湯谷智能首家在國產工藝線（n+1）完成HBM IP的設計實現
湯谷智能是目前首家在國產工藝線（n+1）上完成HBM IP的設計實現，成功流片并提供對外服務的企業。
高帶寬存儲器（HighBandwidth Memory，HBM）是一種將多層DRAM進行3D堆疊封裝的新型內存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能計算芯片中，HBM芯粒通過硅轉接板與計算芯粒實現2.5D封裝互聯，具有高帶寬、高吞吐量、低延遲、低功耗、小型化等技術優勢，可以滿足AI大模型高訪存的需求，成為當前高性能智能計算芯片最主要的技術路線，其中核心技術是計算芯粒與HBM芯?；ヂ?a target="_blank">接口技術。
全國產化的HBM芯粒連接涉及3部分重點環節：HBM顆粒的國產化、HBM IP設計和流片工藝國產化以及HBM IP與SOC IP基于Interposer的互聯接口設計和流片工藝的國產化，3個環節環環相扣，需要國內頂尖存儲、芯片設計、晶圓制造企業進行聯合攻關。湯谷智能已經完成了第二階段和第三階段的攻關，即在國產工藝上實現HBM IP與SOC IP基于Interposer的互聯接口設計和流片驗證，希望能與更多合作伙伴一起為更多高通量計算芯片設計企業提供優質服務。
審核編輯：彭菁
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原文標題：全國產HBM IP成功回片
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