等離子蝕刻可能是半導(dǎo)體制造中最重要的工藝，也可能是僅次于光刻的所有晶圓廠操作中最復(fù)雜的工藝。將近一半的晶圓廠步驟依靠等離子體（一種高能電離氣體）來完成工作。

盡管晶體管和存儲單元不斷縮小，工程師們?nèi)栽诶^續(xù)提供可靠的蝕刻工藝。

“為了可持續(xù)地制造具有納米級精度和正確成本結(jié)構(gòu)的芯片，晶圓廠設(shè)備制造商需要突破等離子體物理學(xué)、材料工程和數(shù)據(jù)科學(xué)的界限，以提供所需的設(shè)備解決方案，”Lam Research公司的蝕刻產(chǎn)品組營銷副總裁 Thomas Bondur 說。這一點在等離子蝕刻中表現(xiàn)得最為明顯，等離子蝕刻與光刻技術(shù)攜手合作，在晶圓上創(chuàng)建精確、可重復(fù)的特征。

本文談及了 3D NAND、DRAM、納米片 FET 和互連中的關(guān)鍵蝕刻步驟，并展望了 2D 設(shè)備和低預(yù)算后端處理。該行業(yè)還在尋求更具可持續(xù)性的蝕刻化學(xué)品，以減少其工廠的等效而養(yǎng)護(hù)毯排放量。

對于許多工具制造商來說，工藝建模在蝕刻工藝開發(fā)中起著舉足輕重的作用。目標(biāo)是縮短上市時間，同時降低晶圓和掩模成本。

“對一些最棘手的步驟進(jìn)行蝕刻工藝優(yōu)化可能需要一年或更長時間才能完成，”Lam Research 高級營銷總監(jiān) Barrett Finch 說。“我們最近在三周內(nèi)完成了一些過程模擬工作，如果使用典型的基于硅的測試和開發(fā)，預(yù)計需要三個月的時間。”

光是設(shè)備制造商的光罩和晶圓成本，就可能達(dá)到數(shù)十萬甚至數(shù)百萬美元。

蝕刻基礎(chǔ)

蝕刻工藝與光刻工藝密切相關(guān)。蝕刻之前通常先進(jìn)行薄膜沉積（通過外延、化學(xué)或物理氣相沉積等）。通常，CVD薄膜涂有光刻膠，然后使用光刻（248nm 或 193nm UV、13.5nm EUV）通過圖案化的掩模版（掩模）曝光，光刻作用產(chǎn)生了圖層。在單晶圓等離子蝕刻室中，通常蝕刻化學(xué)品和離子轟擊并去除光刻膠沒有反應(yīng)的CVD 薄膜（在正膠中）。蝕刻后，光刻膠灰化、濕法化學(xué)清洗和/或濕法蝕刻去除殘留物。

等離子蝕刻工藝可大致分為電介質(zhì)、硅或?qū)w蝕刻。二氧化硅和氮化硅等電介質(zhì)最好使用氟化氣體蝕刻，而硅和金屬層與氯化學(xué)反應(yīng)最好?；旧洗嬖谌N干法蝕刻模式——反應(yīng)離子蝕刻（reactive ion etching）、等離子蝕刻（plasma etching）和濺射蝕刻（ sputter etch：ion beam）。蝕刻工藝都是關(guān)于化學(xué)反應(yīng)物、等離子體和晶圓材料之間復(fù)雜的相互作用。當(dāng) RF bias應(yīng)用于反應(yīng)性氣體時，電子和帶正電的離子轟擊晶圓以物理去除（蝕刻）材料，同時化學(xué)物質(zhì)和自由基與暴露的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性副產(chǎn)物。蝕刻可以是各向同性的（垂直和水平反應(yīng)相等），

圖1：從 finFET 到 GAA 的過渡推動了關(guān)鍵的各向同性選擇性蝕刻要求

蝕刻工程師最關(guān)心的指標(biāo)是蝕刻速率（etch rate）、輪廓控制（profile control）、均勻性（整個晶圓）和蝕刻選擇性（etch selectivity），因為這些會影響良率和生產(chǎn)率。蝕刻選擇性只是您要蝕刻的材料相對于其底層的去除率——例如，硅上的SiO 2 。在蝕刻過程中，不要去除過多的光致抗蝕劑也是有利的。但在這種情況下，通常會先將圖案轉(zhuǎn)移到硬掩模（二氧化硅、氮化硅、SiOC、TiN）上，然后再轉(zhuǎn)移到底層薄膜上。

