10.1.2 二維電場(chǎng)集中和結(jié)的曲率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
10.1.2 二維電場(chǎng)集中和結(jié)的曲率
10.1 SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端
第10章功率器件的優(yōu)化和比較
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2702瀏覽量
48893
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，使得
碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅（SiliconCarbide，簡(jiǎn)稱SiC）功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，
碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)
碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，常見(jiàn)的碳化硅功率器件包括
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
發(fā)表于 03-19 11:12
?573次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些
發(fā)表于 02-29 14:23
?1585次閱讀
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜
共讀好書(shū) 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)
碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用
碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用
隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、
三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論