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NXP GateDriver GD3160 簡(jiǎn)介

大大通 ? 2023-08-17 09:29 ? 次閱讀

一、前言

隨著新能源汽車(chē)的崛起,給汽車(chē)的三電領(lǐng)域帶來(lái)了相當(dāng)大的機(jī)遇。三電行業(yè),即電動(dòng)機(jī)、動(dòng)力電池、電控系統(tǒng),說(shuō)到動(dòng)力電池,相信很多人都不陌生,這就牽扯到我們所說(shuō)的 BMS 系統(tǒng)。但是這不是我們今天的主角,今天我們要談的是電動(dòng)機(jī)這部分。在新能源車(chē)充滿(mǎn)電之后,在馬路上行駛的情況下,整車(chē)依靠電池包供電,但是負(fù)責(zé)車(chē)身動(dòng)力的牽引電機(jī)是無(wú)法依靠小功率直流源驅(qū)動(dòng)。因此必須使用逆變器,將直流成分轉(zhuǎn)換成大功率交流量。

在逆變器中,包含有主控 MCU,以及本篇文章重點(diǎn)介紹的 Gate Driver,該器件可以將 MCU 的低電壓 PWM 控制轉(zhuǎn)換成大電流柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),從而驅(qū)動(dòng) IGBT 以及 SiC 等大功率晶體管,進(jìn)一步帶動(dòng)牽引電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。

二、Gate Driver 介紹

Gate Driver,柵極驅(qū)動(dòng)器,作為主控 MCU 以及晶體管之間的橋梁,首要任務(wù)就是根據(jù) MCU 發(fā)送的互補(bǔ)的 PWM 波去控制柵極導(dǎo)通以及柵極關(guān)斷來(lái)開(kāi)關(guān)晶體管。

其次,作為符合 ISO-26262 標(biāo)準(zhǔn),安全等級(jí)能到達(dá) ASILD 的元件,Gate Driver GD3160 高壓側(cè)以及低壓側(cè)存在隔離,可以通過(guò)線(xiàn)圈通訊,可以實(shí)現(xiàn)高壓/低壓電源監(jiān)控,內(nèi)部自檢 BIST、直接通過(guò) Safing Logic 獲取外部 SBC 安全狀態(tài)、死區(qū)控制保證自身正常運(yùn)行,并且可以通過(guò) INTA 實(shí)時(shí)監(jiān)控晶體管端電壓 VCE 以及柵極電壓 VGE。

一旦發(fā)生諸如短路(被 Desat 或 I-sense 引腳檢測(cè)到)等故障,GD3160 可以在 1us 時(shí)間內(nèi)關(guān)斷晶體管,避免管子損壞,同時(shí) INTB (SPI 配置)可以上報(bào)相關(guān)故障,該故障被 MCU 捕獲之后,可以發(fā)送相應(yīng)的 SPI 命令獲取 GD3160 狀態(tài)寄存器,讓 MCU 能夠知道是哪個(gè) GD3160 發(fā)生了什么故障,從而采取進(jìn)一步的行動(dòng)。

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GD3160 相對(duì)于上一代 GD3100,擁有額外的故障上報(bào)引腳(INTA),同時(shí)柵極電壓可以達(dá)到 25V,高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)的供電則是可以在 14V 以及 21V 之間選取,同時(shí)還擁有分段式驅(qū)動(dòng)功能(這是一種先進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù),在 SPI 配置使能之后,可以通過(guò) Desat 引腳檢測(cè)晶體管電壓,柵極關(guān)斷強(qiáng)度(以安培為單位)根據(jù)關(guān)斷時(shí)序逐級(jí)降低。分段驅(qū)動(dòng)通過(guò)降低關(guān)斷過(guò)程中短時(shí)很重要的那部分的電流來(lái)減緩關(guān)斷過(guò)程。該功能可進(jìn)一步降低關(guān)斷引起的電壓過(guò)沖,是降低關(guān)斷能耗,提高汽車(chē)?yán)m(xù)航里程的重要手段。

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另外 GD3162 作為 NXP 很快會(huì)推出的產(chǎn)品,柵極驅(qū)動(dòng)能力更強(qiáng),并且內(nèi)置了 DC link 放電控制器,大家可以期待一下。

如果各位對(duì) GD3160 感興趣,也歡迎前往 NXP 官網(wǎng),注冊(cè) NDA 獲取更多設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)資料。

三、參考文檔

[1] AN677710-AN13167_ HW and SW changes from GD3100 to GD3160(1.0).pdf

[2] HITACHI-NXP-WP.pdf

[3] AN675420-AN13129 Fault management, diagnostics, interrupt and priority table of GD3160 advanced IGBT and SiC gate driver(2.0).pdf

[4] ds587392 - GD3160 data sheet rev11.0 (9.2).pdf

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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