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影響噪聲的不同因素

jf_pJlTbmA9 ? 來源:jf_pJlTbmA9 ? 作者:jf_pJlTbmA9 ? 2023-07-10 15:05 ? 次閱讀

自2000年(GE)首次推出數(shù)字超聲技術(shù)以來,超聲市場發(fā)展迅速。超聲技術(shù)已從基于靜態(tài)轉(zhuǎn)向動態(tài),并從黑白轉(zhuǎn)向彩色多普勒。隨著超聲應(yīng)用越來越多,對組件的要求也不斷提高,例如與探頭、AFE電源系統(tǒng)相關(guān)的要求。

在醫(yī)療診斷領(lǐng)域,越來越多的應(yīng)用需要超聲成像系統(tǒng)輸出更高的圖像質(zhì)量。提高圖像質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)之一是提高系統(tǒng)的信噪比(SNR)。本文將討論影響噪聲的不同因素,特別是電源。

超聲的工作原理是什么?

超聲系統(tǒng)由換能器、發(fā)射電路、接收電路、后端數(shù)字處理電路、控制電路和顯示模塊等組成。數(shù)字處理模塊通常包含現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),F(xiàn)PGA根據(jù)系統(tǒng)的配置和控制參數(shù),生成發(fā)射波束合成及相應(yīng)的波形模式。發(fā)射電路中的驅(qū)動和高壓電路生成高壓信號來激勵超聲換能器。超聲換能器通常采用PZT陶瓷制成。換能器將電壓信號轉(zhuǎn)換為超聲波進(jìn)入人體,同時接收人體組織產(chǎn)生的回波。回波轉(zhuǎn)換成微小電壓信號,并傳輸至發(fā)射/接收(T/R)開關(guān)。T/R開關(guān)的主要目的是防止高壓發(fā)射信號損壞低壓接收模擬前端。模擬電壓信號經(jīng)過信號調(diào)理、放大和濾波后,傳輸至集成ADC的模擬前端,然后轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)通過JESD204B或LVDS接口發(fā)送到FPGA進(jìn)行接收波束合成,再到后端數(shù)字部分進(jìn)一步處理,從而生成超聲圖像。

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圖1.超聲系統(tǒng)方框圖

電源如何影響超聲系統(tǒng)

從上述超聲架構(gòu)來看,系統(tǒng)噪聲會受到許多因素的影響,如發(fā)射信號鏈、接收信號鏈、TGC增益控制、時鐘和電源。而在本文將討論電源如何影響噪聲。

超聲系統(tǒng)提供不同類型的成像模式,每種成像模式對動態(tài)范圍有不同的要求。這也意味著,SNR或噪聲要求取決于不同的成像模式。黑白模式需要70dB動態(tài)范圍,脈沖波多普勒(PWD)模式需要130dB,連續(xù)波多普勒(CWD)模式需要160dB。對于黑白模式,本底噪聲非常重要,它會影響在遠(yuǎn)場能夠看到的最小超聲回波的最大深度,也就是穿透,這是黑白模式的關(guān)鍵指標(biāo)之一。對于PWD和CWD模式,1/f噪聲尤為重要。PWD和CWD圖像均包括1kHz以下的低頻信號,相位噪聲會影響1kHz以上的多普勒頻譜。由于超聲換能器頻率通常為1MHz至15MHz,因此該范圍內(nèi)的任何開關(guān)頻率噪聲都會對其造成影響。在PWD和CWD模式中,如果在其頻譜(從100Hz至200kHz)中存在交調(diào)頻率,多普勒圖像中將會出現(xiàn)明顯的噪聲頻譜,這在超聲系統(tǒng)中是不可接受的。

另一方面,通過考慮和上面相同的這些因素,良好的電源可改善超聲圖像。設(shè)計(jì)人員為超聲應(yīng)用設(shè)計(jì)電源時,需要考慮多個方面的因素。

