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基于S3C4510B型微處理器的最小系統(tǒng)設(shè)計(jì)

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:jf_pJlTbmA9 ? 作者:jf_pJlTbmA9 ? 2023-07-23 15:17 ? 次閱讀

簡(jiǎn)介:介紹S3C4510B型ARM微處理器和基于該處理器設(shè)計(jì)的最小系統(tǒng),概述該系統(tǒng)外圍應(yīng)用電路的選型,以便使用者自行設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)。

ARM(Advanced RISC Machines),既可以認(rèn)為它是一個(gè)公司的名字,也可以認(rèn)為它是一類微處理器的統(tǒng)稱,還可以認(rèn)為它是一種技術(shù)名稱,習(xí)慣上稱之為"高級(jí)精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī)機(jī)器公司"。目前,各種各樣ARM微處理器的設(shè)備應(yīng)用數(shù)量已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了通用計(jì)算機(jī)。在工業(yè)和服務(wù)領(lǐng)域中,使用ARM微處理器的數(shù)字機(jī)床、智能工具、工業(yè)機(jī)器人、服務(wù)機(jī)器人正在逐漸改變著傳統(tǒng)的工業(yè)生產(chǎn)和服務(wù)方式。因此,基于ARM微處理器的開(kāi)發(fā)應(yīng)用正成為數(shù)據(jù)時(shí)代的應(yīng)用技術(shù)潮流。本文介紹S3C4510B型ARM微處理器最小系統(tǒng)的構(gòu)建,并給出系統(tǒng)外圍相關(guān)器件的選型。

2 S3C4510B

S3C4510B是韓國(guó)三星公司(Samsung)基于以太網(wǎng)應(yīng)用系統(tǒng)的高性價(jià)比16/32位RISC微處理器,內(nèi)含1個(gè)由ARM公司設(shè)計(jì)的低功耗、高性能16/32位ARM7TDMI型RISC處理器核,最適合用于對(duì)價(jià)格和功耗敏感的應(yīng)用領(lǐng)域。

S3C4510B的工作電壓為3.3V,總高主頻為50MHz,采用208引腳QFP封裝。其外部數(shù)據(jù)總線(雙向、32位)支持外部8、16位、32位的數(shù)據(jù)寬度;22位的地址總線可尋址每一個(gè)ROM/SRAM組、FLASH存儲(chǔ)器組、DRAM組和外部I/O組4M字(16M字節(jié))的地址范圍。該微處理器內(nèi)建37個(gè)32位的寄存器(31個(gè)通用寄存器和6個(gè)狀態(tài)寄存器),在某一時(shí)刻寄存器能否訪問(wèn)由處理器的當(dāng)前工作狀態(tài)和操作模式?jīng)Q定。單個(gè)S3C4510B具有的片內(nèi)外圍功能模塊包括1個(gè)帶總線請(qǐng)求/應(yīng)答引腳的外部總線控制器;1個(gè)32位系統(tǒng)總線仲裁器;1個(gè)可配置為內(nèi)部SRAM的一體化指令/數(shù)據(jù)Cache(8KB);1個(gè)僅支持主控模式的ⅡC接口;1個(gè)Ethernet控制器;2個(gè)帶緩沖描述符的HDLC(高層數(shù)據(jù)鏈路控制)通道;1個(gè)DMA控制器;2個(gè)可工作于DMA方式或中斷方式的UART模塊;2個(gè)可編程32位定時(shí)器;18個(gè)可編程I/O口;1個(gè)含有21個(gè)中斷源的中斷控制器和1個(gè)PLL電路。

3 硬件設(shè)計(jì)

3.1 最小系統(tǒng)設(shè)計(jì)


最小系統(tǒng)是由保證微處理器可靠工作所必須的基本電路組成的。S3C4510B的最小系統(tǒng)由S3C4510B、電源電路、晶體振蕩器電路、復(fù)位電路和JTAG接口電路組成。它們的連接關(guān)系如圖1所示。

pYYBAGDeja-AL64nAADu99bVEJM103.jpg

3.1.1 電源電路

在系統(tǒng)中,S3C4510B及部分外圍器件需3.3V電源,另外,部分器件需要5V電源,為簡(jiǎn)化系統(tǒng)電源電路的設(shè)計(jì),要求整個(gè)系統(tǒng)的輸入電壓為5V直流穩(wěn)壓電源。為了得到可靠的3.3V電壓,此處選用Linear Technology公司生產(chǎn)的LT1085CT-3.3型DC-DC變換器,它的輸入電壓為5V,輸出電壓為3.3V,輸出電流可達(dá)3A。電源電路如圖2所示。

