以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產品提供飛躍的機遇。

碳化硅(SiC)電力電子器件是指采用第三代半導體材料SiC制造的一種寬禁帶電力電子器件，具有耐高溫、高頻、高效的特性。按照器件工作形式，SiC電力電子器件主要包括功率二極管和功率開關管。

碳化硅半導體的優異性能使得基于碳化硅的電力電子器件與硅器件相比具有以下突出的優點：

具有更低的導通電阻；

具有更高的擊穿電壓；

更低的結-殼熱阻，使得器件的溫度上升更慢；

更高的極限工作溫度，碳化硅的極限工作穩定可有望達到600℃以上，而硅器件的最大結溫僅為150℃；

更強的抗輻射能力；

更高的穩定性，碳化硅器件的正向和反向特性隨溫度的變化很小；

更低的開掛損耗。

目前國內多家廠商已經實現高功率碳化硅肖特基二極管、功率晶體管、SiC Mosfet模塊的量產。未來隨著SiC功率器件在新能源汽車、能源、工業、通訊等領域滲透率提升，全球SiC功率器件市場規模有望持續提升。

如何來量測這些SiC器件的熱特性參數以及評估模塊的可靠性壽命等信息，成了這些廠商研發或實驗室人員的必做的實驗項目。

Siemens MicReD Power Tester功率循環測試設備可以幫助客戶解決這些問題。通過業內獨有的MicReD T3Ster瞬態熱測試技術，能夠精確量測SiC 器件的K系數、結溫、瞬態熱阻抗、結殼熱阻值等熱特性參數。

Power Tester首次同時集成了自動功率循環、熱測試以及結構函數分析功能，客戶只需要一個平臺就能夠對半導體器件進行瞬態熱測試及可靠性研究（一機兩用：一種設備兩種用途，提高設備性價比）。

Power Tester可以用于幫助客戶加速完成封裝結構研發、可靠性測試以及可靠性篩選等工作。 作為大功率半導體器件瞬態測試和功率循環測試測量行業的標桿和引領者，具有其他同類設備無法比擬的重大優勢。

Power Tester功率循環測試設備可以通過功率循環測試實驗來幫助用戶實現考察SiC功率器件的可靠性和評估器件的壽命。

Power Tester在功率循環過程中實時監控電流（包括柵極電流）、電壓以及結溫等參數，并定期執行熱瞬態測試，利用結構函數分析循環過程中封裝結構的改變和缺陷等。

雖然碳化硅電力電子器件目前還存在如產量低、價格高、商業化器件種類少和缺乏高溫封裝等問題，但隨著碳化硅電力電子器件技術的研究的不斷深入，這些問題將逐漸得到解決，更多更好的商用碳化硅電力電子器件將推向市場，必將大大拓展碳化硅電力電子器件的應用領域。 在不久的將來，碳化硅功率器件將成為各種變換器應用領域中減小功率損耗、提高效率和功率密度的關鍵器件。

貝思科爾（BasiCAE），專注于為國內高科技電子、半導體、通信等行業提供先進的電子設計自動化（EDA）、工程仿真分析（CAE）、半導體器件熱阻（Rth）及功率循環（Power Cycling）熱可靠性測試，以及研發數據信息化管理的解決方案和產品服務。