選擇性規(guī)格從 2:1 到 1,000:1（高選擇性蝕刻）不等。隨著每個新節(jié)點的出現(xiàn)，這些規(guī)范變得更加嚴(yán)格?！半S著High NA EUV 在未來四年內(nèi)開始取代常規(guī) EUV，焦點要低得多，所以你不能再曝光厚光刻膠——我指的是 30 納米厚，” imec干法蝕刻研發(fā)工程師 Philippe Bézard 說?！暗闳匀恍枰谙旅鎴D案化相同的薄膜厚度。所以現(xiàn)在你要求更高的選擇性，而不是 2:1，我們必須達(dá)到更接近 10:1，這是選擇性突然提高 4 到 5 倍。”

從概念驗證 (POC：proof of concept) 到大批量制造 (HVM)

Bézard描述了蝕刻工藝開發(fā)的三個階段：

確定執(zhí)行蝕刻所需的蝕刻機(jī)、氣體、輔助層等；

展示在規(guī)格范圍內(nèi)完全去除薄膜的性能，并在一個晶圓上保持工藝均勻性；

確定如何在 HVM 中以高產(chǎn)量和小漂移在數(shù)千個晶圓上重復(fù)該過程；

通常，熟練的蝕刻和集成工程師會處理開發(fā)的前兩個階段。第三階段可能會再次利用工程專業(yè)知識，但機(jī)器學(xué)習(xí)可以提供幫助。

“一般來說，機(jī)器學(xué)習(xí)和數(shù)據(jù)分析只在第三階段有用，”他說?！八浅?qiáng)大，因為它可以訪問大量數(shù)據(jù)，并且可以理解一百萬個相互作用的微小、簡單的事物。因此，對于人腦來說，試圖解決這個問題非常困難，但對于計算機(jī)程序而言，它更易于管理。但如果你有一個新的應(yīng)用程序、新的蝕刻材料或新的集成，它并沒有顯示出比人類有任何改進(jìn)。”

ML 的使用還與制造成本有關(guān)，因為在第三階段使用了數(shù)千個晶圓——至少比第一和第二階段使用的晶圓大一個數(shù)量級。

Lam Research 蝕刻產(chǎn)品組高級總監(jiān) Barrett Finch 將新工藝探索描述為從標(biāo)稱工藝流程和布局中進(jìn)行概念驗證，并在晶圓上開發(fā)一個或多個工作設(shè)備。然后將該 POC 轉(zhuǎn)移到晶圓廠的產(chǎn)品開發(fā)團(tuán)隊，以擴(kuò)大流程并提高良率。

Finch說：“將名義上的概念驗證轉(zhuǎn)變?yōu)榭尚械母呤找娈a(chǎn)品所需的工作量往往被低估，這與盈利能力存在巨大差距?！薄肮に嚧翱诮Ｔ噲D通過在研發(fā)尋路的早期階段引入工廠變化來縮小這一差距。” 他建議虛擬 DOE 和基于 Monte Carlo 的分析跨多個過程參數(shù)，通過模擬預(yù)期的可變性來測試 POC。

“工藝窗口建?？梢曰卮疬@個問題，我必須保持什么樣的 CD 或可變性水平才能達(dá)到最低設(shè)備性能和良率？'我們已經(jīng)在幾天內(nèi)完成了超過 100 萬個虛擬晶圓的虛擬工藝窗口測試，這在現(xiàn)實生活中是不可能完成的，”他說。

多個參數(shù)影響蝕刻速率（rate）、輪廓（profile）和選擇性（selectivity）。一個關(guān)鍵是溫度?！拔覀兊目蛻粼诳刂莆g刻速率、選擇性和蝕刻輪廓時看到了熱效應(yīng)對蝕刻加工的影響。Lam Research 半導(dǎo)體工藝和集成工程高級經(jīng)理 Benjamin Vincent 表示，所有這些參數(shù)都會影響器件產(chǎn)量和晶圓廠生產(chǎn)率。他認(rèn)為，當(dāng)一個工藝步驟具有多種可能的配置（工藝空間很大），或者該步驟的下游結(jié)果高度不可預(yù)測時，模擬可能特別有用。

Esgee Technologies 的產(chǎn)品營銷經(jīng)理 Alex Guermouche 表示：“蝕刻工藝依賴于晶圓的表面溫度，而這又取決于多種熱通量——包括熱傳導(dǎo)、離子碰撞能量、表面反應(yīng)和等離子體輻射熱通量。”“因此，等離子體模型需要結(jié)合所有這些物理特征，以準(zhǔn)確描述晶圓表面的溫度變化。工藝模擬軟件可以對一系列蝕刻屬性進(jìn)行建模，使我們能夠更快地獲得更好的蝕刻結(jié)果，并加快客戶提高產(chǎn)量或優(yōu)化產(chǎn)量的能力?！?/p>

