瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證(AEC-Q101)。
TO263-7是一種塑封貼片封裝,對比傳統(tǒng)插件封裝的體積更小,貼片焊接更簡便。而且有5根引腳并聯(lián)作源極(S),封裝阻抗更低,在大電流條件下,導(dǎo)通損耗更低。同時采用開爾文源極引腳(Kelvin Source),減小主回路對驅(qū)動信號的影響,并用背面的散熱板當(dāng)作漏極(D),總體封裝電感更低,從而減小了主回路的振蕩,降低EMI噪聲,更利于發(fā)揮碳化硅(SiC)MOSFET高速開關(guān)的優(yōu)勢。
因此TO263-7封裝器件很適合系統(tǒng)尺寸緊湊,又需要實現(xiàn)高功率、高效率變換的應(yīng)用場景,比如車載DC-DC、車載空壓機電控、光伏逆變器、電機驅(qū)動、UPS電源、開關(guān)電源等。貼片封裝更合適自動化生產(chǎn),降低生產(chǎn)成本。
為滿足市場日益增長的貼片封裝器件需求,瞻芯電子還推出了一系列TO263-7封裝SiC MOSFET產(chǎn)品,具體有650V,1200V,1700V電壓平臺,導(dǎo)通電阻覆蓋25mΩ-1000mΩ,如下表:
以上大部分產(chǎn)品采用車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計和封裝,其中1200V 160mΩ碳化硅(SiC)MOSFET通過完整車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),驗證了車規(guī)級TO263-7封裝的可靠性。
產(chǎn)品特性
具有開爾文源極驅(qū)動管腳(Kelvin-Source)
低阻抗封裝
低導(dǎo)通電阻,低損耗
可高速開關(guān),且寄生電容小
工作結(jié)溫可高達175℃
快速恢復(fù)體二極管
應(yīng)用范圍
光伏逆變器
車載充電器
車載空壓機逆變器
UPS電源
開關(guān)電源
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn),助力高密高效功率變換
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