開關(guān)頻率

如前所述,必須避免在采樣頻帶(200Hz至100kHz)內(nèi)引入不需要的諧波噪聲。在電源系統(tǒng)中,很容易找到此類噪聲。

大多數(shù)開關(guān)穩(wěn)壓器使用電阻來設(shè)置開關(guān)頻率。該電阻的誤差會在PCB上引入包含主頻及諧波頻率的不同頻率噪聲。例如,在400kHz DC/DC穩(wěn)壓器中,1%精度電阻提供±1%誤差和4kHz諧波頻率。更好的解決方案是選擇具有同步功能的開關(guān)電源。外部時鐘將通過SYNC引腳向所有穩(wěn)壓器發(fā)送信號,使所有穩(wěn)壓器切換到相同頻率和相同相位下工作。

此外,出于EMI考量或更高的瞬態(tài)響應(yīng),一些穩(wěn)壓器的開關(guān)頻率會在主頻20%內(nèi)變化,這會導(dǎo)致400kHz電源中產(chǎn)生0kHz至80kHz諧波頻率。恒頻開關(guān)穩(wěn)壓器有助于解決這一問題。ADI的Silent Switcher電源穩(wěn)壓器和電源模塊系列具有恒定頻率開關(guān)功能,同時能在不開啟擴(kuò)頻的情況下,仍保持出色的EMI性能,以及出色的瞬態(tài)響應(yīng)。

白噪聲

超聲系統(tǒng)中也有許多白噪聲源,這會導(dǎo)致超聲成像中出現(xiàn)背景噪聲。該噪聲主要來自信號鏈、時鐘和電源。

目前,使用LDO作為模擬器件的模擬供電引腳輸入是最常見的做法。ADI的下一代LDO穩(wěn)壓器具有大約1μV rms的超低噪聲,可以提供200mA至3A的電流。電路和規(guī)格參數(shù)如圖2和圖3所示。

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圖2.下一代低噪聲LDO穩(wěn)壓器

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圖3.下一代LT3045的低噪聲譜密度

PCB布局

在設(shè)計(jì)超聲系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)采集板時,通常需要考慮電源部分的大電流和信號鏈部分的噪聲敏感之間的權(quán)衡。開關(guān)電源產(chǎn)生的噪聲很容易耦合到信號路徑走線中,并且很難通過數(shù)據(jù)處理去除。開關(guān)噪聲通常由開關(guān)輸入電容(圖4)以及上管和下管組成的熱回路產(chǎn)生。添加緩沖電路可幫助管理電磁輻射;但同時也會降低效率。在這種情況下,Silent Switcher 架構(gòu)可以幫助在高開關(guān)頻率下,優(yōu)化EMI性能,并且保持高效率。

手持式數(shù)字探頭

除了因吸收超聲能量而引起的發(fā)熱,換能器本身的溫度對換能器附近人體組織的溫度影響很大。通過向換能器施加電信號,可生成超聲脈沖。有些電量在換能器基元、鏡頭和襯底材料中轉(zhuǎn)換成熱能,導(dǎo)致?lián)Q能器發(fā)熱。此外,對換能器探頭中收到的信號進(jìn)行電子處理也可能會產(chǎn)生電熱。從換能器表面排出熱量會使表面組織的溫度升高幾攝氏度。IEC標(biāo)準(zhǔn)60601-2-37(2007版)中指定了最大容許換能器表面溫度(TSURF)。當(dāng)換能器對著空氣發(fā)射超聲波時,換能器表面容許的最大溫度為50°C;當(dāng)發(fā)射到合適的體模時,該溫度為43°C。后一項(xiàng)限制意味著,皮膚溫度(通常為33°C)最高可升高10°C。換能器發(fā)熱是復(fù)雜的超聲探頭設(shè)中重要的設(shè)計(jì)考量,在一些情況下,這些溫度限制可能會明顯地限制輸出的聲功率強(qiáng)度。

當(dāng)換能器向空氣發(fā)射超聲時,安全標(biāo)準(zhǔn)IEC 60601-2-37(2007版)將換能器表面的溫度限制到50°C以下,當(dāng)換能器在33°C(對于外部應(yīng)用的換能器)或37°C(對于內(nèi)部換能器)與體模接觸時,該標(biāo)準(zhǔn)將其表面溫度限制到43°C以下。通常這些溫度限制(而不是對波束中最大強(qiáng)度的限制)約束了換能器的聲功率輸出。Silent Switcher產(chǎn)品將電源以最高效率(和寬范圍開關(guān)頻率)轉(zhuǎn)換為不同電壓給數(shù)字探頭供電。這意味著,功率轉(zhuǎn)換期間的功率損耗很低。這對冷卻系統(tǒng)大有幫助,因?yàn)闆]有太多額外功率以熱量形式損耗。

