一.DS18B20特點(diǎn)
DS18B20 數(shù)字溫度計(jì)提供12位(二進(jìn)制)溫度讀數(shù)的數(shù)字型傳感器。傳感器僅需要單總線(xiàn)接口與CPU連接,實(shí)現(xiàn)信號(hào)送入 DS18B20 或從 DS18B20 送出。傳感器內(nèi)部框圖如下:
DS18B20內(nèi)部框圖
- DS18B20的電源可以由數(shù)據(jù)線(xiàn)本身提供(如框圖所示),可不需要再接外部電源,因此從CPU到DS18B20僅需一條數(shù)據(jù)線(xiàn)和地線(xiàn)。
- 內(nèi)部的64位ROM 只讀存儲(chǔ)器,用于存放DS18B20 ID編碼,其前8位是單線(xiàn)系列編碼(DS18B20的編碼是19H),后面48位是芯片唯一的序列號(hào),最后8位是以上56位的CRC碼(冗余校驗(yàn))。數(shù)據(jù)在出產(chǎn)時(shí)廠(chǎng)家已設(shè)置好,用戶(hù)不可更改。
- RAM 數(shù)據(jù)暫存器,用于內(nèi)部計(jì)算和數(shù)據(jù)存取,數(shù)據(jù)在掉電后丟失,DS18B20共9個(gè)字節(jié)RAM,每個(gè)字節(jié)為8位。
DS18B20內(nèi)部RAM圖
第1、2個(gè)字節(jié)是溫度轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)值信息,第3、4個(gè)字節(jié)是用戶(hù)EEPROM(常用于溫度報(bào)警值儲(chǔ)存)的鏡像。在上電復(fù)位時(shí)其值將被刷新。第5個(gè)字節(jié)則是用戶(hù)第3個(gè)EEPROM的鏡像。第6、7、8個(gè)字節(jié)為計(jì)數(shù)寄存器,是為了讓用戶(hù)得到更高的溫度分辨率而設(shè)計(jì)的,同樣也是內(nèi)部溫度轉(zhuǎn)換、計(jì)算的暫存單元。第9個(gè)字節(jié)為前8個(gè)字節(jié)的CRC碼。EEPROM 非易失性記憶體,用于存放長(zhǎng)期需要保存的數(shù)據(jù),上下限溫度報(bào)警值和校驗(yàn)數(shù)據(jù),DS18B20共3位EEPROM,并在RAM都存在鏡像,以方便用戶(hù)操作。
二.DS18B20連接圖
DS18B20電源連接方式有兩種,可通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)供電或者電源引腳直接供電;此外,無(wú)論哪種連接方式,數(shù)據(jù)線(xiàn)都需要外置4.7k的上拉電阻。
數(shù)據(jù)線(xiàn)供電的連接方式
外部電源供電的連接方式
三.DS18B20控制時(shí)序分析
1.復(fù)位時(shí)序
時(shí)序見(jiàn)圖,主機(jī)總線(xiàn)發(fā)送一復(fù)位脈沖(最短為 480us,最長(zhǎng)960us的低電平信號(hào));接著主機(jī)將總線(xiàn)拉到高電平,釋放總線(xiàn)并進(jìn)入引腳接收狀態(tài);DS18B20 在檢測(cè)到總線(xiàn)的上升沿之后等待15-60us,接著DS18B20發(fā)出存在脈沖(低電平持續(xù) 60-240 us) 。主機(jī)總線(xiàn)檢測(cè)到低電平時(shí)間在140us內(nèi),則檢測(cè)到DS18B20的應(yīng)答。
//復(fù)位DS18B20
void DS18B20_Rst(void)
{
DS18B20_IO_OUT(); //SET IO OUTPUT
DS18B20_DQ_OUT=0; //拉低DQ
delay_us(750); //拉低750us
DS18B20_DQ_OUT=1; //DQ=1
delay_us(15); //15US
}
//等待DS18B20的回應(yīng)
//返回1:未檢測(cè)到DS18B20的存在
//返回0:存在
u8 DS18B20_Check(void)
{
u8 retry=0;
DS18B20_IO_IN();//SET PA0 INPUT
while (DS18B20_DQ_IN&&retry< 200)
{
retry++;
delay_us(1);
};
if(retry >=200)return 1;
else retry=0;
while (!DS18B20_DQ_IN&&retry< 240)
{
retry++;
delay_us(1);
};