3.1.2 晶體振蕩器電路

該電路用于向S3C4510B和其他電路提供工作時(shí)鐘。鑒于有源晶體振蕩器在工作可靠性和精度上都要優(yōu)于無(wú)源晶體振蕩器,故在系統(tǒng)中使用了有源晶體振蕩器。根據(jù)S3C4510B的最高工作頻率及PLL電路的工作方式,選擇10MHz的有源晶體振蕩器,其頻率經(jīng)過(guò)S3C4510B內(nèi)部PLL電路倍頻后,最高可達(dá)50MHz。內(nèi)部PLL電路兼有頻率放大和信號(hào)提純的功能,因此,系統(tǒng)可以以較低的外部時(shí)鐘信號(hào)獲得較高的工作頻率。晶體振蕩器電路如圖3所示。

3.1.3 復(fù)位電路

該電路主要完成系統(tǒng)的上電復(fù)位和系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)用戶的按鍵復(fù)位功能,有助于用戶調(diào)試程序。此處選用IMP公司生產(chǎn)的IMP708TCSA型復(fù)位電路,它的工作電壓為3.3V,具有1個(gè)手動(dòng)復(fù)位輸入引腳和2個(gè)復(fù)位輸出引腳(高電平有效引腳和低電平有效引腳各1個(gè)),可以滿足不同復(fù)位信號(hào)的要求。復(fù)位電路如圖4所示。

pYYBAGDejbOAKiPvAABXHWpplJQ198.jpg

3.1.4 JTAG接口電路

JTAG(Joint Test Action Group-聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)小組)是一種國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試協(xié)議,主要用于芯片內(nèi)部測(cè)試及對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行仿真、調(diào)試,JTAG技術(shù)是一種嵌入式測(cè)試技術(shù)。通過(guò)JTAG接口可對(duì)芯片內(nèi)部的所有部件進(jìn)行訪問(wèn),是開(kāi)發(fā)調(diào)試嵌入式系統(tǒng)的一種簡(jiǎn)潔高效的手段。它有2種連接標(biāo)準(zhǔn),即14針接口和20針接口。此處選擇14針接口的標(biāo)準(zhǔn)。JTAG接口電路如圖5所示。

poYBAGDejbaAIoNMAABqZlJrU6w287.jpg

在設(shè)計(jì)完以上4部分電路后,S3C4510B就具有安全和可靠工作的基本條件。

3.2 外圍引出接口設(shè)計(jì)

最小系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是為更好地研究開(kāi)發(fā)微處理器服務(wù)的,因此,還應(yīng)將微處理器的一些必要引腳用接口插座引出,方便實(shí)驗(yàn)開(kāi)發(fā)使用。下面將以模塊為單元介紹典型的需要引出的引腳,并給出相應(yīng)電路的選型。

3.2.1 FLASH存儲(chǔ)器模塊

所需引腳為ADDR[21:0]、XDATA[31:0]、nRCS0、nOE、nWBE0、nRESFT。推薦電路為INTEL公司生產(chǎn)的TE28F320B,其存儲(chǔ)容量為32M位(4M字節(jié)),工作電壓為2.7V-3.6V,采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝,16位數(shù)據(jù)寬度。

3.2.2 SDRAM模塊

所需引腳為ADDR[21:0]、XDATA[31:0]、nSDCS0、nDWE、nSDRAS、nSDCAS、nWBE0、nWBE1、SDCLK、CKE。推薦電路為Winbond公司的W986416DH,其存儲(chǔ)容量為4組×16M位(8M字節(jié)),工作電壓為3.3V,常見(jiàn)封裝為54腳TSOP,兼容LVTTL接口,支持自動(dòng)刷新和自刷新,16位數(shù)據(jù)寬度。

3.2.3 以太網(wǎng)接口模塊

所需引腳為TX_ERR、TXD[3:0]、TX_EN、TX_CLK、RX_ERR、RXD[3:0]、RX_CLK、RX_DV、RX_ERR、nRESET、CRS、COL。推薦接口電路為Davicom公司生產(chǎn)的DM9161,它是單口高速以太網(wǎng)物理層接口電路,可提供MII接口和傳統(tǒng)7線制網(wǎng)絡(luò)接口,工作電壓為3.3V。

