7.4 結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管

第７章單極型和雙極型功率二極管

《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

往期內容：

7.3.4 電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.3.3 “i”區的電勢下降∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.3.2 “i”區中的載流子濃度∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.3.1 大注入與雙極擴散方程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.3 pn與pin結型二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.2 肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.1.3 雙極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.1.2 單極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

第７章單極型和雙極型功率二極管

6.5 總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.5 界面的不穩定性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.5.1 界面態分布∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.7 電導法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.1 SiC特有的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.3 熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.2.1 反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.6 離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.5 高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.4 半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.3 p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.1 選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.1.1 選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

第６章碳化硅器件工藝

5.4 總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3.1.2 雜質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.3 SiC中的點缺陷

5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.2.1 SiC主要的擴展缺陷&5.2.2 雙極退化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.2 SiC的擴展缺陷

5.1.6.2 電子順磁共振∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.6.1 深能級瞬態譜∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.5.3 光致發光映射/成像、5.1.5.4 表面形貌的高分辨映射

5.1.5.2 X射線形貌∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.5.1 化學腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.4.4 襯底和表面處的載流子復合效應∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.4.3 反向恢復（RR）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.4.2 光電導衰減（PCD）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.3 霍爾效應及電容-電壓測試∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.2 拉曼散射∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.1.5 本征點缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.1.4 其他雜質 ∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.1.3 施主-受主對的復合 ∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.1.2 束縛于中性摻雜雜質的激子 ∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1.1光致發光 ∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.1 表征技術

第５章碳化硅的缺陷及表征技術

4.8 總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.7.2 3C-SiC在六方SiC上的異質外延生長∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.7.1 3C-SiC在Si上的異質外延∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.6 其他SiC同質外延技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.5.3 SiC嵌入式同質外延∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.5.2 SiC在非基矢面上的同質外延∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.5.1 SiC在近正軸{0001}面上的同質外延∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.4 SiC快速同質外延∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.3.2 深能級缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.3.1.4 次生堆垛層錯∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.3.1.3 位錯∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.3.1.2 微管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.3.1.1 表面形貌缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.2.3 p型摻雜∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.2.2 n型摻雜∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.2.1 背景摻雜∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.1.5 SiC外延的反應室設計∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.1.4 表面形貌及臺階動力學∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.1.3 生長速率及建模∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.1.2 SiC同質外延的理論模型∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

4.1.1 SiC外延的多型體復制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

第４章碳化硅外延生長

3.9 總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.8 切片及拋光∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.7 化學氣相淀積法生長3C-SiC晶圓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.6 溶液法生長∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.5 高溫化學氣相沉淀∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.4.3 p型摻雜/3.4.4 半絕緣型∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
3.4.2 n型摻雜∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.4.1 雜質摻雜∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
3.3.5 減少缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.3.4 貫穿刃型位錯及基矢面位錯∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.3.3 貫穿螺型錯位∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.3.2 微管缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.3.1 堆垛層錯∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.2 升華法生長中多型體控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.1.3 建模與仿真∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.1.2 .1 熱力學因素、3.1.2.2 動力學因素∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

3.1.2 升華（物理氣相運輸）法過程中的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》3.1.1 Si-C相圖∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

第３章碳化硅晶體生長

2.4 總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
2.3 熱學和機械特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

2.2.6 擊穿電場強度∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

2.2.5 漂移速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

2.2.4 遷移率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

2.2.3 雜質摻雜和載流子濃度∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

2.2.2 光吸收系數和折射率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

2.2.1 能帶結構∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

2.1 晶體結構∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

第２章碳化硅的物理性質

１.３本書提綱∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

１.2碳化硅的特性和簡史∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

１.１電子學的進展∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

第１章導論

國產碳化硅（SiC）器件替代進口：

SiC SBD(MPS-PIN)-混合PiNSchottky(MPS)二極管

SiC MOSFET

鏈接：MCR：MOS Controlled Rectifier，MOS控制的二極管/整流器，超低反向漏電、175°結溫、高浪涌

鏈接：MCR二極管、SBD二極管、FR-MOS管晶圓選型說明