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圖騰柱TCM之負電流幅度和延時時間

pecron ? 來源:電路一點通 ? 2023-09-19 11:17 ? 次閱讀

根據理論分析,不同的交流輸入電壓時,可以實現ZVS的最小負電流幅度是不同的。

當輸入電壓小于輸出母線電壓的一半(Uin <1/2Uo)時。由于電感電流上升和下降的斜率配合,即使沒有負電流(Ineg=0),仍然可以實現主功率管的ZVS。如下圖1所示。

wKgaomUJEt6AH46SAABZ98fhtmU446.png

圖 1輸入電壓小于母線電壓一半的情況下

當輸入電壓大于輸出母線電壓的一半(Uin >1/2Uo)時。由于電感電流上升和下降斜率的不同,實現ZVS的最小負電流是變化的。如下圖2所示。

wKgZomUJEt6AXR2XAABUe8PceMc858.png

圖 2 輸入電壓大于母線電壓一半的情況下

根據Kolar的文獻,其實現ZVS的最小負電流滿足下圖3所示的曲線。

wKgZomUJEt6AUihNAABwI1eHcwA270.png

圖3 實現ZVS的最小負電流的曲線

但實際工程處理,需要簡化此控制策略。目前的實際工程樣機的調試過程中,是采用固定負電流幅度的方法,可以設置為-1.5A~-2.5A都可以較好的ZVS效果。

縮小電路的相應延遲時間

TCM控制的工作原理決定了其硬件電路的觸發信號DSP控制響應不能有太長的時間延遲,太長的響應延時會導致Tr過長,從而導致負電流過大問題,降低PFC工作效率及控制問題。因此,對于電感電流采樣電路、電感電流ZCD電路及DSP響應時間都有很嚴格時間要求。

A、為了滿足CCM控制情況下的控制效果,分流器采集的電流信號經過一級高速運放放大,此運放選用了TI的45MHz高速運放OPA2211??紤]到目前電流采樣通路采用的48Khz的低通濾波器,后續降成本可以優化該器件。

B、過零信號的比較器也需要選用高速的,目前選用的是TI的兩通道高速比較器TLV3502。其延遲時間為小于10ns。

C、如高頻管使用MOSFET,驅動IC選用低延遲時間的SI8233,其延遲時間也不超過100ns。而使用TI GAN器件LMG3410RWHR,其內部驅動延時也非常的低。

wKgZomUJEt6AEgjDAAF1KKFosdI286.png

D、降低DSP的響應延遲時間。DSP的響應速度在進行ZCD及Tr控制時非常關鍵.

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:圖騰柱TCM之負電流幅度和延時時間

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