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晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算

英飛凌工業半導體 ? 2023-07-01 10:10 ? 次閱讀

功率晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器,UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式,對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結溫預估進行說明,給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應用中的損耗計算,請參考微信文章PIM模塊中整流橋的損耗計算》

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晶閘管是半控型電力電子器件,可通過門極在晶閘管承受正向陽極電壓時,控制晶閘管導通,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管自行關斷。晶閘管一般處于工頻開關工作,所以在計算其損耗時,忽略開關損耗,只計算其導通損耗。

公式計算方法如下:

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參數定義如下:

PVT是單個晶閘管的損耗

VT0閾值電壓 (threshold voltage)

ITAV是單個晶閘管輸出電流平均值

rT是斜率電阻 (slope resistance)

F是波形因數 (form factor),可由公式2獲得

62a61314-17b4-11ee-a579-dac502259ad0.png

其中ITRMS是單個晶閘管輸出電流均方根值,即有效值;對于UPS旁路應用中的正弦半波電流,此時 F取值1.571。(參考文后公式4~6)

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上圖電路中I1是該相交流電流有效值,ITAV是單個晶閘管的電流平均值,U1為相電壓有效值。

以600kW UPS,輸出電壓400 VAC旁路舉例,分別考慮下述過載規格,125%功率過載10分鐘以及150%功率過載1分鐘,并且以85%輸出電壓作為最惡劣條件。

125%功率過載時,對應的最大相電流有效值為:

62c71faa-17b4-11ee-a579-dac502259ad0.png

根據公式4計算該單個器件的電流平均值為:

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選擇TT820N16KOF和TT600N16KOF作為方案備選,它們的參數如下:

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由于只計算單個晶閘管的損耗,RthJC取單個晶閘管的結殼熱阻(per arm,θ=180° sin)。將上述參數代入公式1,并假定器件的殼溫Tcase=85°C,根據公式3即可計算出器件結溫。

62fe2ebe-17b4-11ee-a579-dac502259ad0.png630cc050-17b4-11ee-a579-dac502259ad0.png

對比這兩個方案的計算結溫,TT820N16KOF的結溫裕量有19,TT600N16KOF只有2.5。

150%功率過載時,對應的最大相電流有效值為:

631dda5c-17b4-11ee-a579-dac502259ad0.png

根據公式4計算該單個器件的電流平均值為:

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同上述125%功率過載計算方法一樣,并且由于規格書中的瞬態熱阻在60S時已經穩定,我們可以使用上述表格中的最大RthJC值來計算結溫。

634709cc-17b4-11ee-a579-dac502259ad0.png6358b7f8-17b4-11ee-a579-dac502259ad0.png

對比這兩個方案的計算結溫,TT820N16KOF的結溫裕量仍然有10℃,TT600N16KOF已經超過最大結溫上限了。顯然,TT820N16KOF是最適合600kW UPS的旁路方案。此類壓接型的晶閘管外觀呈現黑色,有著更高的結溫規格以及更強的抗沖擊電流能力,適合UPS旁路應用。

我們再使用IPOSIM來進行仿真,然后同公式計算結果進行對比。

登陸英飛凌官網上的IPOSIM頁面,選擇AC/AC Applications。

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在器件選型中,選取TT820N16KOF和TT600N16KOF。

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在Circuit & Control中輸入上文計算的I1,這里I1=Iout

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在Cooling Condition中設置固定殼溫(Fixed Case Temperature),最后運行仿真(Run Simulation)。

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仿真結果如下。其中Parm即是上文計算的PVT,TT系列晶閘管內部是2顆芯片反向并聯,Ptot=Parm*2。結果也顯示最大結溫Tvj max和單個晶閘管電流均方根值ITRMS

125%過載結果

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150%過載結果

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對比公式計算和IPOSIM仿真結果,基本一致。

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當然,IPOSIM的功能更強大,在Cooling Condition中還可以設置散熱片參數,得到更準確的結溫仿真結果。同時,使用IPOSIM也更簡單,只需要填入電流有效值即可,并能同時仿真多個方案進行對比。

以上,是晶閘管在UPS旁路應用中的損耗評估方法,請各位參考,謝謝。

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