3.2.4 I2C接口模塊

所需引腳為SCL、SDA。此處外擴(kuò)1個(gè)Atmel公司生產(chǎn)的AT24C01作為I2C接口模塊的存儲(chǔ)器,其工作電壓為5V,可提供128字節(jié)的EEPROM存儲(chǔ)空間,用于存放少量在系統(tǒng)掉電時(shí)需要保存的數(shù)據(jù)。

3.2.5 實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊

所需引腳為E_ADDR3、SCL、SDA。Philips公司生產(chǎn)的PCF8583是一種低功耗CMOS實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷接口電路,工作電壓為3.3V,內(nèi)置256字節(jié)的SRAM,通過(guò)I2C接口與外部進(jìn)行數(shù)據(jù)通信,每次讀、寫操作完成后,內(nèi)置的地址寄存器會(huì)自動(dòng)增加。

3.2.6 ADC模塊

所需引腳為E_ADDR0、E_ADDR1、E_ADDR2、E_nWBE0、E_nOE、nADC_CS,ADC_CLK。National公司生產(chǎn)的ADC0809是一種8位8通道逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器,工作電壓為5V,具有高速、高精度、溫度依賴性小和功耗低等特點(diǎn)。

3.2.7 DAC模塊

所需引腳為E_D[7:0]、nDAC_CS。National公司生產(chǎn)的DAC0832是8位CMOS D/A轉(zhuǎn)換器,工作電壓為5V,由8位輸入寄存器、8位DAC寄存器、8位D/A轉(zhuǎn)換器和轉(zhuǎn)換控制電路組成,2級(jí)寄存器使它能夠?qū)崿F(xiàn)多路D/A的同步轉(zhuǎn)換輸出。

3.2.8 通用I/O接口模塊

引腳P0-P3可外接跳線選擇高、低電平用作狀態(tài)輸入或其他輸入功能;引腳P4-P7可外接LED,用作程序運(yùn)行狀態(tài)的顯示或其他輸出顯示。

以上僅列出了8種模塊所用到的引腳和電路,此外還有串行接口模塊、總線驅(qū)動(dòng)模塊、譯碼模塊、LED/LCD顯示模塊、鍵盤模塊等,不再一一列舉。以上提到的E_xxx引腳均為經(jīng)過(guò)總線驅(qū)動(dòng)與電平轉(zhuǎn)換電路后的引腳,此類電路有TI公司的N74ALVC16245(雙8通道)、SN74LVC4245(通道)等。

4 硬件調(diào)試

系統(tǒng)上電后,電源電路的輸出電壓為DC3.3V;有源晶體振蕩器的輸出頻率為10MHz;復(fù)位電路的輸出端(以低電平有效引腳為例)在按鈕未按下時(shí)輸出為高電平,按下按鈕后為低電平,按鈕松開(kāi)后輸出端恢復(fù)為高電平。

通過(guò)JTAG接口調(diào)試S3C4510B,上電前應(yīng)檢查S3C4510B的引腳nEWAIT是否已上拉,引腳ExtMREQ是否已下拉,對(duì)這2個(gè)引腳的處理關(guān)系到S3C4510B能否正常工作,必須非常注意。上電后,如果在使能片內(nèi)PLL電路的情況下,引腳MCLKO/SDCLK可輸出50MHz的波形,就說(shuō)明S3C4510B已正常工作。此時(shí),就可使用集成開(kāi)發(fā)工具ADS或SDT通過(guò)JTAG接口對(duì)電路內(nèi)的部件訪問(wèn)和控制,如通過(guò)對(duì)電路內(nèi)部控制通用I/O口的特殊功能寄存器的操作來(lái)點(diǎn)亮連接在P4-P7口上的LED,如果LED能夠按照寄存器的設(shè)置正常開(kāi)關(guān),那就說(shuō)明所設(shè)計(jì)的最小系統(tǒng)是可靠的。

5 結(jié)束語(yǔ)

ARM微處理器將以其極好的性能和極低的功耗與高端的MIPS和PowerPC嵌入式微處理器抗衡。可以預(yù)見(jiàn),在將來(lái)一段時(shí)間內(nèi),ARM微處理器仍將主宰32位嵌入式微處理器市場(chǎng)。學(xué)習(xí)和掌握ARB微處理器技術(shù)是非常必要的,而設(shè)計(jì)ARM微處理器是最小系統(tǒng)是一種學(xué)習(xí)該技術(shù)的極佳方法。

審核編輯:湯梓紅

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