布局前的準(zhǔn)備：

1 查看捕捉點設(shè)置是否正確

2 Cell名稱不能以數(shù)字開頭。否則無法做DRACULA檢查

3 布局前考慮好出PIN的方向和位置

4 布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫在一起

5 對兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個圖中柵的走向盡量一致，不要有橫有豎

6 對pin分類，vdd，vddx注意不要混淆，不同電位（襯底接不同電壓）的n井分開，混合信號的電路尤其注意這點

7 在正確的路徑下（一般是進到~/opus）打開icfb

8 更改cell時查看路徑，一定要在正確的library下更改，以防copy過來的cell是在其他的library下，被改錯

9 將不同電位的N井找出來

布局時注意：

10 更改原理圖后一定記得check and save

11 完成每個cell后要歸原點

12 DEVICE的 個數(shù) 是否和原理圖一至（有并聯(lián)的管子時注意）;各DEVICE的尺寸是否和原理圖一至。一般在拿到原理圖之后，會對布局有大概的規(guī)劃，先畫DEVICE，（DIVECE之間不必用最小間距，根據(jù)經(jīng)驗考慮連線空間留出空隙）再連線。畫DEVICE后從EXTRACTED中看參數(shù)檢驗對錯。對每個device器件的各端從什么方向，什么位置與其他物體連線 必須 先有考慮（與經(jīng)驗及floorplan的水平有關(guān)）

13 如果一個cell調(diào)用其它cell，被調(diào)用的cell的vssx，vddx，vssb，vddb如果沒有和外層cell連起來，要打上PIN，否則通不過diva檢查。盡量在布局低層cell時就連起來

14 盡量用最上層金屬接出PIN

15 接出去的線拉到cell邊緣，布局時記得留出走線空間

16 金屬連線不宜過長

17 電容一般最后畫，在空檔處拼湊

18 小尺寸的mos管孔可以少打一點

19 LABEL標(biāo)識元件時不要用y0層，mapfile不認(rèn)

20 管子的溝道上盡量不要走線;M2的影響比M1小

21 電容上下級板的電壓注意要均勻分布;電容的長寬不宜相差過大。可以多個電阻并聯(lián)

22 多晶硅柵不能兩端都打孔連接金屬

23 柵上的孔最好打在柵的中間位置

24 U形的mos管用整片方形的柵覆蓋diff層，不要用layer generation的方法生成U形柵

25 一般打孔最少打兩個

26 Contact面積允許的情況下，能打越多越好，尤其是input/output部分，因為電流較大。但如果contact阻值遠(yuǎn)大于diffusion則不適用。傳導(dǎo)線越寬越好，因為可以減少電阻值，但也增加了電容值

27 薄氧化層是否有對應(yīng)的植入層

28 金屬連接孔可以嵌在diffusion的孔中間

29 兩段金屬連接處重疊的地方注意金屬線最小寬度

30 連線接頭處一定要重疊，畫的時候?qū)⒃搮^(qū)域放大可避免此錯誤

31 擺放各個小CELL時注意不要擠得太近，沒有留出走線空間。最后線只能從DEVICE上跨過去

32 Text2，y0層只是用來做檢查或標(biāo)志用，不用于光刻制造

33 芯片內(nèi)部的電源線/地線和ESD上的電源線/地線分開接;數(shù)模信號的電源線/地線分開

34 Pad的pass窗口的尺寸畫成整數(shù)90um

35 連接Esd電路的線不能斷，如果改變走向不要換金屬層

36 Esd電路中無VDDX，VSSX，是VDDB，VSSB

37 PAD和ESD最好使用M1連接，寬度不小于20um;使用M2連接時，pad上不用打VIA孔，在ESD電路上打

38 PAD與芯片內(nèi)部cell的連線要從ESD電路上接過去

39 Esd電路的SOURCE放兩邊，DRAIN放中間

40 ESD的D端的孔到poly的間距為4，S端到poly的間距為^+0.2.防止大電流從D端進來時影響poly

41 ESD的pmos管與其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上

42 大尺寸的pmos/nmos與其他nmos/pmos（非powermos和ESD）的間距不夠70um時，但最好不要小于50um，中間加NWELL，打上NTAP

43 NWELL和PTAP的隔離效果有什么不同？NWELL較深，效果較好

44 只有esd電路中的管子才可以用2*2um的孔。怎么判斷ESD電路？上拉P管的D/G均接VDD，S接PAD;下拉N管的G/S接VSS，D接PAD.P/N管起二極管的作用

45 擺放ESD時nmos擺在最外緣，pmos在內(nèi)

46 關(guān)于匹配電路，放大電路不需要和下面的電流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所處的光刻環(huán)境一樣。匹配分為橫向，縱向，和中心匹配。1221為縱向匹配，12為中心匹配（把上方1轉(zhuǎn)到下方1時，上方2也達(dá)到下方2位置）21中心匹配最佳

47 尺寸非常小的匹配管子對匹配畫法要求不嚴(yán)格.4個以上的匹配管子，局部和整體都匹配的匹配方式最佳

48 在匹配電路的mos管左右畫上dummy，用poly，poly的尺寸與管子尺寸一樣，dummy與相鄰的第一個poly gate的間距等于poly gate之間的間距

