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      導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

      益登科技 ? 來源：益登科技 ? 2023-06-02 16:03 ? 次閱讀

      寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG) 是具有更大帶隙的半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體功率器件可適用于更高的電壓操作，更大的功率，且適合用于高溫環(huán)境。在設(shè)計(jì)下一代高性能電源方案時(shí)，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是目前熱門且可靠的 WBG 材料選擇。

      益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢壘二極管，以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗，搭配 PFC 和 LLC 二合一數(shù)字控制器，在重負(fù)載和輕負(fù)載條件下均有優(yōu)異的效率表現(xiàn)，并且擁有全面的保護(hù)功能，包含過壓保護(hù)、過流保護(hù)、開環(huán)保護(hù)等，為用戶提供了穩(wěn)定且可靠的電源供應(yīng)器。憑借寬帶隙半導(dǎo)體的高功率密度特性，我們的解決方案適用于工業(yè)設(shè)備、電競 PC、電動(dòng)自行車等電源供應(yīng)需求。

      益登科技代理廣泛的電源產(chǎn)品線，為我們的客戶提供整體解決方案，以降低設(shè)計(jì)成本、加快上市時(shí)間并確保良好的質(zhì)量。聯(lián)系我們以了解更多關(guān)于我們的電源解決方案。

      解決方案框圖

      b507d016-fbcb-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

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      審核編輯 ：李倩

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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      原文標(biāo)題：導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

      文章出處：【微信號(hào)：gh_35b6c826f6e2，微信公眾號(hào)：益登科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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