精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

ROHM100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現業界超低導通電阻

江師大電信小希 ? 來源: 江師大電信小希 ? 作者: 江師大電信小希 ? 2023-09-14 19:12 ? 次閱讀

近年來,在通信基站和工業設備領域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V和24V系統逐漸被轉換為48V系統,電源電壓呈提高趨勢。此外,用來冷卻這些設備的風扇電機也使用的是48V系統電源,考慮到電壓波動,起到開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面,提高耐壓意味著與其存在權衡關系的導通電阻也會提高,效率會變差,因此,如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻,是一個很大的挑戰。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅動,為了節省空間,對于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。

在這種背景下,ROHM采用新工藝開發出Nch和Pch的MOSFET芯片,并通過采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式,開發出實現業界超低導通電阻的新系列產品

新產品通過采用ROHM新工藝和背面散熱封裝,實現了業界超低的導通電阻(Ron)*3(Nch+Nch產品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ)。與普通的雙MOSFET相比,導通電阻降低達56%,非常有助于進一步降低應用設備的功耗。另外,通過將兩枚芯片一體化封裝,可以減少安裝面積,有助于應用設備進一步節省空間。例如HSOP8封裝的產品,如果替換掉兩枚單MOSFET(僅內置1枚芯片的TO-252封裝),可以減少77%的安裝面積。

新產品已于2023年7月開始暫以月產100萬個(樣品價格550日元/個,不含稅)的規模投入量產。

目前,ROHM正在面向工業設備領域擴大雙MOSFET的耐壓陣容,同時也在開發低噪聲產品。未來,將通過持續助力各種應用產品進一步降低功耗并節省空間,為解決環境保護等社會問題不斷貢獻力量。

wKgZomUC6qaAFs6gAAYpSzqn4IM581.png

產品陣容

wKgaomUC6qaAXF7BAAABtC1L_Uc208.png

Nch+Nch 雙MOSFET

wKgaomUC6qeAGxi6AADKuKTlKds090.png

Nch+Pch 雙MOSFET

wKgZomUC6qiAIjmfAACFz0YgRa4166.png

*預計產品陣容中將會逐步增加40V、60V、80V、150V產品。

應用示例

? 通信基站用風扇電機

?FA設備等工業設備用風扇電機

?數據中心等服務器用風扇電機

wKgaomUC6qiATLugAACpGVQdalY573.png

wKgZomUC6qmAOIaqAACQKtn0c1Q507.png

通過與預驅動器IC相結合,

為電機驅動提供更出色的解決方案

ROHM通過將新產品與已具有豐碩實際應用業績的(找元器件現貨上唯樣商城)單相和三相無刷電機用預驅動器IC相結合,使電機電路板的進一步小型化、低功耗和靜音驅動成為可能。通過為外圍電路設計提供雙MOSFET系列和預驅動器IC相結合的綜合支持,為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅動解決方案。

與100V耐壓雙MOSFET相結合的示例

HT8KE5(Nch+Nch 雙MOSFET)和

BM64070MUV(三相無刷電機用預驅動器IC)

HP8KE6(Nch+Nch 雙MOSFET)和

BM64300MUV(三相無刷電機用預驅動器IC)等

電機用新產品的規格書數據下載頁面

從ROHM官網可以下載包括新產品在內的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規格書。

術語解說

*1)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫)

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管,是FET中最常用的結構,被用作開關器件。

*2)Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET:通過向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET。可用比低于輸入電壓低的電壓驅動,因此電路結構較為簡單。

Nch MOSFET:通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。相比Pch MOSFET,漏極與源極之間的導通電阻更小,因此可減少常規損耗。

*3)導通電阻(Ron)

使MOSFET啟動(ON)時漏極與源極之間的電阻值。該值越小,運行時的損耗(電力損耗)越少。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    144

