精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

8.1.5 增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-02-20 14:15 ? 次閱讀

8.1.5 增強(qiáng)型和耗盡型工作模式

8.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)

第8章單極型功率開關(guān)器件

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

866f4c4c-91a6-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

867f6514-91a6-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

8695cf20-91a6-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

86ae8830-91a6-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2771

    瀏覽量

    62466
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?162次閱讀

    碳化硅功率器件工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?459次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>工作</b>原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?421次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    mos管怎么區(qū)分增強(qiáng)型耗盡

    Mode)兩種類型。 1. MOSFET的基本原理 MOSFET是一種電壓控制器件,其工作原理基于半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)原理。在MOSFET中,一個(gè)絕緣的氧化物層(通常是二氧
    的頭像 發(fā)表于 07-14 11:35 ?1679次閱讀

    mos管增強(qiáng)型耗盡的區(qū)別是什么

    MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率和良好的線性特性等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式,MOSFET可以分為增強(qiáng)型耗盡
    的頭像 發(fā)表于 07-14 11:32 ?3225次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?634次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率<b class='flag-5'>器件</b>的開關(guān)性能比較

    增強(qiáng)型耗盡MOS管的區(qū)別

    特性和控制方式,可以將其分為增強(qiáng)型耗盡兩大類。這兩種類型的MOS管在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景等方面都存在顯著的差異。本文將對(duì)增強(qiáng)型
    的頭像 發(fā)表于 05-12 17:13 ?3046次閱讀

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?410次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1585次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1093次閱讀

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電、半絕緣。導(dǎo)電
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:55 ?598次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

    導(dǎo)電碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到
    發(fā)表于 12-27 10:08 ?431次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

    碳化硅功率器件基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 12-21 09:43 ?815次閱讀

    三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2949次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>爐的差異