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如何手動計算IGBT的損耗

英飛凌工業半導體 ? 2023-01-14 10:05 ? 次閱讀

現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成,節省了不少精力,不得不說這對工程師來說是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子,詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。

我們先來看一個IGBT的完整工作波形:

0b12db84-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

IGBT的損耗可以分為開關損耗和導通損耗,其中開關損耗又分為開通和關斷兩部分,下面我分別來看一下各部分的計算推導過程。

開關損耗-開通部分

我們先來看一下理想的IGBT開通波形:

0b56bd7c-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

我們需要先分別寫出電流和電壓的線性方程,先看電流線性方程:分別找到電流開關波形中的兩個坐標(0,0) 和 (Δt_on, Ic) , 那么電流線性方程:

0b6ccf2c-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

電壓線性方程,同樣找到電壓波形中的兩個坐標(0,Vce), (Δt-on,0),那么電壓線性方程:

0b7f57aa-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

根據損耗計算的定義:

0b92cdc6-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png0ba7e274-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

這樣開關損耗中的開通部分計算公式我們就推導完成了,那是不是我們有了計算公式就可以直接用了呢?我們先來看看實際的開通波形:

0bf01404-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

上圖是實測的IGBT開通波形,藍色是Vce波形,紅色是Ic波形。可以看到Ic在整個上升過程中還是比較線性的,但是Vce在跌落的時候斜率分成了幾段,這個時候我們推導的理想開關波形的損耗似乎就沒什么用了,那怎么辦呢?

其實雖然我們之前的推導結果不能直接用,但是推導過程我們還是可以借鑒的,我們可以把整個波形根據Vce 的斜率分成幾個部分來近似計算,如下圖所示,對應時間分別是Δt1, Δt2, Δt3。

0c1d9e10-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

我們先來計算Δt1部分的損耗:

0c53254e-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

如上圖,我們先找到電壓和電流波形與Δt1時間標注線的四個交點,標注為:

A(0,Vce1), B(Δt1,Vce2), C(0,0), D(Δt1,Ic1).

Δt1內的Vce表達式:

0d3fed8e-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt1內的Ic表達式:

0d529e2a-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt1內的損耗表達式及推導:

0d678542-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

從波形中可以讀出:

Vce1=260V, Vce2=220V, Ic1=20.3A, Δt1=70ns, 帶入上面公式可以得到:

0da387ae-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

我們用同樣的方法計算Δt2部分:

同樣先找到電壓和電流波形與Δt2時間標注線的四個交點:

E(0,Vce2), F(Δt2,Vce3), G(0,Ic1), H(Δt2,Ic2).

0db88820-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt2內的Vce表達式:

0dda5964-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt2內的Ic表達式:

0dede59c-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt2內的損耗表達式及推導:

0e01cf44-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

<>

從波形中可以讀出:

Vce3=50V, Vce2=220V,

Ic1=20.3A, Ic2=29.3A Δt2=40ns,帶入上面公式可以得到

0e1fc5c6-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

最后是Δt3部分:

四個交點:

I(0,Vce3), J(Δt3,Vce3), K(0,Ic2), L(Δt3,Ic3).

0e33c602-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt3內的Vce我們取近似常數:

0e4e5b70-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt3內的Ic表達式:

0e5e7bfe-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt3內的損耗表達式及推導:

0e713596-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

示波器中可以讀出:Vce3=40V, Ic2=29.3A,Ic3=19A Δt3=30ns, 帶入上面公式可以得到

0e91b104-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

這樣把三部分算好加起來就是開通的總損耗:

0eaa9688-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

導通部分損耗計算

IGBT導通狀態下處于飽和狀態,我們只需要對導通狀態下的飽和電壓Vce和電流Ic乘積積分就可以:

0ec905c8-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

但是導通狀態下的Vce實際是和Ic關聯的,Vce會隨著Ic的變化而變化,我們直接拿下面的實際測試波形來舉例分析:

0ed80d3e-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

從波形上看,Ic在IGBT導通狀態下是線性上升的,對應的Vce應該也是線性增加的,但是因為實際測試中Vce有高壓狀態的原因,我們會選擇高壓差分探頭測試。當IGBT導通時Vce只有1-2V, 這時差分探頭對低壓部分的測試精度就成了問題,那么我們怎么近似的計算這部分導通損耗呢?

我們可以參考規格書中的Vce曲線:

0eeaebf2-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

實際測試波形電流在20A左右,所以我們把20A左右的曲線單獨放大取出來:

0f09985e-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Vce表達式:

0f3b5146-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

然后我們來看電流部分,首先我們在波形上取A,B兩點,導通時間Δt,如下:

0f52448c-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

兩個點坐標:A(0,Ic1), B(Δt,Ic2):

Δt內的Ic表達式:

0f820604-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

Δt內的導通損耗表達式及推導:

0f91fe9c-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

<>

從波形中可以讀出:Ic1=9.5A, Ic2=14A, Δt=14us,帶入上面公式可以得到

0fd7348a-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

注:關于Vce-Ic曲線,規格書中通常會提供常溫(25度)和高溫(150度或者175度)兩種,為了貼近實際工作狀態,建議選擇高溫曲線。

開關損耗-關斷部分

先看理想的IGBT關斷波形:

0feffed4-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

電流線性方程,分別找到電流開關波形中的兩個坐標(0,Ic) 和 (Δt_off, 0) , 那么電流線性方程:

10099d8a-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

電壓線性方程,同樣找到電壓波形中的兩個坐標(0,0), (Δt_off,Vce), 那么電壓線性方程:

1017f4f2-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

根據損耗計算的定義:

102ea15c-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

實際的關斷波形:

104c7718-9283-11ed-ad0d-dac502259ad0.png

基于上面實際關斷波形的損耗計算,想給大家留個作業,計算方法可以參考開通損耗部分的計算推導過程,感興趣的小伙伴可以試一下。

這樣損耗的計算方法介紹完了,我們對于基礎高等數學知識的復習也告一段落。課后作業部分歡迎感興趣的小伙伴把計算過程整理出來,給我們投稿。

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