精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

6.1.3 p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-01-06 09:21 ? 次閱讀

6.1.3 p型區(qū)的離子注入

6.1 離子注入

第6章碳化硅器件工藝

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

0170d068-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

01ad46b0-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

020929da-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

0245ed0c-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

02a9ec76-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2760

    瀏覽量

    62451
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    SiC的離子注入工藝及其注意事項

    離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現(xiàn)對n區(qū)域和p區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤1?/div>
    的頭像 發(fā)表于 11-09 11:09 ?206次閱讀

    源漏離子注入工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝,降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻,提高
    的頭像 發(fā)表于 11-09 10:04 ?182次閱讀
    源漏<b class='flag-5'>離子注入</b>工藝的制造流程

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?147次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?414次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用

    SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:49 ?1053次閱讀
    SiC與GaN 功率<b class='flag-5'>器件</b>中的<b class='flag-5'>離子注入</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>挑戰(zhàn)

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1583次閱讀

    什么是離子注入離子注入的應(yīng)用介紹

    離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度,相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:23 ?4820次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>離子注入</b>?<b class='flag-5'>離子注入</b>的應(yīng)用介紹

    簡單認(rèn)識碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點,被譽(yù)為“未來電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1085次閱讀

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電、半絕緣。導(dǎo)電
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:55 ?588次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    碳化硅特色工藝模塊簡介

    材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?809次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡介

    碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

    導(dǎo)電碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電襯底上生長碳化硅外延層,得到
    發(fā)表于 12-27 10:08 ?430次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

    碳化硅離子注入和退火工藝介紹

    統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫擴(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點。一般來說,高溫擴(kuò)散工藝簡單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫擴(kuò)散工藝引入的晶格損傷低。離子注入工藝復(fù)雜且設(shè)備昂貴,但它可獨立控制摻雜元素的濃度
    的頭像 發(fā)表于 12-22 09:41 ?2803次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>離子注入</b>和退火工藝介紹

    碳化硅功率器件基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 12-21 09:43 ?807次閱讀

    三種碳化硅外延生長爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn),高質(zhì)量的
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2928次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>爐的差異

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1656次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>介紹與仿真