if(retry >=240)return 1;
return 0;
}
2.寫(xiě)時(shí)序
當(dāng)主機(jī)總線(xiàn)從高拉至低電平時(shí)就產(chǎn)生寫(xiě)時(shí)間隙,見(jiàn)圖時(shí)序圖,從下降沿開(kāi)始15us之內(nèi)應(yīng)將所需寫(xiě)的位送到總線(xiàn)上,DS18B20在15-60us間對(duì)總線(xiàn)采樣,若低電平寫(xiě)入的位是0,若高電平,則寫(xiě)入的位是1,連續(xù)寫(xiě)入位數(shù)的間隙應(yīng)大于1us。
//寫(xiě)一個(gè)字節(jié)到DS18B20
//dat:要寫(xiě)入的字節(jié)
void DS18B20_Write_Byte(u8 dat)
{
u8 j;
u8 testb;
DS18B20_IO_OUT();//SET IO OUTPUT;
for (j=1;j<=8;j++)
{
testb=dat&0x01;
dat=dat >>1;
if (testb)
{
DS18B20_DQ_OUT=0;// 寫(xiě)入1
delay_us(2);
DS18B20_DQ_OUT=1;
delay_us(60);
}
else
{
DS18B20_DQ_OUT=0;// 寫(xiě)入0
delay_us(60);
DS18B20_DQ_OUT=1;
delay_us(2);
}
}
}
3.讀時(shí)序
主機(jī)總線(xiàn)從高拉至低電平時(shí),總線(xiàn)只須保持低電平1us以上后,將總線(xiàn)拉高,產(chǎn)生讀時(shí)間隙,如圖:
讀時(shí)間在Trc后到15us內(nèi)有效,也就是說(shuō) t z 時(shí)刻前主機(jī)必須完成讀位,并在 Tinit后的 60us ~ 120 us內(nèi)釋放總線(xiàn)。主機(jī)引腳讀取總線(xiàn)狀態(tài),若低電平讀取的位是0,若高電平,則讀取的位是1,連續(xù)讀取位數(shù)的間隙應(yīng)大于1us。
//從DS18B20讀取一個(gè)位
//返回值:1/0
u8 DS18B20_Read_Bit(void) // read one bit
{
u8 data;
DS18B20_IO_OUT();//SET IO OUTPUT
DS18B20_DQ_OUT=0;
delay_us(2);
DS18B20_DQ_OUT=1;
DS18B20_IO_IN();//SET IO INPUT
delay_us(12);
if(DS18B20_DQ_IN)data=1;
else data=0;
delay_us(50);
return data;
}
//從DS18B20讀取一個(gè)字節(jié)
//返回值:讀到的數(shù)據(jù)
u8 DS18B20_Read_Byte(void) // read one byte
{
u8 i,j,dat;
dat=0;
for (i=1;i<=8;i++)
{
j=DS18B20_Read_Bit();
dat=(j< 7)|(dat >>1);
}
return dat;
}
4.讀取DS18B20溫度值
DS18B20讀取溫度值步驟如下,其中單個(gè)傳感器無(wú)需匹配ROM,所以程序中跳過(guò)匹配ROM。
//從ds18b20得到溫度值
//精度:0.1C
//返回值:溫度值 (-550~1250)
short DS18B20_Get_Temp(void)
{
u8 temp;
u8 TL,TH;
short tem;
DS18B20_Start (); // ds1820 開(kāi)始轉(zhuǎn)換
DS18B20_Rst();
DS18B20_Check();
DS18B20_Write_Byte(0xcc);// 跳過(guò)匹配ROM
DS18B20_Write_Byte(0xbe);// 轉(zhuǎn)換
TL=DS18B20_Read_Byte(); // LSB
TH=DS18B20_Read_Byte(); // MSB
if(TH >7)
{
TH=~TH;
TL=~TL;
temp=0;//溫度為負(fù)
}else temp=1;//溫度為正
tem=TH; //獲得高八位
tem< <=8;
tem+=TL;//獲得底八位
tem=(float)tem*0.625;//轉(zhuǎn)換
if(temp)return tem; //返回溫度值
else return -tem;
}
-
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