圖像

結論

英思特用KOH (20%)溶液在70、80和90℃下對Si(100)晶片進行濕化學腐蝕，腐蝕時間不同。這種方法不需要昂貴的設備或相當長的時間，并且可以產生大量微孔，它對時間和溫度的敏感性使得能夠在相對簡單的過程中獲得特定深度和寬度的孔。使用該工藝制造的微孔結構提供了有趣的功能，以及作為形成表面等離子體的元件具有潛在應用。

江蘇英思特半導體科技有限公司主要從事濕法制程設備，晶圓清潔設備，RCA清洗機，KOH腐殖清洗機等設備的設計、生產和維護。

審核編輯：湯梓紅