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第二代低功耗MCU—RJM8L151S系列

武漢瑞納捷半導(dǎo)體有限公司 ? 2022-03-29 16:48 ? 次閱讀

2022年3月瑞納捷半導(dǎo)體發(fā)布了第二代低功耗MCU—RJM8L151S系列,該系列是第一代RJM8L151系列的全面升級,不僅修改了RJM8L151系列的已知問題,還提升了綜合性能和易用性,芯片的抗干擾性能和低功耗性能也有了較大提升。

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  • 低功耗串口LPUART

RJM8L151S系列增加了1路LPUART(低功耗串口),該串口配備32位的波特率設(shè)置寄存器,既可以選擇16MHz高速時鐘也可以選擇32KHz低速時鐘。選擇32KHz低速時鐘時最高波特率為9600,可用于休眠模式的喚醒—需要接收1個完整的任意字節(jié)。

RJM8L151S系列增加了1個LPTimer(低功耗定時器),LPTimer由內(nèi)部或外部32KHz低速時鐘提供計數(shù)時鐘。支持向上計數(shù)模式(從0計數(shù)到裝載值)、事件計數(shù)模式(上升沿/下降沿/雙沿)和定時喚醒功能。LPTimer為需要定時喚醒的低功耗模式提供了可行方案。

  • 支持兩線制燒錄

上一代的RJM8L151系列采用4線JTAG(TDO,TDI,TCK,TMS)燒錄程序代碼,不僅占用了IO資源還增加了電路布線的困難。RJM8L151S系列改用兩線的RJSWD接口,僅需要RJ-SDA數(shù)據(jù)和RJ-SCK時鐘兩個信號線即可燒錄代碼。

RJM8L151S系列的看門狗WDT同樣支持溢出復(fù)位和中斷功能,為提高其可靠性,RJM8L151S系列增加了WDT寄存器鎖定功能,必須先解鎖才能操作WDT寄存器,避免系統(tǒng)運(yùn)行異常誤修改WDT寄存器引起無法復(fù)位的問題。

RJM8L151S系列的電源管理模塊支持PDR和BOR復(fù)位,可編程電壓檢測單元PVD在1.8V~3.0V之間具有7個可選檔位。還增加了PVD中斷功能,可在系統(tǒng)掉電前及時處理事件和數(shù)據(jù)保存。

  • 軟件復(fù)位功能

RJM8L151系列的軟件復(fù)位功能需要配置模塊軟復(fù)位和CPU復(fù)位兩個寄存器才能實現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位,RJM8L151S簡化了軟件復(fù)位操作,只需要配置軟件復(fù)位寄存器即可實現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位。

  • 片內(nèi)2.4V參考電壓

RJM8L151S系列的ADC模塊增加了事件觸發(fā)采樣和定時觸發(fā)采樣功能,事件觸發(fā)采樣支持上升沿/下降沿/任意沿觸發(fā)。還增加了2.4V的片內(nèi)參考電壓源VREF,VREF也可以輸出到外部引腳為外圍電路提供精準(zhǔn)的參考源。

  • 更低的待機(jī)功耗

RJM8L151S系列實測的Halt模式功耗低至0.6uA,低速時鐘下的Active-Halt模式功耗低至0.85uA。

  • 其它優(yōu)化和系統(tǒng)框圖

不僅如此,RJM8L151S系列在ESD和EFT電氣性能方面也有較大提升,GPIO的驅(qū)動電流提升到最大6mA。優(yōu)化后的高級定時器Timer3的時鐘可以是系統(tǒng)時鐘的1到65535分頻,大大提高了PWM的輸出精度,可支持0%到100%占空比輸出。RJM8L151S還優(yōu)化了內(nèi)置比較器的捕獲輸入方式來更好的支持電機(jī)控制算法。優(yōu)化后的RTC模塊能夠提供更精確的日歷時間。Flash多級代碼保護(hù)功能更加可靠。

下圖是RJM8L151S系列的內(nèi)部框圖。

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  • 供貨情況

如下表所示,RJM8L151S系列提供了3種封裝共6個型號的產(chǎn)品。全系列產(chǎn)品將于2022年下半年批量供貨,目前可提供測試樣品。RJM8L151S系列同樣適用于電池供電電子價簽、報警器、GPS定位器、智能開關(guān)、智能門鎖等物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

型號

Flash

RAM

封裝

RJM8L151SC8T6

64KB

8KB

LQFP48(7×7mm)

RJM8L151SC6T6

32KB

4KB

LQFP48(7×7mm)

RJM8L151SK8Q6

64KB

8KB

QFN32(4×4mm)

RJM8L151SK6Q6

32KB

4KB

QFN32(4×4mm)

RJM8L151SF6P6

32KB

4KB

TSSOP20L(6.5×4.4mm)

RJM8L151SF4P6

16KB

2KB

TSSOP20L(6.5×4.4mm)

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