三星計劃提高DRAM和NAND芯片價格
日前有消息稱，存儲芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動DRAM芯片銷售行業(yè)。
據(jù)悉，三星電子公司最近與一些重要客戶(包括小米、OPPO和谷歌)簽署了DRAM和NAND芯片供應(yīng)協(xié)議，而這些合同的價格較現(xiàn)有合同高出10-20%。
此外，還有內(nèi)部人士表示，三星計劃向其移動業(yè)務(wù)部門供應(yīng)存儲芯片，并且價格也將上漲。中國客戶已經(jīng)同意接受三星芯片的漲價要求，因為他們預(yù)計智能手機銷量將在海外市場增長。
隨著芯片行業(yè)自2022年底開始大幅減產(chǎn)，智能手機制造商的芯片庫存水平已經(jīng)下降。而在上游市場，受益于智能手機新品發(fā)布的熱潮，LPDDR5X等DRAM芯片的價格逐漸上漲。
當(dāng)前三星在第二季度已經(jīng)開始控制產(chǎn)量，預(yù)計第三季度將進一步緊縮。而隨著庫存的逐漸減少，價格上漲已成為必然趨勢。
實際上，韓國存儲芯片制造商有決心提高其最新芯片的價格。再加上業(yè)內(nèi)高管透露，在NAND閃存市場，客戶已經(jīng)停止削減訂單數(shù)量，并開始下更多訂單
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
454文章
50460瀏覽量
421973 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2304瀏覽量
183326 -
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1678瀏覽量
136029 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15856瀏覽量
180933
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
三星或受內(nèi)存芯片價格下跌影響
近日，信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔(dān)憂。他預(yù)測，由于客戶庫存過剩，三星電子在2025年上半年可能會面臨內(nèi)存芯片價格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出，盡管下半年
三星與鎧俠計劃減產(chǎn)NAND閃存
近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn)，并預(yù)計根據(jù)市場狀況分階段實施。
三星電子存儲芯片價格大幅上調(diào)，中國市場面臨挑戰(zhàn)與機遇
近日，三星電子宣布了一項重大市場決策，計劃在第三季度對其DRAM和NAND閃存存儲芯片進行15%
今日看點丨曝三星計劃Q3對DRAM、NAND漲價15%~20%；傳蘋果將大砍一半產(chǎn)線員工
1. 傳三星計劃Q3 對DRAM 、NAND 漲價15%~20% ，現(xiàn)已通報客戶 ? 6月26日，多家媒體報道稱，三星
發(fā)表于 06-27 11:02
?443次閱讀
三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度
在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲，這
三星電子NAND開工率已提高至90%
據(jù)相關(guān)業(yè)內(nèi)人士21日透露，近期三星電子NAND開工率已提高至90%，此前存儲行業(yè)衰退時三星開工率一度下降至60%。
三星今年或?qū)⒋罅ν七M先進DRAM生產(chǎn)
消息透露，自2023年末起，存儲芯片價格逐漸上漲；盡管整個行業(yè)陷入衰退期，受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動，先進DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面，NAND閃存需求預(yù)計將繼續(xù)走弱。
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備
數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強
三星半導(dǎo)體欲扭虧為盈，營業(yè)利潤預(yù)計達11.5萬億韓元
當(dāng)前，人工智能熱潮助推了三星存儲芯片銷售。盡管2023年因DRAM、NAND供應(yīng)異常充足，導(dǎo)致價格大跌，使其陷入嚴(yán)重虧損，但得益于減產(chǎn)政策的
DRAM價格飆升，三星和美光計劃Q1漲幅高達20%
根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調(diào)DRAM
傳三星與美光第一季DRAM價格漲幅15%~20%
近期，全球DRAM市場風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能，這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠的影響。而現(xiàn)在，最新消息表明，DRAM價格有望在2024年第一季度迎
三星與美光擬提DRAM價格，以求盈利回暖
部分存儲模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價，故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM
三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片
三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論