    文章

    7088

    瀏覽量

    212711
  • 導通電阻
    +關注

    關注

    0

    文章

    348

    瀏覽量

    19771
  • Rohm
    +關注

    關注

    8

    文章

    366

    瀏覽量

    65969
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    視覺插件是選擇3mm還是5mm直插燈珠

    、選擇3mm視覺插件燈珠和5mm視覺插件燈珠時,需要考慮多個因素,亮度,光色,應用場景都是優先要考慮的。如果你不清楚3mm還是5mm適合你,可以分別測試下樣品。沒有對比就沒有發言權嘛
    的頭像 發表于 11-23 17:18 ?54次閱讀

    ad把一個15mm*1.5mm的燈放到直徑15mm的圓形pcb板上,可以實現

    ad把一個15mm*1.5mm的燈放到直徑15mm的圓形pcb板上,可以實現嗎, 希望燈焊在板子一面,另一面放電阻,有孔引電源線
    發表于 11-06 14:10

    銳駿半導體發布全新超低通電阻MOSFET

    近日,銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低通電阻MOSFET產品,為市場帶來了更加高效的解決方案。
    的頭像 發表于 10-08 15:15 ?334次閱讀

    微型化晶振技術:實現1.2mm x 1.0mm尺寸的關鍵與優勢

    隨著現代電子設備的不斷小型化和高性能化,晶振(晶體振蕩器)也面臨著向更小尺寸發展的需求。1.2mm x 1.0mm這種微型化晶振的實現代表了當前晶體振蕩技術的前沿,它不僅在
    的頭像 發表于 08-22 17:25 ?347次閱讀
    微型化晶振技術:<b class='flag-5'>實現</b>1.2<b class='flag-5'>mm</b> x 1.0<b class='flag-5'>mm</b><b class='flag-5'>尺寸</b>的關鍵與優勢

    射頻線纜3.5mm公頭和2.4mm公頭區別

    3.5mm公頭和2.4mm公頭是兩種常見的射頻連接器,它們在射頻領域中廣泛應用于連接射頻設備和儀器。雖然它們在外觀上可能看起來相似,但實際上在尺寸、頻率范圍和應用領域等方面存在一些明顯的區別。在本文
    的頭像 發表于 04-30 13:40 ?970次閱讀

    具有3.3mm通道到通道間距的UCC21530 4A、6A、5.7kVRMS隔離式雙通道柵極驅動器數據表

    電子發燒友網站提供《具有3.3mm通道到通道間距的UCC21530 4A、6A、5.7kVRMS隔離式雙通道柵極驅動器數據表.pdf》資料免費下載
    發表于 03-25 10:23 ?0次下載
    具有<b class='flag-5'>3.3mm</b>通道到通道間距的UCC21530 4A、6A、5.7kVRMS隔離式雙通道柵極驅動器數據表

    具有3.3mm通道到通道間距的UCC21530-Q1 4A、6A、5.7kVRMS隔離式雙通道柵極驅動器數據表

    電子發燒友網站提供《具有3.3mm通道到通道間距的UCC21530-Q1 4A、6A、5.7kVRMS隔離式雙通道柵極驅動器數據表.pdf》資料免費下載
    發表于 03-25 10:19 ?0次下載
    具有<b class='flag-5'>3.3mm</b>通道到通道間距的UCC21530-Q1 4A、6A、5.7kVRMS隔離式雙通道柵極驅動器數據表

    NTG48S348-VFQFPN 6.0 x 6.0 x 0.75 mm機身包裝外形圖包裝代碼

    電子發燒友網站提供《NTG48S348-VFQFPN 6.0 x 6.0 x 0.75 mm機身包裝外形圖包裝代碼.pdf》資料免費下載
    發表于 01-05 10:45 ?0次下載
    NTG48S348-VFQFPN <b class='flag-5'>6.0</b> x <b class='flag-5'>6.0</b> x 0.75 <b class='flag-5'>mm</b>機身包裝外形圖包裝代碼

