精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Transphorm發布業界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

加賀富儀艾電子 ? 來源:未知 ? 2023-06-16 18:25 ? 次閱讀

Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體,領先同類產品 該器件已準備就緒,可將Transphorm的創新常關型氮化鎵平臺應用于新一代汽車和三相電力系統 這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統、以及已普遍用于工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比,這些應用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優異的可靠性、同等或更優越的性能,以及更為合理的成本。 Transphorm近期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關頻率的5kW 900伏降壓轉換器中更高的性能。1200伏氮化鎵器件實現了98.7%的效率,超過了具有類似額定值的量產SiC MOSFET 產品優勢 創新的1200伏技術也展現了Transphorm在氮化鎵功率轉換方面的領先地位。垂直整合模式、自有外延片生產能力、以及專利工藝技術,再加上數十年的工程專業知識,使該公司能夠將性能最優異的氮化鎵器件組合推向市場,并且還在以下四個方面具有重大差異化優勢:可制造性、易驅動性、易設計和可靠性。 在5月9日至11日的PCIM2023展會上, Transphorm 也發表了關于1200伏器件的信息 初步器件規格及樣品 Transphorm的1200伏技術以經過驗證的工藝和成熟的技術為基礎,滿足了客戶在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工藝目前在LED市場上已批量生產。此外,1200伏技術充分利用了Transphorm當前器件組合中使用的性能優越、常關型的氮化鎵平臺。 TP120H070WS主要規格包括:
  • 內部阻值70毫歐

  • 常關型

  • 高效雙向導通

  • 最大值±20V柵極電壓

  • 4伏的柵極驅動低擾度

  • 零QRR反向恢復電荷

  • 3引腳TO-247封裝

我們建議將Verilog-A器件型號與SIMetrix Pro v8.5電路模擬器結合使用。LTSpice型號正在開發中,將于2023年第四季度發布。仿真建模有助于實現快速高效的電力系統設計驗證,同時還可減少設計迭代、開發時間和硬件投資。1200伏功率管樣品預計會于2024年第一季度推出。 Transphorm氮化鎵功率器件在汽車動力系統和充電生態系統中的應用 1200伏氮化鎵器件不但是各種市場應用的理想解決方案,而且也可為汽車系統提供獨特的優勢。 電動汽車行業,尤其是在大型汽車的更高千瓦節點,將在這十年的后半期朝著800伏電池的方向發展。因此,1200伏電源轉換開關將會被用于提供所需的性能水平。因此,Transphorm的1200伏平臺在新一代車載充電器、DC-DC轉換器、驅動逆變器充電樁系統領域定會大顯身手。 對于當前使用400伏電池的電動汽車,Transphorm可提供650伏常關型SuperGaN功率管解決方案。這些功率器件符合AEC-Q101標準,可承受175°C的高溫,并已批量生產。 66cf9186-0c2e-11ee-962d-dac502259ad0.png我們是領先的功率半導體公司,展示并兌現了GaN的承諾。Transphorm的專業知識為市場帶來性能卓越的氮化鎵器件,這些器件時時刻刻在功率密度、性能和系統成本方面樹立新的標準。我們的1200伏技術證明了Transphorm工程團隊的創新愿景和決心。我們正在證明,氮化鎵可以輕松地在此前指定用碳化硅的應用市場中發揮作用。對于我們的業務和氮化鎵技術而言,開啟了廣泛的市場應用潛力。 ——Transphorm首席技術官兼聯合創始人Umesh Mishra66e0e404-0c2e-11ee-962d-dac502259ad0.png ?關于TransphormTransphorm是氮化鎵革命的全球領導者,致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1,000多項,在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式,Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破硅的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。更多詳情請訪問:http://www.transphormusa.com/。 關于加賀富儀艾電子(上海)有限公司

加賀富儀艾電子(上海)有限公司原為富士通電子,其業務自2020年12月并入加賀集團,旨在為客戶提供更好的優質產品和服務。在深圳、大連等地均設有分公司,負責統籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業務。

加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷售產品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務,專用標準產品(ASSPs),鐵電隨機存儲器,繼電器,GaN(氮化鎵),MCU和電源功率器件,它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶,并廣泛應用于高性能光通信網絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電表、安防等領域。更多詳情請訪問https://www.kagafei.com.cn

·END·

66ef3dba-0c2e-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

掃碼關注我們


原文標題:Transphorm發布業界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

文章出處:【微信公眾號:加賀富儀艾電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。


聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 元器件
    +關注

    關注

    112

    文章

    4692

    瀏覽量

    92012
  • 功率器件
    +關注

    關注

    41

    文章

    1728

    瀏覽量

    90324

原文標題:Transphorm發布業界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

文章出處:【微信號:Fujitsu_Semi,微信公眾號:加賀富儀艾電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    三星發布業界首24Gb GDDR7 DRAM

