電弧離子鍍是一種高能沉積工藝。基體為陽極，電弧靶為陰極。基于陰極真空電弧放電原理進行鍍膜。

鍍膜時，電弧針在磁場的作用下移動到靶面，使周圍的氣體分子電離并點燃電弧源，陰極靶面上出現大量的陰極弧斑，這些弧斑在靶面上迅速進行不規則地移動，并引起電弧靶燃燒，使陰極靶表面蒸發并發生電離，從而產生大量金屬正離子。

這些金屬離子一方面維持著電弧靶的電弧放電，另一方面在負偏壓作用下，它們直接沉積在基底上或與其他離子結合沉積在基底上。

在電弧離子鍍中，由于電弧等離子體是從靶材中發射并電離的致密金屬物質，具有裝置結構簡單、金屬電離率高、膜基結合力強、沉積離子能量高等優點。

然而，電弧離子鍍存在著基體負偏壓大、粒子攜帶能量大、鍍層應力大、對基體材料有一定損傷等缺點。

除此之外，比較大的問題是在實驗過程中會有大量的金屬液滴沉積在薄膜表面，這些大液滴有的只是簡單的附著在薄膜表面，有的則會穿透整個膜表層，從而增加了膜層的表面粗糙度，產生了內部缺陷，進而影響薄膜的光學性能。

這些金屬液滴形成的主要原因是在沉積薄膜時，電弧放電所產生的局部高溫會在靶材表面產生一些微小的熔池，熔出大液滴并沉積在基底上。一般來說，在多弧離子鍍設備中，真空度、負偏壓、溫度和蒸發距離等都是影響薄膜生長的關鍵因素。

隨著科學技術的進步和高端制造業的發展，電弧離子鍍技術取得了很大的進步，可以制備出結構和性能更好的薄膜。

在機器視覺和半導體設備、3D成像和打印、太陽能和光伏發電、生命科學和醫療等產品的研發過程中，我們經常需要一些比較精密的LED光源，目前市場上主要是LED+導光板的簡單形狀組合，在過去的時代尚能使用，在AI時代，達到光學精度級別的光源才能滿足您的需求。

以下是為您推出的一些精密的光學精度的光源系列產品：LumiPro3D

(工業和商業)

具有廣闊的景深和高分辨率成像 (NA0.11, f/4.5)，可在455-460nm的尺寸下進行脈沖操作。這款帶有偽隨機點云網紋可用于立體視覺的強大圖案投影儀是滿足您3D掃描需求的解決方案。

Lumi3D

(工業和商業)

具有25-32W的紫外線功率。 單個照明器的多光譜輸出，可快速斷開連接，實現無溢出耦合。專為DLP9000設計, 包裝中含有專用驅動器/控制器。

LumiBright

(醫藥和生命科學，工業和商業)

具有非成像光學器件，可將 LED陣列發出的光線引導至所需的錐角，具有高度均勻的照明。光功率高達 30W / 4000 流明，范圍從紫外光到近紅外光。

LumiFiber

(醫藥和生命科學，工業和商業)

具有強而穩定的光功率，是光纖應用的理想選擇。 支持最大2mm的光纖束。 高達25W的紫外光至近紅外光。專為SMA905連接器或對接連接器而設計。

LumiBlaze

(工業和商業)

定制鏡頭具有多種波長選擇，具有高均勻性和高亮度的特點，適合在光線充足的地方使用。操作模式包括CW、PWM 模式和脈沖模式。

LumiBlazeR

(工業和商業)

具有多個領域可更換的精密標線選項與標準或自定義模式，專為1英寸C型鏡頭設計，能進行高強度的長距離工作，操作模式包括CW、PWM 模式和脈沖模式。

LumiFlood & LumiLine

(工業和商業)

具有高度均勻的輸出、緊湊而堅固的設計適用于紫外線固化和其他可見應用。50x50mm，工作距離為27mm。

LumiPro

(醫藥和生命科學)

具有可調節焦距和集成濾光片選項。可在一個單元中應用單波長或多波長。可單獨尋址的波長。

LumiXP

(微電子與半導體)

具有高均勻性和高功率的特點，可實現快速生產。用于接觸式曝光系統。在一個單元內可混合使用各種波長。金屬模具可單獨尋址。

LumiDL

(微電子和半導體，工業和商業)

具有高輻射功率(>30W)的特點，可從單個照明器輸出多波長。具有快速斷開的無泄漏接頭。DLP9500和DLP7000在DMD上能高均勻度輸出。

LumiSpectra

(醫藥和生命科學，工業和商業)

具有兩種不同的選擇：透鏡和光纖(最大6mm)。 輻射功率輸出>0.30mW/(nm-mm2- sr)連續光譜為400nm-990nm，可擴展至 1700nm。

LumiSunTM-50

(太陽能和光伏發電)

具有符合 IEC AAA 級標準且輸出光譜可調節的特點。采用多光譜 LED 和用戶友好型的前面板 GUI，提供 0.1 至1.5 SUNS 的均勻和穩定的照明。50x50 mm。

LumiSunTM-OEM

(太陽能和光伏發電)

具有0.4 至 1.5 SUNS 的輻照度，適用于光伏電池測試和研究、光化學、生物學以及材料測試。不含汞和臭氧，可用于硅或CdTe光譜的型號。 50x50 mm。

審核編輯：湯梓紅