    NTG40S240-VFQFPN 5.0 x 5.0 x 0.75 mm機身包裝外形圖包裝代碼

    電子發燒友網站提供《NTG40S240-VFQFPN 5.0 x 5.0 x 0.75 mm機身包裝外形圖包裝代碼.pdf》資料免費下載
    發表于 01-05 10:44 ?0次下載
    NTG40S240-VFQFPN <b class='flag-5'>5.0</b> x <b class='flag-5'>5.0</b> x 0.75 <b class='flag-5'>mm</b>機身包裝外形圖包裝代碼

    昕感科技推出超低通電阻的SiC MOSFET器件

    近日,昕感科技在新能源領域取得重大突破,推出了一款具有業界領先超低通電阻的SiC MOSFET器件新產品(N2M120007PP0)。該產
    的頭像 發表于 01-04 14:37 ?828次閱讀

    包裝外形圖包裝代碼:LW0064AA64-LGA 5.0 x 5.0 x 0.66 mm機身,0.50mm節距PSC-5027-2001

    電子發燒友網站提供《包裝外形圖包裝代碼:LW0064AA64-LGA 5.0 x 5.0 x 0.66 mm機身,0.50mm節距PSC-5027-2001.pdf》資料免費下載
    發表于 12-21 10:56 ?0次下載
    包裝外形圖包裝代碼:LW0064AA64-LGA <b class='flag-5'>5.0</b> x <b class='flag-5'>5.0</b> x 0.66 <b class='flag-5'>mm</b>機身,0.50<b class='flag-5'>mm</b>節距PSC-5027-2001

    包裝外形圖包裝代碼:NTG40S140-VFQFPN 5.0 x 5.0 x 0.75 mm機身,0.4mm節距PSC-4295-03

    電子發燒友網站提供《包裝外形圖包裝代碼:NTG40S140-VFQFPN 5.0 x 5.0 x 0.75 mm機身,0.4mm節距PSC-4295-03.pdf》資料免費下載
    發表于 12-21 10:55 ?0次下載
    包裝外形圖包裝代碼:NTG40S140-VFQFPN <b class='flag-5'>5.0</b> x <b class='flag-5'>5.0</b> x 0.75 <b class='flag-5'>mm</b>機身,0.4<b class='flag-5'>mm</b>節距PSC-4295-03

    包裝外形圖包裝代碼:NTG48S248-VFQFPN 6.0 x 6.0 x 0.75 mm機身,0.4mm節距PSC-4294-03

    電子發燒友網站提供《包裝外形圖包裝代碼:NTG48S248-VFQFPN 6.0 x 6.0 x 0.75 mm機身,0.4mm節距PSC-4294-03.pdf》資料免費下載
    發表于 12-21 10:54 ?0次下載
    包裝外形圖包裝代碼:NTG48S248-VFQFPN <b class='flag-5'>6.0</b> x <b class='flag-5'>6.0</b> x 0.75 <b class='flag-5'>mm</b>機身,0.4<b class='flag-5'>mm</b>節距PSC-4294-03

    包裝外形圖包裝代碼:NRX12R112-DFN 4.0 x 5.0 x 1.153 mm機身,0.5mm節距PSC-4950-01

    電子發燒友網站提供《包裝外形圖包裝代碼:NRX12R112-DFN 4.0 x 5.0 x 1.153 mm機身,0.5mm節距PSC-4950-01.pdf》資料免費下載
    發表于 12-21 10:53 ?0次下載
    包裝外形圖包裝代碼:NRX12R112-DFN 4.0 x <b class='flag-5'>5.0</b> x 1.153 <b class='flag-5'>mm</b>機身,0.5<b class='flag-5'>mm</b>節距PSC-4950-01

    羅姆ROHM開發出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V
    的頭像 發表于 12-08 17:38 ?584次閱讀
    羅姆<b class='flag-5'>ROHM</b>開發出采用SOT-223-3小型封裝的600<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>耐壓</b>Super Junction <b class='flag-5'>MOSFET</b>