ASML和IMEC宣布共同開發high-NA EUV光刻試驗線
6月29日，比利時微電子研究中心（imec）和阿斯麥asml宣布，將在高端high-na極紫外線（euv）光馬托格測試線的下一階段加強合作。
據悉，簽署的諒解備忘錄包括在比利時魯汶設置imec測試線及asml的所有尖端光標及測量設備的服務。最新款0.55 na euv （twinscan exe:5200）、最新款0.33 na euv （twinscan nxe:3800）、duv淬火（twinscan nxe： 2100i）、yieldstar光學測量、hmi多光束。
報道指出，這兩家企業在光控圖表和測量技術方面的合作，與歐盟及其成員國的前景和計劃是一致的。因此，imec和asml的合作被納入荷蘭政府目前正在討論的ipcei提案。
asml的總裁兼首席執行官peter wennink表示，asml為促進歐洲半導體研究和持續創新，在imec最尖端測試設備上做出了重要承諾。隨著人工智能（ai）迅速擴展到自然語言處理、電腦視覺、自律系統等，業務的復雜性越來越大。因此，開發在不耗盡地球寶貴能源資源的情況下，滿足這種計算需求的芯片技術是最重要的。
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