相較于1200V的硅基二極管，SiC二極管采用肖特基結(jié)構(gòu)，具備較低的正向?qū)妷骸?/span>

SiC二極管的較小反向恢復電流能夠帶來更好的EMI性能。

SiC材料擁有更好的導熱效果，有利于降低結(jié)溫，進而提高系統(tǒng)的可靠性。

如下圖所示，納芯微的SiC二極管采用MPS結(jié)構(gòu)設計，與傳統(tǒng)的JBS結(jié)構(gòu)相比，具有顯著優(yōu)勢。MPS結(jié)構(gòu)中的PN結(jié)構(gòu)在大電流下更容易開啟，通過向高電阻的漂移區(qū)注入少數(shù)載流子形成電導調(diào)節(jié)效應，從而顯著降低漂移區(qū)的導通電阻。在保持器件正向?qū)妷翰蛔兊那闆r下，器件的抗浪涌電流能力得到顯著增強。

納芯微SiC二極管結(jié)構(gòu)設計示意圖

納芯微NPD020N120A SiC二極管在額定電流下的正向?qū)妷簩崪y典型值為1.39V，而單次浪涌電流的實測典型值可以達到220A，是正向額定電流的11倍，性能優(yōu)于行業(yè)水平。

這意味著納芯微的SiC二極管具有更低的正向?qū)妷海瑫r在面對瞬態(tài)高電流沖擊時，具備更強的抗浪涌能力。這種性能優(yōu)勢使得納芯微的SiC二極管在高功率應用中表現(xiàn)出色，為系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性提供了重要保障。

納芯微具備完善且嚴格的質(zhì)量管理體系。為客戶提供最可靠的碳化硅二極管產(chǎn)品，我們在碳化硅芯片的生產(chǎn)過程中實施了嚴格的質(zhì)量控制措施。每個碳化硅二極管產(chǎn)品都經(jīng)過100%的靜態(tài)電參數(shù)測試和100%的抗雪崩能力測試。為了驗證產(chǎn)品的可靠性，我們按照JEDEC標準甚至更嚴格的測試條件進行驗證。例如，在HTRB項目中，我們將電壓耐受能力增加到100%的額定耐壓（對于1200V系列二極管，即使用1200V進行HTRB可靠性實驗）。同時，我們將測試時間從1000小時增加到3000小時等，以確保產(chǎn)品的可靠性。

納芯微始終致力于確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性，我們的質(zhì)量控制措施和嚴格的測試流程旨在提供給客戶最可靠的碳化硅二極管產(chǎn)品。

除了SiC二極管產(chǎn)品外，納芯微也在積極研發(fā)和驗證1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，并將于近期推出。納芯微的SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過全面的車規(guī)級驗證，以確保完全符合汽車級應用的要求。

納芯微SiC二極管系列產(chǎn)品目前可提供樣品,如需申請樣片或訂購可郵件至sales@novosns.com，更多信息敬請訪問www.novosns.com.