8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.11 氧化層可靠性

第８章單極型功率開關(guān)器件

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的

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碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，

發(fā)表于 09-11 10:44 ?414次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制，已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下，碳化硅（SiC）功率

發(fā)表于 09-11 10:43 ?268次閱讀

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

(JFET)以及現(xiàn)在的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。碳化硅功率器件在這些碳化硅功率器件的開關(guān)性能中，制造商通常需要在柵極驅(qū)動(dòng)

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<b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率<b class='flag-5'>器件</b>的開關(guān)性能比較

碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來

碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，常見的碳化硅功率器件包括

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碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

發(fā)表于 03-08 08:37

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用

發(fā)表于 02-29 14:23 ?1583次閱讀

簡單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)

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