蝕刻工藝的精確計時

對于更緊密的幾何形狀和更薄的薄膜，需要在蝕刻速率與對其他操作參數(shù)的良好控制之間取得平衡。

“隨著設(shè)計規(guī)則的縮小，許多蝕刻工藝正在轉(zhuǎn)向非常快速的等離子體蝕刻工藝步驟，這需要對所有反應(yīng)輸入進(jìn)行高度精確的控制：功率、壓力、化學(xué)和溫度，”Finch 說，并指出優(yōu)化等離子體的趨勢脈沖行為產(chǎn)生特定的離子與中性比，然后清除副產(chǎn)物。“此類條件的高級建模對于實現(xiàn)進(jìn)一步的設(shè)備縮放至關(guān)重要。”

一段時間以來，蝕刻系統(tǒng)制造商一直在使用建模軟件來加快下一個節(jié)點的開發(fā)或提高產(chǎn)量?？紤]到該過程及其所有變量的絕對復(fù)雜性，這并不奇怪。

“在開發(fā)下一節(jié)點技術(shù)時，根本沒有足夠的時間或足夠的晶圓來執(zhí)行所有可能的工藝實驗，”Finch 說。“蝕刻設(shè)備設(shè)置組合的數(shù)量可能達(dá)到數(shù)百萬，甚至數(shù)十億，使用所有工藝可能性的強(qiáng)力晶圓開發(fā)是根本不可能的?！?/p>

當(dāng)然，所有好的模型都是在實際芯片上驗證的?！耙粋€準(zhǔn)確的模型應(yīng)該具有預(yù)測性，它應(yīng)該解決用戶想要解決的目標(biāo)問題，”Finch說?！懊看胃鶕?jù)模擬工作推薦工藝或設(shè)計變更時，實際的晶圓廠數(shù)據(jù)應(yīng)該反映推薦的結(jié)果。在我們的案例中，我們已經(jīng)能夠使用基于模型的結(jié)果準(zhǔn)確預(yù)測流程變化的影響，并快速解決困難的流程和技術(shù)開發(fā)問題?！?/p>

工具供應(yīng)商還致力于先進(jìn)的蝕刻工藝，以更緊密地集成生產(chǎn)線，并將曾經(jīng)的雙掩模級工藝（兩個光刻步驟）轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€工藝，以簡化工藝并降低成本。

Bézard 說：“公司沒有采用現(xiàn)有的硬件來讓瑞士軍刀裝備得更好，而是引入了特定于應(yīng)用程序的技術(shù)，例如解決尖端問題的新系統(tǒng)?！?目的是使彼此面對的兩條線靠得更近，目前這涉及線圖案化步驟，然后是切割掩模。“應(yīng)用材料公司和其他公司正在推出的是一種在水平方向上直接蝕刻的方法?！?這樣的過程也可以加寬通孔。

納米片 FET 的蝕刻步驟

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。

溝道釋放步驟至關(guān)重要?！凹{米片的釋放需要極高的選擇性，”Bézard 說?！按蠖鄶?shù)納米片是硅，然后是硅鍺和硅。你有交替層，你需要刪除一個而不修改另一個?！?一些出版物已經(jīng)討論了執(zhí)行多步驟 SiGe 蝕刻以減少由單個蝕刻步驟引起的結(jié)構(gòu)應(yīng)力。

該制程的下一步是形成自對準(zhǔn)觸點?！霸谶@里，我們試圖做的基本上是蝕刻二氧化硅，而不是接觸或凹陷氮化硅。比方說，目前的規(guī)格是 3nm 凹陷，但人們要求零損失，”Bézard 說。“在這種情況下，我們甚至沒有使用選擇性這個詞。我們只是談?wù)撔輹╮ecess）——而且是零休會（zero recess）?！?/p>

3D NAND

對于3D NAND閃存，層數(shù)不斷增加，未來需要采用多個堆疊層，最終創(chuàng)建堆疊設(shè)備的垂直串?！按送猓S著層數(shù)的增加，為了繼續(xù)增加位密度，有很大的動力來縮放層的字線間距或垂直/Z 間距，”TEL的技術(shù)總監(jiān)和高級技術(shù)人員 Robert Clark說。“從工藝的角度來看，蝕刻和沉積工藝將需要不斷改進(jìn)，以適應(yīng)持續(xù)縮放所需的越來越小的關(guān)鍵尺寸和越來越高的縱橫比。”

Clark描述了未來的變化?！爸塾诙鄬与姾上葳迤骷南冗M(jìn)節(jié)點，需要對柵極堆疊進(jìn)行工程設(shè)計，以實現(xiàn)更短的柵極長度、每個單元更多的電平和更高的編程效率——可能通過采用高 k 材料。未來也可能需要更高導(dǎo)電率的通道來取代多晶硅通道，”他說。

