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RA6快速設(shè)計指南 [5] 時鐘電路 (3)

瑞薩MCU小百科 ? 來源:未知 ? 2023-06-12 12:25 ? 次閱讀

5

時鐘電路

5.5 時鐘設(shè)置示例

Renesas FSP為RA6 MCU提供了一個簡單的可視化時鐘配置工具,如下所示。

685e9980-08d6-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖11. 使用Renesas FSP配置器進行時鐘設(shè)置

5.6 HOCO精度

內(nèi)部高速片上振蕩器 (HOCO) 的運行頻率為16MHz、18MHz或20MHz,精度為+/-2%或更高。可以通過使能鎖頻環(huán) (FLL) 功能來提高HOCO的精度,這可將時鐘精度提高到+/-0.3%或更高。有關(guān)詳細信息,請參見硬件手冊中的“電氣規(guī)范”章節(jié)。

HOCO可以用作PLL電路的輸入。當以這種方式使用HOCO時,不需要外部振蕩器。當因空間限制或其他限制而需要減少PCB設(shè)計中的元件數(shù)量時,這可能是一個優(yōu)勢。不過,此時會因時鐘精度問題而產(chǎn)生性能影響和限制,因此應針對您的應用進行評估。

5.7 閃存接口時鐘

對內(nèi)部閃存(ROM和數(shù)據(jù)閃存)進行編程和擦除操作以及從數(shù)據(jù)閃存讀取數(shù)據(jù)時,閃存接口時鐘 (FCLK) 用作工作時鐘。因此,F(xiàn)CLK的頻率設(shè)置會直接影響從數(shù)據(jù)閃存讀取數(shù)據(jù)所需的時間。如果用戶的程序正在從數(shù)據(jù)閃存中讀取數(shù)據(jù),或者正在對內(nèi)部閃存執(zhí)行編程或擦除操作,則建議使用最大FCLK頻率。

請注意,F(xiàn)CLK頻率對讀取ROM或?qū)?a href="http://www.nxhydt.com/tags/ram/" target="_blank">RAM進行讀寫操作沒有任何影響。

5.8 電路板設(shè)計

有關(guān)使用CGC的更多信息和電路板設(shè)計建議,請參見《硬件用戶手冊》中“時鐘生成電路 (CGC)”一章的“使用注意事項”部分。

通常,晶體諧振器及其負載電容應盡可能靠近MCU時鐘引腳(XTAL/EXTAL、XCIN/XCOUT)放置。避免在晶體諧振器和MCU之間連接任何其他信號走線。盡量減少每條走線上使用的連接通孔數(shù)量。

5.9 外部晶體諧振器選擇

外部晶體諧振器可以用作主時鐘源。外部晶體諧振器可跨MCU的EXTAL和XTAL引腳連接。外部晶體諧振器的頻率必須處于主時鐘振蕩器的頻率范圍內(nèi)。

晶體諧振器的選擇在很大程度上取決于各個獨特的電路板設(shè)計。由于適合與RA6 MCU器件配合使用的可用晶體諧振器的選擇可能很多,因此請仔細評估所選晶體諧振器的電氣特性,以確定具體的實現(xiàn)要求。

下圖給出了典型的晶體諧振器連接示例。

68850f0c-08d6-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖12. 晶體諧振器連接示例

選擇晶體諧振器和相關(guān)電容時,必須仔細評估。如果晶體諧振器制造商有相關(guān)建議,可以添加外部反饋電阻 (Rf) 和阻尼電阻 (Rd)。

689ccd5e-08d6-11ee-962d-dac502259ad0.png

圖13. 晶體諧振器的等效電路

CL1和CL2的電容值選擇會影響內(nèi)部時鐘的精確度。要了解CL1和CL2值的影響,應使用上圖中晶體諧振器的等效電路來模擬該電路。為了獲得更準確的結(jié)果,還應考慮與晶體諧振器元件之間的布線相關(guān)的雜散電容。

下一章:復位要求和復位電路


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