我改完之后的圖：

今天的內(nèi)容包括：反相器鏈路版圖驗(yàn)證步驟和模擬版圖驗(yàn)證中常見的問題及修改。

反相器鏈路版圖驗(yàn)證步驟

完成反向器鏈路的版圖設(shè)計(jì)后，還需要對(duì)版圖進(jìn)行驗(yàn)證和后仿真，主要是應(yīng)用Mentor Calibre工具進(jìn)行。

（1）在版圖視圖窗口中執(zhí)行菜單命令

（2）選擇運(yùn)行的文件和運(yùn)行的目錄。

（3）單擊“run Control”按鈕，這時(shí)Calibre開始導(dǎo)出版圖文件并對(duì)其進(jìn)行DRC檢查。

這個(gè)時(shí)候Calibre開始導(dǎo)出版圖文件并對(duì)其進(jìn)行DRC檢查。Calibre DRC完成后，自動(dòng)彈出輸出結(jié)果。包括一個(gè)圖形界面的錯(cuò)誤文件查看器和一個(gè)文本格式文件。

一般都是間距、密度和邊界的問題，間距的問題必須解決，密度和邊界可以暫時(shí)忽略。打開layout圖，雙擊錯(cuò)誤可以定位到錯(cuò)誤的位置，進(jìn)行編輯修改就行。

直到錯(cuò)誤修改完成。

常見的錯(cuò)誤

錯(cuò)誤的地方一般都會(huì)標(biāo)記：

意思是這個(gè)是MOS晶體的Gate層，必須被SN或SP全部包圍

查看，有2個(gè)錯(cuò)誤

雙擊紅色的之后，再打開版圖的方框，就可以顯示出錯(cuò)誤的位置。沒有被SP或者SN所包圍

選擇SN層，添加一個(gè)矩形，把它包圍進(jìn)去，這樣這個(gè)錯(cuò)誤就修復(fù)好了，同理另外一個(gè)也是

保存。

最小寬度是0.03um

拉寬

改為1個(gè)過孔

就這樣一個(gè)個(gè)的改

M2金屬的線寬要為0.2

間距要大于0.2

全部選擇之后再移動(dòng)

密度，邊界的問題，現(xiàn)在都忽略，后期再處理。