一個簡單而有用的基于微處理器的Arduino全橋逆變器電路可以通過使用SPWM對Arduino板進行編程,并通過在H橋拓撲中集成一些MOSFET來構建。
在我們之前的一篇文章中,我們全面學習了如何構建簡單的Arduino正弦波逆變器,在這里我們將看到如何將相同的Arduino項目應用于構建簡單的全橋或H橋逆變器電路。
使用 P 溝道和 N 溝道 MOSFET
為了簡單起見,我們將使用 P 溝道 MOSFET 用于高端 MOSFET,將 N 溝道 MOSFET 用于低側
mosfet,這將使我們能夠避免復雜的自舉級,并實現 Arduino 信號與 mosfet 的直接集成。
在設計基于全橋的逆變器時,通常采用N溝道MOSFET,這確保了MOSFET和負載之間最理想的電流切換,并確保MOSFET更安全的工作條件。
然而,當使用 p 和 n 溝道 MOSFET 的組合時,MOSFET 上的擊穿風險和其他類似因素成為一個嚴重的問題。
話雖如此,如果過渡階段得到適當的保護,死區時間很短,則可以使開關盡可能安全,并且可以避免MOSFET的吹掃。
在此設計中,我專門使用了使用IC 4093的施密特觸發NAND門,以確保兩個通道之間的開關清晰,并且不受任何類型的雜散瞬變或低信號干擾的影響。
柵極 N1-N4 邏輯操作
當引腳 9 是邏輯 1,引腳 8 是邏輯 0 時
N1 輸出為 0,左上角 p-MOSFET 導通,N2 輸出為 1,右下角 n-MOSFET 導通。
N3 輸出為 1,右上方 p-MOSFET 關閉,N4 輸出為 0,左下角 n-MOSFET 關閉。
其他對角線連接的MOSFET發生完全相同的順序,當引腳9為邏輯0,引腳8為邏輯1時
如上圖所示,借助以下幾點可以理解這款基于Arduino的全橋正弦波逆變器的工作情況:
Arduino 被編程為從引腳 #8 和引腳 #9 生成適當格式的 SPWM 輸出。
當其中一個引腳生成 SPWM 時,互補引腳保持低電平。
上述引腳排列的相應輸出通過IC
1的施密特觸發NAND柵極(N4---N4093)進行處理。柵極全部布置為具有施密特響應的逆變器,并饋送到全橋驅動器網絡的相關MOSFET。
當引腳#9產生SPWM時,N1反相SPWM,并確保相關的高端MOSFET響應并傳導SPWM的高邏輯,N2確保低側N溝道MOSFET也這樣做。
在此期間,引腳#8保持在邏輯零(非活動),由N3 N4適當解釋,以確保H橋的另一對互補MOSFET保持完全關斷。
當SPWM生成從引腳#8過渡到引腳#9時,上述標準相同重復,并且設置的條件在Arduino引腳排列和全橋MOSFET對上連續重復。
電池規格
為給定的Arduino全橋正弦波逆變器電路選擇的電池規格為24V / 100Ah,但是可以根據用戶偏好為電池選擇任何其他所需的規格。
轉換器初級電壓規格應略低于電池電壓,以確保SPWM RMS在變壓器的次級按比例產生約220V至240V。
4093 IC 引腳排列
IRF540 引腳排列詳細信息(IRF9540 也將具有相同的引腳排列配置)
更簡單的全橋替代方案
下圖顯示了使用 P 和 N 溝道 MOSFET 的替代 H 橋設計,該設計不依賴于 IC,而是使用普通 BJT 作為隔離 MOSFET
的驅動器。
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