氮化鋁陶瓷的特性

大多數(shù)陶瓷是離子鍵或共價(jià)鍵極強(qiáng)的材料，具有較高的絕緣性能和優(yōu)異的高頻特性，同時(shí)線膨脹系數(shù)與電子元器件非常相近，化學(xué)性能非常穩(wěn)定且熱導(dǎo)率高，是電子封裝中常用的基板材料。

長(zhǎng)期以來，絕大多數(shù)大功率混合集成電路的基板材料一直沿用Al?O?氧化鋁和BeO氧化鈹陶瓷。但Al?O?基板的熱導(dǎo)率低，熱膨脹系數(shù)和硅不太匹配。BeO雖然具有優(yōu)良的綜合性能，但其較高的生產(chǎn)成本和劇毒的缺點(diǎn)限制了它的應(yīng)用推廣。因此，從性能、成本和環(huán)保等因素考慮，二者已不能完全滿足現(xiàn)代電子功率器件發(fā)展的需要。

與之相比，氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱率可以達(dá)到氧化鋁陶瓷基覆銅板的10倍左右，線性膨脹系數(shù)與硅很接近，非常適用于半導(dǎo)體基板和結(jié)構(gòu)封裝材料。

多層陶瓷基板多采用氮化鋁陶瓷基片來做，工藝一般分高溫共燒HTCC制作工藝和低溫共燒LTCC制作工藝。氮化鋁陶瓷覆銅板按照金屬層厚度不同，采用的工藝一般有所不同。一般要做厚銅800um~100um， 多采用AMB活性釬焊工藝，金屬結(jié)合力更好；薄銅多采用DPC制作工藝，銅層較薄，最薄可以做1um的銅層，適合做精密線路。

以下是應(yīng)用西斯特樹脂刀切割氮化鋁陶瓷覆銅板實(shí)例。

案例實(shí)錄

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測(cè)試目的

1、測(cè)試正面背面切痕情況。

2、測(cè)試崩缺卷銅情況。

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材料情況

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工藝參數(shù)

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樣刀準(zhǔn)備

SSTRP 1A8-SDC-500-50-M 56*0.15*40

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樣刀規(guī)格

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測(cè)試結(jié)果

1、正崩、側(cè)崩、背崩均在崩缺控制范圍內(nèi)，正崩＜25μm，側(cè)崩＜25μm，背崩＜50μm。

2、倒膜檢查背面整體刀痕平滑，側(cè)面刀痕良好。

正面效果

背面效果

側(cè)面效果

西斯特科技

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