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三星3納米良率不超過(guò)20% 將重新擬定制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)

要長(zhǎng)高 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2023-06-29 16:26 ? 次閱讀

三星制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)更新,2025年2nm,2027年1.4nm 。

三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線(xiàn)圖顯示,該公司計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)2納米級(jí)SF2工藝,以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高性能處理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3納米工藝已滿(mǎn)足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。

三星雖然公布了自家的 3 納米制程工藝已經(jīng)達(dá)到了可以批量生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn),但因?yàn)槿枪に囋隍旪?888 和驍龍 8Gen1 兩款芯片上的表現(xiàn)并不盡如人意。

盡管三星在4納米和5納米工藝上仍然有產(chǎn)量問(wèn)題,但在3納米工藝上卻面臨更大的良率問(wèn)題,因此與Silicon Frontline Technology公司合作,改進(jìn)晶圓廠前端工藝和芯片性能已成為他們的必需之舉。

而與目前的4納米和5納米工藝相比,3納米制程工藝在性能和能效比上有較大的提升,但三星3納米解決方案制程自量產(chǎn)以來(lái),良率不超過(guò)20%,這讓它們陷入了瓶頸。

根據(jù)最新的技術(shù)路線(xiàn)圖,三星計(jì)劃在2025年推出2納米級(jí)SF2工藝,2027年推出1.4納米級(jí)SF1.4工藝。

編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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