MOSFET是電路中非常常見的元件，常用于信號(hào)開關(guān)、功率開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。

MOSFET選型原則

1、是N-MOS還是P-MOS：N-MOS性價(jià)比高

（1）從電路結(jié)構(gòu)上看，低壓側(cè)開關(guān)選N-MOS，高壓側(cè)開關(guān)選P-MOS；

（2）從成本和便利性上看，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，物料成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，物料成本高；

（3）從性能上看，NMOS導(dǎo)通電阻小，發(fā)熱量更低，允許通過的電流大，應(yīng)用場(chǎng)景也更廣泛，正激，反激、推挽、半橋、全橋等拓?fù)潆娐范寄軕?yīng)用。

2、選取封裝類型：SMT器件生產(chǎn)效率高

（1）溫升和熱設(shè)計(jì)是選取封裝最基本的要求，基本原則就是在保證MOSFET的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的型號(hào)；

（2）系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)尺寸限制；

（3）功耗或散熱方面的需求；

（4）生產(chǎn)、裝配、維修的效率和便利性。

3、選取耐壓BVdss：預(yù)留足夠的余量

（1）產(chǎn)品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數(shù)，在實(shí)際的應(yīng)用中要結(jié)合這些因素綜合考慮。

（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個(gè)尖峰脈沖電壓的持續(xù)只有幾個(gè)或幾十個(gè)ns，MOSFET管也會(huì)進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)而發(fā)生損壞。

（3）因此MOSFET管的雪崩電壓通常發(fā)生在1.2～1.3倍的BVDSS，而且持續(xù)的時(shí)間通常都是μs、甚至ms級(jí)，因此在選擇BVdss時(shí)需要留有足夠的余量。

4、選取Id電流：預(yù)留足夠的余量

（1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負(fù)載能力，超過這個(gè)值可能會(huì)因?yàn)槌?fù)荷導(dǎo)致MOSFET損壞。

（2）Id電流參數(shù)選擇時(shí)，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保MOSFET能夠承受最大的電流值。

（3）Id電流具有負(fù)溫度系數(shù)，電流值會(huì)隨著結(jié)溫度升高而降低，因此應(yīng)用時(shí)需要考慮的其在高溫時(shí)的Id值能否符合要求。

5、選取柵極閾值電壓Vth：需結(jié)合電路需求選擇

（1）Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí)，柵極使用的電壓；

（2）Vth具有負(fù)溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。

（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電壓，選取合適閾值電壓的MOSFET管。

（4）閾值電壓越高抗干擾性能越強(qiáng)，可以減少尖峰脈沖造成的電路誤觸發(fā)。

6、選取導(dǎo)通電阻Rds（on）：越低越好

（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。

（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds（on）電阻值會(huì)隨著電流增大輕微上升，因此選擇時(shí)需要留有余量。

（3）Rds（on）低的MOSFET通常成本比較高，可以通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路，改進(jìn)散熱等方式，選用Rds（on）較大一些的的低成本器件。

7、選取寄生電容/柵電荷：Ciss、Coss、Crss；Qg、Qgd、Qoss：越小越好

（1）影響開關(guān)性能參數(shù)，最重要的是Ciss、Coss和Crss的電容，這些電容在工作時(shí)重復(fù)充放電產(chǎn)生開關(guān)損耗，導(dǎo)致MOSFET開關(guān)速度下降，效率降低。

（2）柵電荷反映存儲(chǔ)在端子間的電荷，在開關(guān)電路工作時(shí)，電容上的電荷會(huì)隨著電壓變化，因此設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)需要考慮柵極電荷的影響。

8、熱設(shè)計(jì)：按照最壞情況來設(shè)計(jì)

（1）確保MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，關(guān)注封裝的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及最高的結(jié)溫。

（2）設(shè)計(jì)人員需充分考慮最壞情況和真實(shí)情況，建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果，確保系統(tǒng)不會(huì)失效。

（3）如果系統(tǒng)允許，盡量加大散熱器尺寸和選用更好的散熱方式，提升系統(tǒng)工作穩(wěn)定性。

9、其他：

MOSFET選型時(shí)還需要關(guān)注開關(guān)時(shí)間（ton、toff）、內(nèi)部寄生二極管、低頻跨導(dǎo)gm等參數(shù)。

mosfet選型要考慮哪些因素

1.根據(jù)應(yīng)用環(huán)境決定可預(yù)知的參數(shù)，比如Vds-peak；Id（MAX）;Tamba；Rθj-a等參數(shù)。

2.選定V（BR）DSS；按照原則來說，V（BR）DSS約等于110%*Vds-peak。

3.選定ID；ID約等于（300%~500%）*ID（max）。

4.選擇Ron，Qg，Rth大者（這個(gè)要結(jié)合成本考慮選擇，在低成本可選擇的條件下，選擇大者）。

5.計(jì)算PD，這個(gè)要根據(jù)應(yīng)用環(huán)境及上述選定的參數(shù)來進(jìn)行計(jì)算。

6.計(jì)算耗散功耗約束：PD（max）

7.核算總PD是否符合功耗約束，如果PD相對(duì)于PD（max）太小或者太大都不可行，都要從第3部重新開始選擇；如PD與PD（max）基本接近，那么我們的初級(jí)選型就算是通過了。