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“***”瑞森半導體(REASUNOS)將亮相2023慕尼黑上海電子展

jf_19612427 ? 來源:jf_19612427 ? 作者:jf_19612427 ? 2023-07-06 18:25 ? 次閱讀

起步于2007年,專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售的瑞森半導體(REASUNOS),將于7月11日-13日亮相2023慕尼黑上海電子展(展位號:7.2H館 D320展位)。與眾多行業伙伴,共同聚焦新能源汽車、自動駕駛智能座艙 、充電樁、綠色能源等新興科技領域,深入探討功率半導體技術在領域的應用及未來發展趨勢。

electronica China慕尼黑上海電子展是電子行業內極具影響力的大規模專業展,也是行業內重要的盛事。瑞森半導體已連續多年參展,本屆展會面積規模計劃擴大至10萬平米,參展企業將達到1600+,預計吸引觀眾7萬人次,將會是電子行業同胞的一場盛會。

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瑞森半導體本次展會主打三條產品線,硅基功率器件,碳化硅基功率器件以及功率IC ,其中硅基功率器件包括平面高壓MOS,超結MOS,Trench低壓MOS和SGT低壓MOS,產品涵蓋20V-1500V全耐壓段,可以滿足各種不同應用場景;以平面高壓MOS為例,目前國內產品在技術指標上存在的問題主要是高溫(150℃)漏電大以及電磁輻射EMI難解決;產品質量上存在的問題主要是老化考核后產品擊穿電壓(BV)跌落,可靠性難以符合工業要求等問題。瑞森半導體高壓MOS系列采用新型的橫向變摻雜技術,以專有的功率MOS結構,高溫特性優良,同時極大提升了產品的雪崩能量和抗浪涌能力;

碳化硅基功率器件包括碳化硅SBD和碳化硅MOSFET,產品涵蓋650V-1200V-1700V,3300V產品系列在開發中;已實現全球銷售,SiC 產品系列完全可實現國產替代。

瑞森半導體超結MOS產品系列,均采用多層外延工藝制作,與傳統的trench工藝相比,具有優異的抗EMI及抗浪涌能力,性能可媲美國際一線品牌。

電源管理IC采用的是1um600VHVIC高壓浮柵工藝,整個系統電源采用CS-CPPPFC+LLC(電流源電荷泵+串聯諧振)技術,是國內唯一一家可以單級方案做到400W以上的大功率并涵蓋高PF、低THD、無頻閃、高效率等優勢的產品系列,其中效率超過94%,PF(功率因數)大于0.96,THD(總諧波失真)在5%以內,頻閃系數<0.03(遠遠優于國標1.15的標準),產品可廣泛應用于教育照明、家居照明、商業照明、學生書房燈、戶外路燈、植物照明、投光燈、景觀照明、體育場館等。

瑞森半導體核心研發第三代寬禁帶半導體技術,研發人員占比40%,具備強大的自主研發能力 。并與湖南大學半導體學院(集成電路學院)深度合作,進行第三代半導體技術的創新研發突破。未來,產品體系發展及完善速度將會加快步伐,將就更高耐壓、更大電流,模塊化等方向以及GaNHEMTs的驅動芯片投入研發。

瑞森半導體服務全球半導體行業市場16年,產品性能、穩定性、一致性均得到市場的認可,本次展會現場除了產品展示外,瑞森半導體功率器件FAE總監及驅動方案研發總監也將坐鎮展會現場,專業解答各類技術問題。更有電源網、芯查查等專訪,同時展會活動現場還有各類福利,誠邀全球客戶觀展。

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關于瑞森半導體 (REASUNOS)

瑞森半導體(REASUNOS)起步于2007年,是一家專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售的國家級高新技術企業, 致力于為全球客戶提供功率半導體整體解決方案。

公司專注于高質、高性能的產品研發,核心研發第三代寬禁帶半導體技術,是國內碳化硅(SiC)產品系列較早實現量產并全球銷售的企業。品質、性能對標國際品牌,成功替代眾多進口系列,助力芯片國產化。在集成芯片領域, 國內首創單級大功率400W高PF無頻閃LED驅動IC,是具備較強競爭力、自主創新的產品。在功率器件領域,就更高耐壓、更大電流,模塊化等發展方向以及GaN HEMTs系列持續投入研發中。

公司產品涵蓋碳化硅MOS、碳化硅二極管、硅基平面MOS、超結MOS、中低壓MOS、LED驅動IC、電機驅動IC和系列ESD&TVS靜電保護器件等,憑借產品可靠性高、參數一致性好等特點,廣泛應用于新能源汽車 、充電樁、光伏、逆變、儲能、白色家電、工業控制和消費類電子等領域。

瑞森半導體始終關注客戶需求,將產品研發放在首要位置,公司于2022年成立瑞森半導體科技(湖南)有限公司,并與湖南大學創建“湖南大學半導體學院產教融合基地”,進行半導體技術與應用創新的深度研發合作。

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審核編輯 黃宇

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