今天就沿著車規級零部件測試這個主題,和大家一起分享一下AEC-Q200的環境試驗條件。
AEC-Q200的環境試驗條件
AEC-Q200的環境試驗條件,主要是依據MIL-STD-202與JEDEC22A-104規范來制定的,不同零件的試驗溫度除了不一樣之外,其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同,高溫儲存屬于不施加偏壓與負載,但高溫下的工作壽命是必要的,溫度循環和溫度沖擊,它們的測試目的和手法是不同的,溫度循環下的高低溫的變化需要溫變率的控制,溫沖擊就不需要了,偏高濕度是通常所說的高溫高濕測試,濕度抵抗是濕冷凍測試;
試驗條件注意事項:
1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測。
高溫儲存(MIL-STD-202-108)
薄膜電容、網絡低通濾波器、網絡電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/1000h;
電感、變壓器、電阻:125℃/1000h;
變阻器:150℃/1000h;
高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)
網絡低通濾波器、網絡電阻:85℃/1000h;
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/1000h/施加額定IL;
鉭電容、陶瓷電容:最大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓;
鋁電解電容、電感、變壓器:105℃/1000h;
薄膜電容:1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓;
自恢復保險絲:125℃/1000h;
電阻、熱敏電阻、可變電容:125℃/1000h/額定電壓;
可變電阻:125℃/1000h/額定功率;
變阻器:125℃/1000h/額定電壓85%+ma電流;
陶瓷共鳴器:85℃/1000h/額定VDD+1MΩ,并聯逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容;
石英震蕩器:125℃/1000h/額定VDD+1MΩ,并聯逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容;
溫度循環(JEDEC22A-104)
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:
-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles;
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻:-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles;
鋁電解電容:-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles;
電感、變壓器、變阻器、石英震蕩器、自恢復保險絲:-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles;
網絡低通濾波器、網絡電阻:
-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles;
溫度沖擊(MIL-STD-202-107)
自恢復保險絲:
-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles;
偏高濕度(MIL-STD-202-103)
鉭電容、陶瓷電容:85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3~1.5V;
電感&變壓器:85℃/85%R.H./1000h/不通電;
鋁電解電容:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓 ;
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓&電流;
電阻、熱敏電阻:85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%;
自恢復保險絲:85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%;
可變電容、可變電阻:85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%;
網絡低通濾波器&網絡電阻:85℃/85%R.H./1000h/電壓[網絡電容(額定電壓)、網絡電阻(10%額定功率)];
變阻器:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85%+ma電流;
石英震蕩器、陶瓷共鳴器:85℃/85%R.H./1000h/額定;VDD+1MΩ,并聯逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容;
薄膜電容:40℃/93%R.H./1000h/額定電壓;
濕度抵抗(MIL-STD-202-106)
薄膜電容:(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h,每一cycle共24h,step7a&7b不通電;
上述各種檢測均來自AEC-Q200實施標準,對于以上檢測條件,金鑒實驗室均可提供相應的檢測解決方案,希望對大家的檢測有所幫助。有興趣者可下方留言探討。
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