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QFN封裝工藝講解

單片機(jī)開(kāi)發(fā)宇凡微 ? 來(lái)源:?jiǎn)纹瑱C(jī)開(kāi)發(fā)宇凡微 ? 作者:?jiǎn)纹瑱C(jī)開(kāi)發(fā)宇凡微 ? 2023-08-21 17:31 ? 次閱讀

四面無(wú)引線扁平封裝(Quad Flat No-lead Package, QFN)屬于表面貼裝型封裝, 是一種無(wú)引腳且呈方形的封裝, 其封裝四側(cè)有對(duì)外電氣連接的導(dǎo)電焊盤(pán)(引腳),引腳節(jié)距一般為0.65mm、0.5mm、0.4mm、0. 35mm。

由于封裝體外部無(wú)引腳, 其貼裝面積和高度比QFP小。QFN封裝底部中央有一個(gè)大面積外露的導(dǎo)熱焊盤(pán)。QFN封裝無(wú)鷗翼狀引線, 內(nèi)部引腳與焊盤(pán)之間的導(dǎo)電路徑短, 自感系數(shù)及體內(nèi)線路電阻低, 能提供優(yōu)越的電性能。外露的導(dǎo)熱焊盤(pán)上有散熱通道, 使QFN封裝具有出色的散熱性。

上圖分別是WB-QFN (Wire Bonding-QFN)和FC-QFN(Filp Chip-QFN)基本結(jié)構(gòu)示意圖。這些結(jié)構(gòu)加上MCP技術(shù)和SiP等封裝技術(shù),為QFN的靈活多樣性提供了良好的I/O設(shè)計(jì)解決方案,也進(jìn)一步提高了封裝密度。

QFN的工藝流程與傳統(tǒng)封裝的接近, 主要差異點(diǎn)如下所述。

(1)Q FN產(chǎn)品框架在塑封前一般采取貼膜工藝,進(jìn)行球焊時(shí)的球焊參數(shù)模式與傳統(tǒng)的有差異, 若控制不當(dāng), 會(huì)造成焊線第2點(diǎn)的斷裂;另外,矩陣框架的塑封工藝必須采取多段注射方式來(lái)避免氣泡和沖線的發(fā)生。

(2)QFN產(chǎn)品的分離是采取切割工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)的,切割過(guò)程中要采取合適的工藝(如低溫水)來(lái)避免熔錫,采用樹(shù)脂軟刀來(lái)減少切割應(yīng)力, 采用合適的切割速度來(lái)避免分層等。

(3)QFN產(chǎn)品通過(guò)選擇不同收縮率的塑封料來(lái)控制翹曲, 不同厚度和大小的芯片需要選擇不同收縮率的塑封料。

(4)QFN產(chǎn)品的框架均為刻蝕框架, 框架設(shè)計(jì)包含應(yīng)力、抗分層、預(yù)防毛刺等考慮因素, 框架設(shè)計(jì)的好壞決定著產(chǎn)品品質(zhì)的水平。

傳統(tǒng)上芯(裝片)的QFN產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝流程如下:

wKgZomTi2M-ABjvRAABD1ij2bkg03.jpeg

倒裝上芯的QFN產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝流程如下

wKgZomTi2M-AA0nMAAA51YDLEqM72.jpeg

在常見(jiàn)的QFN封裝下,宇凡微還提供定制封裝服務(wù),如QFN20等,能定制十多種特殊的封裝。

審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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