芯片測(cè)試的目的是在找出沒問題的芯片的同時(shí)盡量節(jié)約成本。芯片復(fù)雜度越來越高, 為了保證出廠的芯片質(zhì)量不出任何問題, 需要在出廠前進(jìn)行測(cè)試以確保功能完整性等。而芯片作為一個(gè)大規(guī)模生產(chǎn)的東西, 大規(guī)模自動(dòng)化測(cè)試是的解決辦法, 靠人工或者說基準(zhǔn)測(cè)試是沒法完成這樣的任務(wù)。
半導(dǎo)體可靠性測(cè)試主要分為環(huán)境試驗(yàn)和壽命試驗(yàn)兩個(gè)大項(xiàng),其中環(huán)境試驗(yàn)中包含了機(jī)械試驗(yàn)(振動(dòng)試驗(yàn)、沖擊試驗(yàn)、離心加速試驗(yàn)、引出線抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)和引出線彎曲試驗(yàn))、引出線易焊性試驗(yàn)、溫度試驗(yàn)(低溫、高溫和溫度交變?cè)囼?yàn))、濕熱試驗(yàn)(恒定濕度和交變濕熱)、特殊試驗(yàn)(鹽霧試驗(yàn)、霉菌試驗(yàn)、低氣壓試驗(yàn)、靜電耐受力試驗(yàn)、超高真空試驗(yàn)和核輻射試驗(yàn));而壽命試驗(yàn)包含了長(zhǎng)期壽命試驗(yàn)(長(zhǎng)期儲(chǔ)存壽命和長(zhǎng)期工作壽命)和加速壽命試驗(yàn)(恒定應(yīng)力加速壽命、步進(jìn)應(yīng)力加速壽命和序進(jìn)應(yīng)力加速壽命),其中可以有選擇的做其中一些。
可靠性試驗(yàn)
1.溫度下限工作試驗(yàn):受試樣品先加電運(yùn)行測(cè)試程序進(jìn)行初試檢測(cè)。在受試樣品不工作的條件下,將箱內(nèi)溫度逐漸降到0℃,待溫度穩(wěn)定后,加電運(yùn)行測(cè)試程序5h,受試樣品功能與操作應(yīng)正常,試驗(yàn)完后,待箱溫度回到室溫,取出樣品,在正常大氣壓下恢復(fù)2h。
推薦檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):受試樣品功能與操作應(yīng)正常,外觀無明顯偏差。
2.低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)將樣品放入低溫箱,使箱溫度降到-20℃,在受試樣品不工作的條件下存放16h,取出樣品回到室溫,再恢復(fù)2h,加電運(yùn)行測(cè)試程序進(jìn)行后檢驗(yàn),受試樣品功能與操作應(yīng)正常,外觀無明顯偏差。為防止試驗(yàn)中受試樣品結(jié)霜和凝露,允許將受試樣品用聚乙稀薄膜密封后進(jìn)行試驗(yàn),必要時(shí)還可以在密封套內(nèi)裝吸潮劑。
推薦檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):受試樣品功能與操作應(yīng)正常,外觀無明顯偏差。
3.溫度上限工作試驗(yàn)受試樣品先進(jìn)行初試檢測(cè)。在受試樣品不工作的條件下,將箱溫度逐漸升到40℃,待溫度穩(wěn)定后,加電運(yùn)行系統(tǒng)診斷程序5h,受試樣品功能與操作應(yīng)正常,試驗(yàn)完后,待箱溫度回到室溫,取出樣品,在正常大氣壓下恢復(fù)2h。
推薦檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):受試樣品功能與操作應(yīng)正常,外觀無明顯偏差。
4.高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)將樣品放入高溫箱,使箱溫度升到55℃,在受試樣品不工作的條件下存放16h,取出樣品回到室溫,恢復(fù)2h。
推薦檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):受試樣品功能與操作應(yīng)正常,外觀無明顯偏差。
可靠性試驗(yàn)流程:
1、根據(jù)試驗(yàn)?zāi)康暮?a target="_blank">產(chǎn)品情況,確定試驗(yàn)的類型;
2、假定產(chǎn)品的壽命分布類型;
3、根據(jù)產(chǎn)品批量及成本情況選定試驗(yàn)方案;
4、根據(jù)技術(shù)及經(jīng)濟(jì)情況,確定產(chǎn)品的可靠性指標(biāo)的界限;
5、根據(jù)試驗(yàn)方案和給定的參數(shù)制定抽樣方案以確定試品的數(shù)量和試驗(yàn)時(shí)間;
6、確定試驗(yàn)條件,包括環(huán)境條件、工作條件和負(fù)載條件以及試品的初始狀態(tài);
7、根據(jù)產(chǎn)品的性能,規(guī)定應(yīng)測(cè)量的參數(shù)及相應(yīng)的測(cè)量方法和測(cè)量周期;
8、制定故障分類及判斷的準(zhǔn)則;
9、規(guī)定需記錄的項(xiàng)目、內(nèi)容和相應(yīng)格式;
10、進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和處理,判斷試驗(yàn)結(jié)果,提出試驗(yàn)報(bào)告。
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