芯片亮點

VDD耐壓高：芯片VDD耐壓大于40V，高于海外競品10V以上；

工作頻率可調：芯片振蕩器工作頻率由外圍電阻RRT、電容CCT所設定，頻率可達500kHz；

驅動能力強：芯片采用大電流圖騰柱式輸出驅動，提供±1A的峰值輸出驅動能力，應用場景更廣泛；

運放內部集成：芯片內部集成了高增益，低輸出阻抗的誤差放大器。可通過內部運放實現閉環反饋；

芯片系列化：芯片按照啟動電壓閾值、最大占空比、以及工作電流大小進行區分，推出多個版本，適配不同需求；

應用靈活：芯片內部邏輯簡單，可靈活搭建Buck、Boost、Buck-Boost、反激等諸多電路拓撲，還可作為PWM發生器來使用；

AP8262X系列版本區分

高可靠性

Chipown工業輔源系列芯片全部通過工業級JEDEC可靠性嚴苛認證。

問題一

芯片工作頻率是如何產生的？

AP8262X系列芯片內部集成振蕩器電路，工作頻率由外圍電阻RT、電容CT充放電時間所決定，頻率可達500kHz。

AP8262振蕩器工作示意圖

在一個脈沖周期里，芯片基準源VREF通過電阻RRT給電容CCT充電，VRT/CT上升到內部設定電壓上限VRT/CT_H時，振蕩器電路控制內部電流源對CCT以恒流Idisc放電，VRT/CT放電至內部設定電壓下限VRT/CT_L時，泄放電路關閉，CCT重新充電，開啟新一周期。

AP8262 RT/CT引腳波形示意圖

可參考以下簡化公式來設計RRT、CCT：

問題二

RRT電阻阻值與CCT電容容值可以

隨意選取嗎？

理論上RRT 、CCT 大小可以隨意選取，但實際應用中RRT 、CCT存在一個合理的選擇范圍。

RRT太小會使得給CCT充電電流較大，當充電電流超過內部放電電流時，CCT無法放電，振蕩器停止工作；

當RRT選好后，CCT太小會使得三角波下降沿時間較短。若三角波下降沿時間小于芯片內部延時與驅動下降沿時間，則驅動將出現異常；

在確定的頻率下，RRT或CCT一方選擇太大，則會使得另一方太小；

因此綜合考慮，RRT推薦值5kΩ~100kΩ，CCT推薦值1nF~100nF。

問題三

不同版本AP8262X系列芯片

VDDon、VDDoff閾值不同，

該如何選擇？

對于帶輔助繞組供電的拓撲，建議選擇閾值遲滯電壓大的版本，確保在輔助繞組建立供電之前芯片VDD不會降到VDDoff以下（見典型應用一）；

對于輸入電壓較低的DC-DC應用，可選擇遲滯電壓小的版本，輸入電壓直接給VDD供電（見典型應用二） ；

對于輸入電壓較高或輸入電壓范圍寬的DC-DC應用，建議外接輔源供電或在輸入和VDD之間再接一級穩壓電路。

AP8262 UVLO功能示意圖

問題四

芯片如何實現系統閉環反饋？

AP8262X系列芯片內部集成了高增益，低輸出阻抗的誤差放大器。放大器同相端接入芯片內部2.5V基準，引出反相端FB和輸出端COMP方便進行環路配置與調整。

芯片實現穩壓反饋具有兩種方式，一種是使用外部的誤差放大器，如TL431，誤差放大器的輸出反饋到芯片的COMP腳，實現閉環反饋；另一種是將輸出電壓分壓反饋到芯片FB腳，通過芯片內部誤差放大器產生誤差反饋，即COMP腳電壓，來實現閉環反饋；

AP8262 反饋方式一

AP8262 反饋方式二

AP8262X系列芯片最大的特點就是使用靈活，工程師們可以通過搭建外圍電路來實現所需輔助功能。

01

軟啟動電路

軟啟動會使得啟動階段最大峰值電流限制逐步的提高，可以大大減小器件的應力。

芯片上電時，COMP腳內部恒流源通過二極管D1給電容C充電，COMP腳電壓隨電容C電壓逐步升高，從而使得脈沖電流逐步增大來實現軟啟動功能。二極管D2在系統下電時通過芯片內部阻抗給C放電，使得再次上電時軟啟動功能正常。

AP8262軟啟動電路

02

斜坡補償電路

峰值電流控制模式在CCM工況下占空比高于50%時，會出現次諧波振蕩，需要斜坡補償電路使得擾動逐步縮小。

將AP8262的RT/CT腳電壓通過一射極跟隨器電路，疊加到CS管腳電流采樣信號上，等效于對電流波形擾動添加了斜坡抑制，從而使得系統穩定，斜坡補償量通過RSLOPE電阻來調節。

AP8262斜坡補償電路

03

快速關斷電路

在需要快速關斷的場合，可以將芯片COMP腳電壓下拉到2VF以下（兩個二極管壓降），或將CS管腳電壓上拉至高電平來快速關斷芯片輸出。

這里提供了一種快速關斷電路，當給Q2基極施加一個高電平，通過兩個三極管的配合使COMP腳電壓下拉并保持該狀態。

AP8262快速關斷電路

AP8262X系列芯片簡單易用，可靈活搭建Buck、Boost、Buck-Boost、反激等諸多電路拓撲，還可作為PWM發生器來使用。以下推薦兩型典型應用電路。

典型應用一：離線應用，隔離反激拓撲，采用外部誤差放大器（TL431）進行反饋。供電采用輔助繞組供電。

AP8262 應用于原副邊隔離反激系統

典型應用二：DC-DC應用，Boost升壓拓撲，采用內部誤差放大器進行反饋（反饋接FB引腳），輸入電壓直接供電。

AP8262 應用于Boost升壓系統

應用要點

VDD和VREF電容CVDD和CVREF放在距離VDD、VREF管腳和GND管腳最近的地方；使用內部誤差放大器時，為了減小管腳對地寄生電容對于穩定性的不良影響，反饋網絡盡量靠近FB管腳，減小走線長度和面積。

振蕩器頻率設置電阻RRT、電容 CCT取值在推薦范圍之內，RRT推薦值為5kΩ~100kΩ，CCT推薦值為1nF~100nF。RRT、CCT到芯片管腳的連接盡量短，少外部干擾；CCT接地需要接到芯片地，接功率地會帶來不穩定干擾；

CS腳建議增加RC濾波器，提高抗干擾性，其截止頻率應大于10倍開關頻率。RCSF推薦值為1kΩ，CCSF推薦值為300pF。

啟動電阻RSTART（反激系統）的選取除了滿足啟動電流要求外，還需要綜合考慮啟動時間以及電阻上損耗；

電阻RBLEEDER可以避免欠壓鎖定期間芯片漏電流使得MOSFET誤開通，推薦值10kΩ；

審核編輯：劉清