    近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破:成功開發出業界首24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業界最高水平,更在速度上實現了顯著提升,成為下一代AI計算應用的理想解決方案。
    的頭像 發表于 10-18 16:58 ?775次閱讀

    1200V GaN又有新玩家入場,已進入量產

    電子發燒友網報道(文/梁浩斌)最近,又有國內GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術。7月26日,宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發生產的藍寶石基
    的頭像 發表于 07-31 01:06 ?3361次閱讀

    新思科技推出業界首PCIe 7.0 IP解決方案

    《Acquired》欄目邀請,共同分享了當前全球EDA(電子設計自動化)領域的前沿技術進展,以及EDA如何加速人工智能(AI)、智能汽車等核心科技產業變革,賦能萬物智能時代加速到來。 ? 新思科技推出業界首
    的頭像 發表于 06-29 15:13 ?578次閱讀

    瑞薩電子完成對Transphorm的收購,加速GaN技術布局

    在全球半導體技術競爭日益激烈的今天,瑞薩電子以其前瞻性的戰略眼光和果斷的行動,成功完成了對氮化鎵(GaN器件Transphorm的收購,收購價高達3.39億美元。這一交易的完成,不僅標志著瑞薩電子在
    的頭像 發表于 06-25 10:07 ?524次閱讀

    瑞薩完成對Transphorm的收購

    加速寬禁帶產品供應并推出15全新基于GaN的成功產品組合參考設計 2024 年 6 月 20 日,日本東京訊 ― 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)今日宣布,已于
    的頭像 發表于 06-21 13:59 ?730次閱讀

    Transphorm攜手偉詮電子推出兩新型系統級封裝氮化鎵器件

    全球氮化鎵功率半導體行業的領軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯合宣布,雙方已成功推出兩新型系統級封裝氮化鎵器件(SiP)。這兩新品與
    的頭像 發表于 05-23 11:20 ?603次閱讀

    柏恩Bourns發布業界首平面信號BMS變壓器

    美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商,發布業界首平面信號BMS變壓器。
    的頭像 發表于 03-28 14:01 ?723次閱讀

    賦能5G-A商用,加速智能化轉型!華為發布業界首個通信大模型

    2月26日,在MWC Barcelona 2024上,華為董事會成員兼ICT產品與解決方案總裁楊超斌發布業界首個通信大模型。華為通信大模型提供關鍵智能技術,支撐業務創新,提升運營效率
    的頭像 發表于 02-28 09:13 ?2943次閱讀
    賦能5G-A商用,加速智能化轉型!華為<b class='flag-5'>發布</b><b class='flag-5'>業界首</b>個通信大<b class='flag-5'>模型</b>

    鎧俠正式發布業界首車載UFS 4.0嵌入式閃存

    存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社宣布,該公司已開始提供業界首面向車載應用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品。
    的頭像 發表于 02-22 16:21 ?954次閱讀

    Bourns發布業界首平面信號BMS變壓器

    美國柏恩Bourns近日發布業界首平面信號BMS變壓器。這款新型變壓器,美國專利 Bourns SM91806,專為滿足高壓電動車(EV)和其他高能量儲存系統對平面技術的持續增長需求而設計。
    的頭像 發表于 01-18 20:10 ?1278次閱讀

    Transphorm發布4引腳TO-247封裝器件

    全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)今日宣布推出兩采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN
    的頭像 發表于 01-18 14:12 ?510次閱讀

    瑞薩電子收購氮化鎵廠商Transphorm

    瑞薩電子與氮化鎵(GaN器件領導者Transphorm宣布,雙方已達成最終收購協議。根據協議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm,這一價格較
    的頭像 發表于 01-17 14:15 ?636次閱讀

    瑞薩宣布收購Transphorm,大舉進軍GaN

    全球半導體解決方案供應商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方已達成最終協議,根據該協議,瑞薩子公司將以每股
    的頭像 發表于 01-12 14:11 ?673次閱讀

    瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術擴展電源產品陣容

    全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”,Nasdaq:TGAN)于今天宣布雙方已達成最終協議
    的頭像 發表于 01-11 18:17 ?1162次閱讀

    Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件, 助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統實現卓越的熱性能和電

    新推出器件業界首采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 - 代表著下一代
    發表于 12-01 14:11 ?744次閱讀
      <b class='flag-5'>Transphorm</b>推出頂部散熱型TOLT封裝FET<b class='flag-5'>器件</b>, 助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統實現卓越的熱性能和電