Silent Switcher模式優(yōu)勢顯著

Silent Switcher模塊技術(shù)是進(jìn)行超聲電源軌設(shè)計(jì)時的明智選擇。引入該模塊技術(shù)是為了幫助改善EMI和開關(guān)頻率噪聲。傳統(tǒng)上,應(yīng)該關(guān)注每個開關(guān)穩(wěn)壓器在熱回路上的電路和布局設(shè)計(jì)。對于降壓電路,如圖4所示,熱回路包含輸入電容、頂部MOSFET、底部MOSFET,以及由走線、路由、邊界(bounding)等引起的寄生電感。

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圖4.拆分熱回路的原理圖

Silent Switcher模塊主要提供兩種設(shè)計(jì)方法:

第一,如圖4和圖5所示,通過創(chuàng)建反向的熱回路,由于雙向輻射,大多數(shù)EMI將被抵消。通過該方法,將優(yōu)化輻射近20dB。

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圖5.比較Silent Switcher和非Silent Switcher EMI性能

第二,如圖6所示,Silent Switcher模塊不是直接晶圓周圍綁定接線,而是采用銅柱倒裝芯片封裝,有助于減少寄生電感,優(yōu)化尖峰和死區(qū)時間。

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圖6.與傳統(tǒng)綁定技術(shù)(LT8610)相比較的銅柱倒裝芯片封裝及其性能(LT8614)

此外,如圖7所示,Silent Switcher技術(shù)提供高功率密度設(shè)計(jì),并且能夠在小封裝中實(shí)現(xiàn)大電流能力,從而保持低θJA,實(shí)現(xiàn)高效率(例如,LTM4638能夠在6.25mm × 6.25mm × 5.02mm封裝中實(shí)現(xiàn)15A)。

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圖7.Silent Switcher電源模塊封裝內(nèi)視圖

1.Silent Switcher模塊概覽

低頻噪聲 開關(guān)噪聲諧波 高散熱性能
架構(gòu) 超低噪聲基準(zhǔn)電流,而不是基準(zhǔn)電壓 Silent Switcher 2與銅柱封裝 封裝中的Silent Switcher 3散熱器
特性 在低f噪聲方面,性能與LDO穩(wěn)壓器相同 低EMI,低開關(guān)噪聲
快速開關(guān)頻率,短死區(qū)
高功率密度
更小的熱阻
應(yīng)用中的優(yōu)勢 不再需要后置LDO穩(wěn)壓器,同時保持相同的圖像質(zhì)量 高頻率與高效率
更高的頻率,更小的濾波器尺寸
對于相同電流電平,最大程度減小降幅

2.熱門Silent Switcher產(chǎn)品

開關(guān)頻率 控制模式 開關(guān)抖動 功率級架構(gòu) EMI 有效值噪聲
LTM8053-1 200kHz至3MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 2模塊 超低 0.8μV rms(帶有LT3045)
LTM8060 200kHz至3MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 2模塊 超低 0.8μV rms(帶有LT3045)
LT8625S 300kHz至4MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 3變換器 超低 4μV rms(不帶LT3045)

此外,許多Silent Switcher模塊也具有固定頻率、寬頻率范圍和峰值電流架構(gòu),從而實(shí)現(xiàn)低抖動和快速瞬態(tài)響應(yīng)。該產(chǎn)品系列中的熱門產(chǎn)品參見表2。

結(jié)論

ADI的Silent Switcher電源模塊和LDO產(chǎn)品為超聲電源軌設(shè)計(jì)提供了完整的解決方案,盡可能減少了系統(tǒng)噪聲水平和開關(guān)噪聲,不僅有助于改善圖像質(zhì)量,限制溫度升高,還簡化了PCB布局設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

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