日前,日本半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)與從事ATM及通信設(shè)備的OKI公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出了低成本制造氮化鎵(GaN)的新技術(shù)。
據(jù)悉,這項(xiàng)技術(shù)可以使得氮化鎵材料的制造成本降低90%以上,如果能夠量產(chǎn),將大幅降低快充充電器、電動(dòng)汽車(chē)馬達(dá)電控等裝置的成本,有利于氮化鎵技術(shù)普及。
據(jù)了解,此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開(kāi)發(fā)的新技術(shù),可以在特有的基板上噴射鎵系氣體,使晶體生長(zhǎng)。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合,可以從基板上只揭下晶體,晶體放在其他基板上作為功率半導(dǎo)體的晶圓使用。
信越化學(xué)工業(yè)表示,在GaN基板上使GaN晶體生長(zhǎng)的制法不僅制造耗費(fèi)時(shí)間,成品率還很差,成本高。新制法可以高效制造晶體,可以降低9成成本。與在矽基板上使GaN晶體生長(zhǎng)的制法相比,不需要基板與晶體之間的絕緣層。加上晶體的厚膜化,可以通20倍大的電流。
信越化學(xué)工業(yè)還透露,這一技術(shù)可以制造6英寸晶圓,希望在2025年增大到8英寸,今后還考慮向半導(dǎo)體廠商銷(xiāo)售技術(shù)等業(yè)務(wù)模式。
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原文標(biāo)題:【國(guó)際資訊】制造成本可降低90%,日本信越開(kāi)發(fā)新技術(shù)
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