霍爾效應是電磁效應的一種，霍爾系數和電導率的測量已成為研究半導體材料的主要方法之一。霍爾效應實驗是指為了解霍爾效應測量磁場原理而進行的實驗。

實驗的目的主要有：

1． 通過實驗掌握霍爾效應基本原理，了解霍爾元件的基本結構；

2． 學會測量半導體材料的霍爾系數、電導率、遷移率等參數的實驗方法和技術；

3． 學會用“對稱測量法”消除副效應所產生的系統誤差的實驗方法。

4． 學習利用霍爾效應測量磁感應強度及磁場分布。

儀器與裝置：霍爾效應實驗儀

霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和知名度。儀器輕巧方便，易于攜帶。

可測試材料:

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。

審核編輯黃宇