49 電阻的匹配，例如1，2兩電阻需要匹配，仍是1221等方法。電阻dummy兩頭接地vssx

50 Via不要打在電阻體，電容（poly）邊緣上面

51 05工藝中resistor層只是做檢查用

52 電阻連線處孔越多，各個VIA孔的電阻是并聯(lián)關(guān)系，孔形成的電阻變小

53 電阻的dummy是保證處于邊緣的電阻與其他電阻蝕刻環(huán)境一樣

54 電容的匹配，值，接線，位置的匹配

55 電阻連接fuse的pad的連線要稍寬，因為通過的電流較大.fuse的容絲用最上層金屬

56 關(guān)于powermos

① powermos一般接pin，要用足夠?qū)挼慕饘倬€接

② 幾種縮小面積的畫法

③ 柵的間距？無要求。柵的長度不能超過100um

57 Power mos要考慮瞬時大電流通過的情況，保證電流到達(dá)各處的路徑的電阻相差不大。（適應(yīng)所有存在大電流通過的情況）

58 金屬層dummy要和金屬走向一致，即如果M2橫走，M2的dummy也是橫走向

59 低層cell的pin，label等要整齊，and不要刪掉以備后用

60 匹配電路的柵如果橫走，之間連接用的金屬線會是豎走，用金屬一層，和規(guī)定的金屬走向一致

61 不同寬度金屬連接的影響？整個layout面積較大時影響可忽略

62 輸出端節(jié)電容要小。多個管子并聯(lián)，有一端是輸出時注意做到這點

63 做DRACULA檢查時，如果先運行drc，drc檢查沒有完畢時做了lvs檢查，那么drc檢查的每一步會比lvs檢查的每一步快;反之，lvs會比 drc快

64 最終DRACULA通過之后在layout圖中空隙處加上ptap，先用thin-oxid將空隙處填滿，再打上孔，金屬寬度不要超過10，即一行最多8 個孔（06工藝）

65 為防止信號串?dāng)_，在兩電路間加上PTAP，此PTAP單獨連接VSS PAD

66 金屬上走過的電壓很大時，為避免尖角放電，拐角處用斜角，不能走90度度的直角

67 如果w=20，可畫成兩個w=10mos管并聯(lián)

68 并聯(lián)的管子共用端為S端，或D端;串聯(lián)的管子共用端為s/d端

出錯檢查：

69 DEVICE的各端是否都有連線；連線是否正確

70 完成布局檢查時要查看每個接線的地方是否都有連線，特別注意VSSX，VDDX

71 查線時用SHOTS將線高亮顯示，便于找出可以合并或是縮短距離的金屬線

72 多個電阻（大于兩根）打上DUMMY。保證每根電阻在光刻時所處的環(huán)境一樣，最外面的電阻的NPIM層要超出EPOLY2 0.55 um，即兩根電阻間距的一半

73 無關(guān)的MOS管的THIN要斷開，不要連在一起

74 并聯(lián)的管子注意漏源合并，不要連錯線。一個管子的源端也是另一個管子的源端

75 做DRAC檢查時最上層的pin的名稱用text2標(biāo)識。Text2的名稱要和該pin的名稱一樣

76 大CELL不要做DIVA檢查，用DRACULE

77 Text2層要打在最頂層cell里。如果打在pad上，于最頂層調(diào)用此PAD，Dracula無法認(rèn)出此pin

78 消除電阻dummy的lvs報錯，把nimp和RPdummy層移出最邊緣的電阻，不要覆蓋dummy

79 06工藝中M1最小寬度0.8，如果用0.8的M1拐線，雖然diva的drc不報錯，但DRACULE的drc會在拐角處報錯。要在拐角處加寬金屬線

80 最后DRACULA的lvs通過，但是drc沒有過，每次改正drc錯誤前可把layout圖存成layout1，再改正。以免改錯影響lvs不通過，舊 版圖也被保存下來了

81 Cell中間的連線盡量在低層cell中連完，不要放在高層cell中連，特別不要在最高層cell中連，因為最高層cell的布局經(jīng)常會改動，走線容易 因為cell的移動變得混亂

82 DRACULA的drc無法檢查出pad必須滿足pad到與pad無關(guān)的物體間距為10這一規(guī)則

83 做DRACULA檢查時開兩個窗口，一個用于lvs，一個用于drc.可同時進行，節(jié)省時間

容易犯的錯誤：

84 電阻忘記加dummy

85 使用NS功能后沒有復(fù)原（選取AS），之后又進行整圖移動操作，結(jié)果被NS的元件沒有移動，圖形被破壞

86 使用strech功能時錯選。每次操作時注意看圖左下角提示

87 Op電路中輸入放大端的管子的襯底不接vddb/vddx

88 是否按下capslock鍵后沒有還原就操作

節(jié)省面積的途徑：

89 電源線下面可以畫有器件節(jié)省面積

90 電阻上面可以走線，畫電阻的區(qū)域可以充分利用

91 電阻的長度畫越長越省面積

92 走線時金屬線寬走最小可以節(jié)省面積，并不需要走孔的寬度

93 做新版本的layout圖時，舊圖保存，不要改動或刪除。減小面積時如果低層CELL的線有與外層CELL相連，可以從更改連線入手，減小走線面積

94 版圖中面積被device，device的間隔和走線空間分割，減小面積一般從走線空間入手，更改FLOORPLAN。