3D NAND 中最關(guān)鍵的蝕刻之一涉及通過多層氧化物-氮化物堆棧（200 層以上）深度蝕刻約 100 納米的孔，深度可達(dá) 10 微米。Imec 的 Bézard 說這個蝕刻步驟特別昂貴。

“我們有一種物理現(xiàn)象發(fā)生，稱為差異充電效應(yīng)（ differential charging effect），”他說?！霸诘入x子體中，我們有電子、離子和中性物質(zhì)可以簡化很多。電子向各個方向移動，但離子垂直于表面加速。所以你在孔的底部有正電荷，在頂部有負(fù)電荷，你會得到一個試圖排斥進(jìn)入的離子的電場?！?/p>

結(jié)果，需要高功率水平來完全蝕刻溝槽。“我們正試圖在沒有電弧的情況下維持 30 到 50 gigawatts的功率，因此卡盤必須經(jīng)過極好的拋光和制造，”他說。

深蝕刻還會產(chǎn)生需要最小化的應(yīng)力，特別是因為多層 NAND 制造隨后需要晶圓減薄、精確對準(zhǔn)和與下一層的混合鍵合。

其他工藝

并非所有芯片制造商都生產(chǎn)需要 EUV 光刻的尖端芯片。許多晶圓廠正在擴(kuò)展其 193 納米光刻和蝕刻工藝。

“我們有一種最近開始推出的高溫 SOC 材料，它可以擴(kuò)展其圖案化能力并能承受更高的溫度，無論它是用作 CVD 層還是掩模的底層，”Brewer Science半導(dǎo)體產(chǎn)品多元化總監(jiān) Brian Wilbur 說。

預(yù)計最緊密金屬線的BEOL將經(jīng)歷從雙鑲嵌集成方案到除銅以外互連的減法沉積和蝕刻的巨大轉(zhuǎn)變。在這里，兩種金屬——釕和鉬——得到了最徹底的開發(fā)。然而，鉬在蝕刻過程中更容易氧化，使其更適合雙鑲嵌方案。釕是一種貴金屬，因此不存在同樣的腐蝕問題，但成本更高。

設(shè)備結(jié)構(gòu)也變得不能容忍邊緣放置錯誤。據(jù) TEL 的 Clark 稱，將需要新的層與層之間以及通孔和線路之間的自對準(zhǔn)方案?！暗谝粋€實施可能是用于 DRAM 中的埋字線，以及用于邏輯的小間距 MOL 金屬層，這些地方需要更高的熱穩(wěn)定性以及更低的電阻率或無襯墊金屬?！?/p>

下一代發(fā)展

從長遠(yuǎn)來看，該行業(yè)理想情況下將過渡到較低熱預(yù)算的后端工藝（接近 300°C 而不是 400°C），以便將設(shè)備集成到后端互連層中。

“該行業(yè)確實需要開始將設(shè)備構(gòu)建到更多層中，”TEL 的Clark說?！斑@意味著我們需要在 BEOL 熱預(yù)算內(nèi)在 BEOL 內(nèi)構(gòu)建內(nèi)存和邏輯設(shè)備?！?/p>

到目前為止，使用半導(dǎo)體氧化物制造的設(shè)備看起來很有前途，既可以用于將存儲設(shè)備集成到邏輯 BEOL 流程中，也可以用于在 DRAM 的存儲陣列之上構(gòu)建 CMOS 陣列。

另一個重大轉(zhuǎn)變涉及二維材料的集成，研究機(jī)構(gòu)和領(lǐng)先的芯片制造商已經(jīng)開始對其進(jìn)行測試。正在考慮對二硫化鎢或二硫化鉬等材料進(jìn)行蝕刻工藝。這些薄膜由單層材料組成，因此開發(fā)集成它們的制造工藝極具挑戰(zhàn)性。

可持續(xù)性

芯片制造商和材料供應(yīng)商正在尋求替代化學(xué)品以減少碳排放。在蝕刻中，罪魁禍?zhǔn)资蔷哂懈呷蜃兣瘽撃苤档姆瘹怏w。

“有問題的 PFOS（全氟辛烷磺酸）的一個原因是因為分子非常穩(wěn)定，”imec 的 Bézard 說?！按髿庵械墓饣蚧瘜W(xué)反應(yīng)不足以分解它?！彼f，許多含氧量較高的替代氣體混合物更容易分解，并且具有較低的 GWP。“然而，任何候選人都必須提供同樣好的甚至更高的表現(xiàn)才能開始?！?/p>

但可持續(xù)性并不是蝕刻或沉積的特別挑戰(zhàn)。這是從光刻到封裝的整體行業(yè)挑戰(zhàn)，其中新材料的影響影響整個設(shè)備處理。

編輯：黃飛