說明
隨著人們生活節(jié)奏的加快,快充在充電領(lǐng)域中伴演著非常重要的角色。為了出門攜帶方便,充電器小型化是必然,提高充電器功率密度已成為重點(diǎn)研究課題。這樣就需要提高功率器件的開關(guān)頻率、使用新的半導(dǎo)體材料和生產(chǎn)工藝。比如超結(jié)MOS使用,使用GaN和SiC材料等。
在PD快充中,一般會用到三顆MOSFET,分別是初級高壓MOSFET、次級SR-MOSFET、VBUS-MOSFET,美浦森半導(dǎo)體在PD上的應(yīng)用,有相應(yīng)具體型號與其相對應(yīng)。與同行相比,在EMI和效率上擁有出色的性能表現(xiàn)。
詳情
根據(jù)不同的充電器瓦數(shù),美浦森推薦使用型號如下:
A、30W PD(PPS):
B、45W PD(PPS):
C、65W PD(PPS):
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