6.1.5 高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.5 高溫退火和表面粗糙化
6.1 離子注入
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2692瀏覽量
48881
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應用領域
在電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，使得碳化硅功率
碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率
碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類
碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用
發(fā)表于 02-29 14:23
?1583次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導電型、半絕緣型。導電型襯底可用于生長
碳化硅器件封裝與模塊化的關(guān)鍵技術(shù)
碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。
發(fā)表于 01-09 10:18
?453次閱讀
碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用
碳化硅功率器件的基本原理、應用領域及發(fā)展前景
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率
三種碳化硅外延生長爐的差異
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，高質(zhì)量的
工商網(wǎng)監(jiān)
評論